寬禁帶所簡介

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所（以下簡稱“寬禁帶所”）由復(fù)旦大學(xué)寧波研究院聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院共同組建，聚焦SiC功率半導(dǎo)體材料缺陷表征、器件設(shè)計、器件制造工藝、封裝工藝開發(fā)等主要方向，以市場需求為導(dǎo)向，技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)為動力，高端人才培養(yǎng)為支撐，采用政府引導(dǎo)、高校支撐、企業(yè)聯(lián)合研發(fā)、全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的政產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的模式，重點突破SiC材料與器件關(guān)鍵共性技術(shù)及先進制造工藝，聯(lián)合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波SiC優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)集群的形成提供強有力支撐。

寬禁帶所建設(shè)總投入約4.6億元，主要用于器件工藝研發(fā)與中試線、先進封裝研發(fā)線、測試及可靠性平臺的設(shè)備采購、能力建設(shè)和日常運營管理等。接下來將按照國家級和省級重點實驗室標準，加快建設(shè)面向前瞻研究與成果轉(zhuǎn)化、具備國際領(lǐng)先水平的碳化硅半導(dǎo)體材料與器件高水平研發(fā)平臺，力爭成為國家級碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心，打造寧波“碳化硅谷”。

招聘需求

一、博士后研究人員

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院于2022年建立博士后科研工作站，自建站以來有力地推動了研究院與高校及地方政府的合作交流，促進產(chǎn)學(xué)研緊密結(jié)合。博士后工作站已成為研究院高層次人才引進、培養(yǎng)和科技創(chuàng)新的重要平臺。

招聘對象：

國內(nèi)外高校優(yōu)秀博士研究生，年齡在35周歲以內(nèi)，須全職從事博士后研究工作。

專業(yè)領(lǐng)域：

1）寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與缺陷表征技術(shù)；

2）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件設(shè)計、先進制造工藝及器件可靠性評價；

3）超寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及工藝研究；

4）高頻高功率先進封裝技術(shù)與可靠性測試。

二、技術(shù)類崗位

▌1、工藝崗位

工藝工程經(jīng)理、光刻工藝工程師、刻蝕工藝工程師、注入工藝工程師、氧化/退火工藝工程師、淀積工藝工程師、清洗/腐蝕工藝工程師、中測工藝工程師

崗位職責：

1）基于平臺的產(chǎn)品，進行工藝調(diào)試，并策劃滿足開發(fā)產(chǎn)品所需工藝菜單；

2）實現(xiàn)工藝異常調(diào)查與處理、現(xiàn)場工藝日常維護及SPC日常監(jiān)控管理；

3）進行新工藝開發(fā)和工藝優(yōu)化，完成工藝驗證報告、開發(fā)報告、異常報告和SPC分析報告的整合與處理；

4）制定工藝規(guī)范文件，對相應(yīng)設(shè)備操作人員進行技能培訓(xùn)；

5）參與團隊的課題和項目，完成相應(yīng)的工藝開發(fā)和器件流片實驗；

6）協(xié)助團隊完成其他工作。

任職要求：

1）全日制本科及以上學(xué)歷，微電子、物理、材料、化工等相關(guān)專業(yè)；

2）行業(yè)工作經(jīng)驗2年及以上，具備功率器件行業(yè)經(jīng)驗者優(yōu)先，技能、經(jīng)驗優(yōu)秀者不限制專業(yè)；

3）了解晶圓制造工藝，有較強的統(tǒng)計和分析能力，能適應(yīng)潔凈室工作環(huán)境，能適應(yīng)團隊合作工作，工作認真勤懇、能吃苦耐勞，具有項目管理能力，強烈的學(xué)習(xí)意愿，熟練使用辦公軟件。

▌2、設(shè)備崗位

光刻/刻蝕設(shè)備工程師、減薄/劃片設(shè)備工程師、清洗設(shè)備工程師

崗位職責：

1）基于平臺的新機臺（設(shè)備）進行工藝調(diào)試，配合工藝工程師進行工藝開發(fā)；

2）設(shè)備異常調(diào)查與處理、現(xiàn)場工藝日常維護及SPC日常監(jiān)控管理；

3）持續(xù)改進設(shè)備利用率，獨立完成設(shè)備驗收報告，異常報告和SPC分析報告；

4）制定設(shè)備規(guī)范文件，對相應(yīng)設(shè)備助理工程師與操作人員進行技能培訓(xùn)；

5）參與團隊的課題和項目，為新課題項目研發(fā)提供滿足需要的設(shè)備；

6）協(xié)助團隊完成其他工作。

任職要求：

1）全日制本科及以上學(xué)歷，微電子、物理、材料、化工等相關(guān)專業(yè)；

2）行業(yè)工作經(jīng)驗2年及以上，具備功率器件行業(yè)經(jīng)驗者優(yōu)先，技能、經(jīng)驗優(yōu)秀者不限制專業(yè)；

