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2023 先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月在上海舉辦

日期:2023-06-07 閱讀:680
核心提示:2023 先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月20-21日在上海舉辦

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 2023 先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇

7月20日-21日

上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)

“雙碳”戰(zhàn)略帶來的新能源增量需求,以及國產(chǎn)替代的需求,也會為國內(nèi)市場帶來巨大增長空間,在新能源汽車、智能電網(wǎng)、消費電子、信息通訊、軌道交通、光伏、風(fēng)電、工控等領(lǐng)域的持續(xù)滲透,為我國打開了巨大的市場。隨著近年逐步開始商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化,功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)迎來了新的發(fā)展賽道,并逐步形成與行業(yè)應(yīng)用緊密相關(guān)的新發(fā)展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用。

為推動IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會、勵展博覽集團等單位,將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會)期間,在上海世博展覽館舉辦“2023 先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇”。隨著新材料技術(shù)的不斷突破和在各個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產(chǎn)品、一代產(chǎn)業(yè)”。屆時我們將邀請到產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)專家代表,聚焦前沿技術(shù)進步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用,暢談產(chǎn)業(yè)鏈之間的協(xié)同創(chuàng)新與合作,攜手向前,共享共贏。

主辦單位:

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會

勵展博覽集團

承辦單位:

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

報告議題(擬):

國產(chǎn)IGBT技術(shù)進展及市場現(xiàn)狀

碳化硅肖特基二級管技術(shù)

IGBT模塊封裝技術(shù)

助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案

高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調(diào)整

雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

IGBT的真空焊接技術(shù)

超高壓碳化硅功率器件

碳化硅離子注入技術(shù)

第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測試方法和實現(xiàn)

IGBT芯片設(shè)計

車規(guī)級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢

基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng)

SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計

車規(guī)級氮化鎵功率器件技術(shù)

用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù)

IGBT模塊散熱及可靠性研究

碳化硅芯片設(shè)計

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