半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)將于2023年5月28-6月1日在中國香港舉辦。香港科技大學(xué)陳敬(Kevin J. Chen)教授擔(dān)任本屆大會主席（General Chair）。
ISPSD從1988年至今，已經(jīng)有30多年的歷史。30多年來，ISPSD極大的推動了全球功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的發(fā)展。
作為IEEE旗下的功率半導(dǎo)體旗艦會議，ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應(yīng)用等功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的所有方面，是功率器件領(lǐng)域最具影響力和規(guī)模最大的頂級國際學(xué)術(shù)會議，也是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國際上最重要、影響力最強的頂級學(xué)術(shù)會議，它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會議，一直以來都是國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)和全球知名學(xué)術(shù)科研機構(gòu)爭相發(fā)表和展示功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)重要成果的舞臺。
今年，香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任“第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(ISPSD 2023)”大會主席。他曾在國際期刊和會議論文集中發(fā)表500余篇論文，其中包括國際電子器件會議IEDM發(fā)表28次. 在GaN電子器件技術(shù)方面曾獲得11項美國專利授權(quán)。他所帶領(lǐng)的科研團隊目前的研究重點在于開發(fā)用于功率電子、射頻/微波及耐惡劣環(huán)境電子等方面的GaN器件及集成電路技術(shù)。
陳敬教授是IEEE Fellow，2013年陳敬教授曾擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》“GaN電子器件”特刊的特邀編委。此外，他還擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》、《IEEE微波理論與技術(shù)匯刊》及《日本應(yīng)用物理雜志》的編輯。
陳敬教授曾于2019年擔(dān)任在上海舉辦的IEEE第31屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會ISPSD2019的（Technical Program Committee，TPC）技術(shù)委員會主席，今年擔(dān)任 ISPSD 2023大會主席（General Chair）。
值得關(guān)注的是，隨著中國功率半導(dǎo)體器件及集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，ISPSD 2019會議在2019年5月20-25在上海成功召開。曾由浙江大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，由中國電機工程學(xué)會技術(shù)主辦，IEEE電氣和電子工程師協(xié)會、IEEE電子器件學(xué)會、IEEE電力電子協(xié)會、IEEE工業(yè)應(yīng)用協(xié)會和日本電氣工程師協(xié)會協(xié)辦。大會共收到論文299篇，其中oral paper的錄取率為16%。ISPSD2019由浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任大會主席（General Chair），電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任大會副主席（Vice General Chair）；香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任技術(shù)程序委員會（Technical Program Committee，TPC）主席。
ISPSD 2019是該會議自1988年發(fā)起以來首次在中國大陸舉辦，標(biāo)志著中國大陸電力電子器件的研究和產(chǎn)業(yè)水平在國際上產(chǎn)生了越來越重要的影響力，也說明中國大陸學(xué)者在電力電子領(lǐng)域扮演和承擔(dān)著重要的角色。
同時，這是ISPSD會議舉辦35年以來第三次在中國召開，第一次是2015年在香港，第二次是2019年在上海。今年ISPSD 2023選擇在中國香港舉辦，更加體現(xiàn)了中國學(xué)者在電力電子領(lǐng)域所做的努力和貢獻！
正如，大會主席陳敬教授在致辭中所言，ISPSD 2023即將來到香港，這個全球金融中心和文化大熔爐為每個人提供了一些東西。香港位于中國大灣區(qū)的中心地帶，是一座充滿活力的現(xiàn)代化城市，融合了世界文化和自然美景，為與會者提供了多種探索機會。