3）了解晶圓制造設(shè)備，有較強的統(tǒng)計和分析能力，能適應(yīng)潔凈室工作環(huán)境，能帶領(lǐng)團隊合作工作，工作認真勤懇、能吃苦耐勞，具有項目管理能力，強烈的學(xué)習(xí)意愿，熟練使用辦公軟件。

▌3、廠務(wù)工程師

崗位職責：

1）基于平臺的動力新機臺（設(shè)備）進行調(diào)試，配合凈化廠房要求完成設(shè)備正常運行；

2）動力設(shè)備異常調(diào)查與處理、現(xiàn)場工藝日常維護及SPC日常監(jiān)控管理；

3）持續(xù)改進動力設(shè)備利用率，獨立完成設(shè)備驗收報告，異常報告和SPC分析報告；

4）制定動力設(shè)備規(guī)范文件，對相應(yīng)設(shè)備助理工程師與操作人員進行技能培訓(xùn)；

5）協(xié)助動力團隊負責人，配合團隊完成相關(guān)動力工作。

任職要求：

1）全日制本科及以上學(xué)歷，半導(dǎo)體、微電子、電氣工程、物理、化學(xué)或相關(guān)專業(yè)；

2）了解晶圓制造工藝，有較強的統(tǒng)計和分析能力，能適應(yīng)潔凈室工作環(huán)境，能適應(yīng)團隊合作工作，工作認真勤懇、能吃苦耐勞，具有項目管理能力，強烈的學(xué)習(xí)意愿，熟練使用辦公軟件。

▌4、IT工程師

崗位職責：

1）負責信息化系統(tǒng)維護管理，如服務(wù)器Windows系統(tǒng)、工作站Linux系統(tǒng)的管理和機房管理等；

2）參與相關(guān)系統(tǒng)的開發(fā)和維護，并依據(jù)業(yè)務(wù)發(fā)展需要，提出IT系統(tǒng)優(yōu)化方案，協(xié)調(diào)各部門支持解決；

3）負責網(wǎng)絡(luò)與信息安全體系建設(shè)，確保信息安全，如數(shù)據(jù)備份、病毒的查殺，維護網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)安全，做好系統(tǒng)安全評估與加固；

4）負責辦公設(shè)備選型、安裝調(diào)試、維護及管理，如電腦及周邊設(shè)備、辦公門禁、會議系統(tǒng)的技術(shù)支持及運維工作。

任職要求：

1）全日制本科及以上學(xué)歷，計算機及相關(guān)專業(yè)，具備基礎(chǔ)英文讀寫能力；

2）3年以上相關(guān)工作經(jīng)驗，了解ITIL工作流程和內(nèi)容，具有服務(wù)器管理、機房管理以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備配置的基本知識，比如局域網(wǎng)配置、網(wǎng)絡(luò)管理及網(wǎng)絡(luò)故障的排除；

3）熟悉Windows、Linux系統(tǒng)及相關(guān)硬件的基本知識，熟悉VPN、AC、路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的設(shè)置與管理；

4）具有半導(dǎo)體設(shè)備軟件安裝和維護經(jīng)驗、硬件設(shè)備操作系統(tǒng)使用經(jīng)驗者優(yōu)先。

三、職能類崗位

▌1、資產(chǎn)管理經(jīng)理

崗位職責：

1）協(xié)助優(yōu)化單位資產(chǎn)管理相關(guān)制度及操作規(guī)范，包括固定資產(chǎn)和無形資產(chǎn)的構(gòu)建、保管、修理、處置、報廢、核算等方面的程序和制度，為資產(chǎn)的安全性和效益性提出建議，同時編制相關(guān)宣傳資料，組織培訓(xùn)、宣導(dǎo)并推進落實，加強全員資產(chǎn)管理意識；

2）實施固定資產(chǎn)業(yè)務(wù)的全流程監(jiān)控，不斷健全資產(chǎn)管理組織架構(gòu)和考核指標，定期組織清理資產(chǎn)的不合理閑置、退庫、報廢，編制資產(chǎn)管理分析報告，查找資產(chǎn)管理問題并及時解決，同時匯報給上級；

3）組織單位資產(chǎn)年中、年尾的清查和盤點工作，健全相關(guān)資產(chǎn)臺賬，組織并監(jiān)督資產(chǎn)的入庫、驗收、造冊、變更工作，確保賬物相符，并配合內(nèi)外審計工作；

4）負責推動資產(chǎn)管理信息化建設(shè)工作；

5）審核年度資產(chǎn)采購計劃、組織落實采購任務(wù)。

任職要求：

1）全日制本科及以上學(xué)歷，理工科或財經(jīng)類相關(guān)專業(yè)；

2）具有3年以上資產(chǎn)管理經(jīng)驗，具有資產(chǎn)管理體系搭建和信息化管理經(jīng)驗者優(yōu)先；

3）熟悉財務(wù)資產(chǎn)專業(yè)知識，掌握資產(chǎn)管理必要的工具、方法；

4）品行端正，工作嚴謹，具有較強的組織、溝通和協(xié)調(diào)能力，較強的執(zhí)行力和責任感。

▌2、安全工程師

崗位職責：

1）熟悉安全、環(huán)保相關(guān)法律法規(guī)，制訂相關(guān)管理制度；編制年度安全、環(huán)保工作計劃，并組織監(jiān)督實施相關(guān)管理方案；

2）做好危險因素、環(huán)境因素的辨識、評價；負責對重要安全、重要環(huán)境崗位的設(shè)置與審核；

3）組織開展各項安全活動，協(xié)助和督促各部門執(zhí)行安全制度，檢查隱患整改工作，以符合安全、環(huán)保體系要求和事故防范要求；

4）參與新、改、擴建等項目的安全、環(huán)保、消防、職業(yè)衛(wèi)生等“三同時”審批手續(xù)；

5）會同培訓(xùn)員組織開展單位員工的各類安全、環(huán)保培訓(xùn)教育工作，落實三級安全教育；

6）負責安保經(jīng)費的控制使用、公司內(nèi)限用物質(zhì)的審批、勞防用品的選型、危害廢棄物的處理等工作；

7）了解重點區(qū)域、部位、設(shè)備，設(shè)計工藝的安全、環(huán)保設(shè)施和措施，參與處理各類事故、事件，做好相應(yīng)檔案、資料的管理；組織體系內(nèi)審、管理評審工作，提出改進意見，并跟蹤相關(guān)問題整改。

任職要求：

1）全日制本科及以上學(xué)歷，安全、化工、環(huán)境等相關(guān)專業(yè)；

2）具有3年以上相關(guān)工作經(jīng)驗，熟悉相關(guān)法律法規(guī)；

3）有注冊安全工程師（化工類）證書者優(yōu)先考慮。

薪酬及福利待遇

1、薪酬面議，整體參照國內(nèi)一流科研機構(gòu)水平及國內(nèi)一線高技術(shù)企業(yè)水平；

2、開放的高校科研、人才、項目資源，強大的自有研發(fā)平臺及創(chuàng)新載體支撐；

3、廣闊的職業(yè)發(fā)展空間和晉升通道，完善的績效獎勵機制；

4、高標準繳納五險一金（含補充商業(yè)險）；

5、雙休工作制，提供員工宿舍、帶薪年假、健康體檢等；

6、享受當?shù)卣瞬耪撸瑓f(xié)助高層次人才申報住房補貼、解決子女入學(xué)等問題。

應(yīng)聘程序

1、應(yīng)聘博士后研究人員請將個人簡歷發(fā)至huangjuanjuan@fudannb.com（黃老師），郵件主題請注明“應(yīng)聘博士后-研究方向-姓名”。

研究院將對應(yīng)聘者簡歷進行初篩，并推薦合作導(dǎo)師，對滿足申請條件與研究需要的應(yīng)聘者通知面試，面試通過后進行背調(diào)與資格審查，經(jīng)研究院最終批準后，通知應(yīng)聘者提交進站申請和正式書面材料。未通過者，不再另行通知。

聯(lián)系人：黃老師

聯(lián)系方式：0574-82350319

2、應(yīng)聘其他崗位者請將個人簡歷發(fā)至郵箱hr-rifun@fudannb.com，郵件主題請注明 “應(yīng)聘崗位-姓名”。 

我單位承諾對應(yīng)聘者提交的所有材料嚴格保密。應(yīng)聘者須對提供的所有材料的真實性負責。 

聯(lián)系人：楊老師

聯(lián)系方式：0574-82350317

 

所長寄語

           張清純

    復(fù)旦大學(xué)特聘教授

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶所所長

 

寬禁帶半導(dǎo)體即第三代半導(dǎo)體（SiC和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動通信等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心材料和電子元器件，契合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，被列為國家科技創(chuàng)新2030重大項目“重點新材料研發(fā)及應(yīng)用”重要方向之一。我國在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域有戰(zhàn)略優(yōu)勢，有機會實現(xiàn)核心技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領(lǐng)，在國際競爭中搶占先機，重塑全球新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。 

碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強、更高的熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，是第三代半導(dǎo)體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導(dǎo)體以及GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導(dǎo)體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應(yīng)用。

我的職業(yè)生涯親歷了SiC半導(dǎo)體材料從萌芽到產(chǎn)業(yè)化，見證了SiC器件從小眾到主流的整個歷程，積極參與和推動了SiC半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。技術(shù)進步?jīng)]有止境，SiC半導(dǎo)體材料和器件的不斷迭代仍需要從根本上研究解決諸如材料生長與缺陷形成機制、MOS溝道遷移率、器件及系統(tǒng)可靠性等重大基礎(chǔ)科學(xué)問題，亟需發(fā)展創(chuàng)新關(guān)鍵技術(shù)、形成自主知識產(chǎn)權(quán)，為SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展、技術(shù)升級提供有力支撐和保障。

熱忱歡迎有志于從事第三代半導(dǎo)體材料、器件、封裝與應(yīng)用的青年才俊加入研究院團隊，共同推動寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展！

（來源：復(fù)旦大學(xué)寧波研究院）