半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，廈門大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同質(zhì)外延生長(zhǎng)，成為國(guó)內(nèi)首家擁有并實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)技術(shù)的機(jī)構(gòu)。

作為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率，其在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)出色?；谔蓟璧碾娏﹄娮悠骷褟V泛地應(yīng)用于航空航天、新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。當(dāng)前主流的碳化硅單晶與外延生長(zhǎng)還處于6英寸階段，擴(kuò)大尺寸成為產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的主要路徑，然而在邁向8英寸過程中還存在諸多技術(shù)難題。

廈門大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，通過克服了8英寸襯底應(yīng)力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實(shí)現(xiàn)了基于國(guó)產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長(zhǎng)。外延層厚度為12 um，厚度不均勻性為2.3 %；摻雜濃度為8.4×10¹? cmˉ³，摻雜濃度不均勻性＜7.5 %；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜ 0.5 cmˉ²。

圖：廈門大學(xué)供圖

廈門大學(xué)長(zhǎng)期致力于III族氮化物、碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體的研究，多年來不斷促進(jìn)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，為產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)了大批的創(chuàng)新人才。上述科研團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，本次突破，標(biāo)志著我國(guó)已掌握8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)的相關(guān)技術(shù)。該技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，是廈門大學(xué)與瀚天天成電子科技(廈門)有限公司等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，將為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力，同時(shí)推動(dòng)新能源等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。