—— ISPSD 2023 會議議題——
ISPSD 2023會議議題分為以下六個方向：高壓功率器件（High Voltage Power Devices）、低壓功率器件（Low Voltage Devices and Power IC Device Technology）、 功率集成電路（Power IC Design）、氮化鎵與化合物材料：器件和技術(shù)（GaN and Compound Materials: Device and technology）、碳化硅與其他材料（SiC and Other Materials）、模塊與封裝工藝（Module and Package Technologies）。
在六大議題中，以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體（也就是中國大陸常說的第三代半導(dǎo)體）器件以其獨特優(yōu)勢在近年來引發(fā)了國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的關(guān)注，在材料生長、制造工藝與應(yīng)用等領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，被認(rèn)為是下一代電力電子器件和功率集成電路的重要發(fā)展方向。憑借其優(yōu)異的性能（如更高的擊穿電壓、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率和更優(yōu)異的抗輻射能力），寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件在新能源汽車、分布式并網(wǎng)、新型直流輸配電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空航天和消費類電子等諸多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景。
—— 論文入選情況 ——
據(jù)芯思想統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，ISPSD 2023共收到233篇論文，經(jīng)過技術(shù)委員會評審，共錄取104篇，包括口頭報告43篇，海報張貼61篇（有一篇取消），實際103篇。
入選的103篇論文來自12個國家的機構(gòu)，按國家入選數(shù)量統(tǒng)計排名（按第一作者所在國家統(tǒng)計），中國是入選論文數(shù)量最多的國家，口頭報告12篇，海報張貼33篇，共入選45篇論文。日本入選論文數(shù)量排名第二，美國第三，德國第四，瑞士和意大利并列第五，法國第七，奧地利和加拿大并列第八，英國、韓國、馬來西亞并列第十。
——中國入選論文情況 ——
據(jù)芯思想統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年ISPSD 2023，中國是入選論文數(shù)量最多的國家，共入選45篇論文，其中入選口頭報告12篇（內(nèi)地10篇，中國香港2篇），占比27.91%；入選海報張貼33篇（內(nèi)地27篇，中國香港3篇，中國臺灣2篇，中國澳門1篇），占比54.10%。
2023年中國共有16家機構(gòu)有論文入選ISPSD，澳門大學(xué)和西交-利物浦大學(xué)是第一次有論文入選。
電子科技大學(xué)共有15篇論文入選，功率集成技術(shù)實驗室入選（PITeL）13篇，其他2篇來自新器件研究室。電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（PITeL）以口頭報告4篇，9篇海報論文，合計13篇一作論文入選ISPSD2023，再次摘取團隊論文數(shù)量第一名！這是團隊自2017年以來，第六次（2017年、2018年、2019年、2020年、2022年、2023年）獲得一作論文錄取數(shù)第一名！功率集成技術(shù)實驗室（PITeL）的13篇論文分布在氮化鎵（GaN）專題1篇，高壓功率器件（HV）專題4篇，功率集成設(shè)計（ICD）專題2篇，低壓功率器件（LVT）專題 4篇，碳化硅（SiC）專題2篇；其中涉及氮化鎵（GaN）相關(guān)研究進展3篇。電子科技大學(xué)新器件研究室2篇海報論文的一作是程駿驥副教授。程駿驥博士在中國科學(xué)院院士、IEEE FELLOW陳星弼先生指導(dǎo)下于2012年2013年連續(xù)在ISPSD發(fā)表2篇論文。
香港科技大學(xué)入選2篇口頭報告和3篇海報論文，共計5篇入選。其中陳敬教授團隊4篇，都是氮化鎵（GaN）的相關(guān)研究進展；單建安教授團隊1篇快恢復(fù)二極管（FRD）的相關(guān)研究進展。
北京大學(xué)有1篇口頭報告和2篇海報論文，共計3篇入選，都是氮化鎵（GaN）相關(guān)論文，是集成電路學(xué)院魏進、王茂俊課題組與物理學(xué)院沈波、楊學(xué)林課題組合作的工作成果。
南方科技大學(xué)有1篇口頭報告和2篇海報論文，共計3篇入選，都是來自化夢媛課題組的氮化鎵（GaN）相關(guān)的工作成果。
中國科技大學(xué)入選2篇口頭報告，1篇是氮化鎵（GaN）相關(guān)論文，1篇是氧化鎵（Ga2O3）相關(guān)論文，都來自龍世兵、徐光偉課題組的工作成果。
南京大學(xué)入選1篇口頭報告和1篇海報論文，共計2篇入選?？陬^報告是來自陸海課題組氮化鎵（GaN）相關(guān)的工作成果，海報論文是來自葉建東課題組有關(guān)氧化鎵（Ga2O3）異質(zhì)結(jié)的工作成果。
西安電子科技大學(xué)入選1篇口頭報告和1篇海報論文，來自西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士團隊馬曉華教授、李園副教授課題組的相關(guān)工作成果，分別介紹了增強型氧化鎵（β-Ga2O3）金屬異質(zhì)結(jié)復(fù)合場效應(yīng)晶體管和熱電協(xié)同設(shè)計的氧化鎵（Ga2O3）溝槽二極管的相關(guān)研究進展。
浙江大學(xué)入選2篇海報論文，1篇是楊樹教授課題組的氮化鎵（GaN）的相關(guān)研究進展，1篇是盛況教授、任娜研究員課題組碳化硅（SiC）的相關(guān)研究進展，都來自電氣工程學(xué)院。
中國科學(xué)院微電子研究所入選2篇海報論文，都來自劉新宇團隊黃森、蔣其夢課題組有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
安徽大學(xué)入選2篇海報論文，1篇是氮化鎵（GaN）相關(guān)論文，1篇是碳化硅（SiC）相關(guān)論文，都是物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組合作的工作成果。這是安微大學(xué)繼2022年后連續(xù)第二年有論文入選。
東南大學(xué)入選2篇海報論文，都來自功率集成技術(shù)實驗室孫偉鋒教授團隊，一篇是GaN功率IC，一篇是關(guān)于SOI-BCD。
深圳大學(xué)入選1篇海報論文，來自材料學(xué)院劉新科研究員團隊有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
澳門大學(xué)入選1篇海報論文，來自澳門大學(xué)模擬與混合信號超大規(guī)模集成電路國家重點實驗室路延副教授課題組有關(guān)功率集成設(shè)計（ICD）的最新研究成果。這是澳門大學(xué)在ISPSD會議上入選的第一篇論文。
西交利物浦大學(xué)入選1篇海報論文，這是西交利物浦大學(xué)在ISPSD會議上入選的第一篇論文，來自劉雯副教授團隊有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
臺灣陽明交通大學(xué)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院入選1篇海報論文是有關(guān)氮化鎵（GaN）的最新研究成果。
臺灣清華大學(xué)入選1篇海報論文是關(guān)于碳化硅（SiC）的相關(guān)研究進展。
—— ISPSD 2023 程序委員會——
ISPSD 2023大會由香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任大會主席（General Chair）；臺積電蔡俊林（Tom J.-L Tsai）擔(dān)任技術(shù)程序委員會（Technical Program Committee，TPC）主席，浙江大學(xué)楊樹教授擔(dān)任短期課程（Short Course Chair）主席。
ISPSD 2023技術(shù)程序委員會（TPC）共有60位委員，其中華裔委員共有18位，占30%；他們分別是大會主席陳敬（香港科技大學(xué)）、TPC主席Tom Tsai（臺積電TSMC）、高壓功率器件分議題主席Fred Fu傅玥（加拿大Xiinergy Systems），其他華裔委員還有湯藝（女，斯達半導(dǎo)體）、喬明（電子科技大學(xué)）、Kuo Ming Wu（臺積電）、Xin Lin（美國NXP）、明鑫（成電）、Weijia Zhang（女，加拿大ADI）、Leon Wang（豪威）、楊樹（女，浙大）、周弘（西電）、Roy K.-Y. Wong黃敬源（英諾賽科）、Tom J.-L Tsai蔡俊林（臺積電）、Huili Grace Xing（女，美國康奈爾大學(xué)）、柏松Song Bai（中電科55所）、Chih-Fang Huang黃智方（臺灣清華大學(xué)）、Cheng-Tyng Yen顏誠廷（即思創(chuàng)意FSS）、Wei-Chung Lo駱韋仲（臺灣工研院ITRI）、Yang Xu（特斯拉），其中喬明、Xin Lin、Leon Wang、周弘、黃敬源、顏誠延是本次新增委員。
—— 參會報名——
賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士：13681329411，zhangww@casmita.com
張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com
備注：根據(jù)ISPSD 2023官方公布信息、芯思想等公開信息整理，一切以會議現(xiàn)場為準(zhǔn)。
ISPSD2023-Short-Course-bio-abstract-20230411.pdf
ISPSD2023-Short-Course-Schedule-20230412.pdf
