2023年2月7-10日，開年盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州凱賓斯基大酒店召開。

論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司、蘇州市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。

2021年全球功率市場(chǎng)204億美元，硅MOSFET和IGBT占比約60%，2027年增長(zhǎng)至305億美元。SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)約為10.9億美元，預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)63億美元，市場(chǎng)滲透率約從5%增長(zhǎng)到20%。SiC MOSFET應(yīng)用涉及新能源汽車、新能源發(fā)電、儲(chǔ)能、工業(yè)電機(jī)、消費(fèi)電子、軌道交通、高壓輸變電等領(lǐng)域。

中國(guó)電子科技集團(tuán)首席專家、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任柏松做了題為“SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展”的大會(huì)主題報(bào)告。報(bào)告中詳細(xì)介紹了低壓碳化硅MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展和市場(chǎng)應(yīng)用情況，以及面向未來(lái)應(yīng)用需求開展高壓碳化硅器件技術(shù)開發(fā)的最新進(jìn)展等。

報(bào)告認(rèn)為，新能源汽車產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，推動(dòng)SiC MOSFET市場(chǎng)規(guī)?？焖偬嵘?。OBC應(yīng)用實(shí)現(xiàn)較高滲透率，電機(jī)控制器將成為規(guī)模最大應(yīng)用領(lǐng)域。

光伏發(fā)電/儲(chǔ)能應(yīng)用中，SiC MOSFET在10kW-200kW家用和工業(yè)應(yīng)用中具有綜合性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，使逆變器轉(zhuǎn)換效率提升至99%以上。光伏儲(chǔ)能一體化應(yīng)用快速增長(zhǎng)，儲(chǔ)能端DC-DC轉(zhuǎn)換采用SiC MOSFET，具有顯著的效率、體積和重量?jī)?yōu)勢(shì)。

軌道交通應(yīng)用中，國(guó)內(nèi)外快速機(jī)車牽引逆變器、輔助功率系統(tǒng)上使用1700V-6500V SiC功率模塊，開展示范應(yīng)用。高壓SiC MOSFET替代IGBT模塊，體積縮小95％，損耗降低80％。

柏松指出，新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等中低壓應(yīng)用推動(dòng)了碳化硅電力電子產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng)。解決高可靠、高電流密度碳化硅MOSFET器件設(shè)計(jì)、制造、封裝等問題是實(shí)現(xiàn)持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵。碳化硅在電網(wǎng)、軌道交通等高壓領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)得到初步展示，亟待聯(lián)合攻關(guān)實(shí)現(xiàn)批量工程應(yīng)用。 

嘉賓簡(jiǎn)介

柏松，博士，研究員，中國(guó)電科集團(tuán)首席專家，寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，國(guó)家科技重大專項(xiàng)、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目和課題負(fù)責(zé)人，長(zhǎng)期從事碳化硅電力電子器件技術(shù)研究，致力于提高碳化硅器件性能和可靠性，研制出先進(jìn)的碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT。