GaN 異質(zhì)襯底外延生長(zhǎng)方法

由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過(guò)幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌耐庋由L(zhǎng)方法在Si襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的外延生長(zhǎng)GaN基材料。GaN材料的生長(zhǎng)是在高溫下，通過(guò)TMGa分解出的Ga與NH3的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，生長(zhǎng)GaN需要一定的生長(zhǎng)溫度，且需要一定的NH3分壓。

當(dāng)前GaN的外延生長(zhǎng)方法有：氫化物外延生長(zhǎng)法（HVPE）]、分子束外延（MBE）和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD），其特點(diǎn)如下表2-1所示。

1.1 金屬有機(jī)物氣相沉積法（MOCVD）

MOCVD（金屬有機(jī)物氣相沉積法）是在氣相外延生長(zhǎng)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。在采用MOCVD法制備GaN單晶的傳統(tǒng)工藝中，通常以三甲基鎵作為鎵源，氨氣作為氮源，以Si作為襯底，并用氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w作為載氣，將反應(yīng)物載入反應(yīng)腔內(nèi)，加熱到一定溫度下使其發(fā)生反應(yīng)，能夠在襯底上生成GaN的分子團(tuán)，在襯底表面上吸附、成核、生長(zhǎng)，最終形成一層GaN單晶薄膜。采用MOCVD法制備的產(chǎn)量大，生長(zhǎng)周期短，適合用于大批量生產(chǎn)，但生長(zhǎng)完畢后需要進(jìn)行退火處理，最后得到的薄膜可能會(huì)存在裂紋，會(huì)影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

1.2 分子束外延法（MBE）

用MBE法（分子束外延法）制備GaN與MOCVD法類(lèi)似，主要的區(qū)別在于鎵源的不同。MBE法的鎵源通常采用Ga的分子束，NH3作為氮源，制備方法與MOCVD法相似，也是在襯底表面反應(yīng)生成GaN。用該方法可以在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)GaN的生長(zhǎng)，一般為700 ℃左右。較低的溫度可以有效減少反應(yīng)設(shè)備中NH3的揮發(fā)程度，但低溫使得分子束與NH3的反應(yīng)速率減小。較小的反應(yīng)速率可以在制備過(guò)程中對(duì)生成GaN 膜的厚度進(jìn)行精確控制，有利于對(duì)該工藝中的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行深入研究，但對(duì)于外延層較厚的膜來(lái)說(shuō)反應(yīng)時(shí)間會(huì)比較長(zhǎng)，在生產(chǎn)中發(fā)揮的效率欠佳，因此該方法只能用于一次制備少量的GaN薄膜，尚不能用于大規(guī)模生產(chǎn)。

1.3 氫化物氣相外延法（HVPE）

HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)出GaN晶體。用此方法生成的GaN晶體質(zhì)量比較好，且在較高的溫度下生長(zhǎng)速度快，但高溫反應(yīng)對(duì)生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)成本和技術(shù)要求都比較高。

采用以上傳統(tǒng)方法制備GaN薄膜，對(duì)其質(zhì)量好壞的主要影響因素是Si與薄膜晶格的相配程度。欲制備無(wú)缺陷的薄膜，首先要滿(mǎn)足兩者之間盡量小的晶格失配度；其次，兩者的線膨脹系數(shù)也要相近。

表1-1 GaN外延生長(zhǎng)方法的優(yōu)缺點(diǎn)

經(jīng)過(guò)分析了不同的GaN外延生長(zhǎng)方法，雖然分子束外延技術(shù)可以在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)GaN的生長(zhǎng)，其生長(zhǎng)反應(yīng)過(guò)程簡(jiǎn)單，可以實(shí)時(shí)監(jiān)控生長(zhǎng)表面的結(jié)構(gòu)、成分和膜厚，生長(zhǎng)溫度低，均勻性較好，但是由于這種方法的生長(zhǎng)速率較慢，可以精確地控制膜厚，不能滿(mǎn)足大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的要求，而且當(dāng)采用等離子體輔助方式時(shí)，容易造成高能離子對(duì)于薄膜的損傷。而金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法的生長(zhǎng)速率適中，可以比較精確地控制膜厚，特別適合于工業(yè)化生產(chǎn)GaN基外延材料，這種方法目前已經(jīng)成為使用最多、外延生長(zhǎng)材料和器件質(zhì)量最高的方法。

異質(zhì)外延生長(zhǎng)的基本模式

一般來(lái)講，異質(zhì)外延有三種生長(zhǎng)模式：Frank-van der Merwe 生長(zhǎng)模式（層狀生長(zhǎng)模式）、Volmer-Weber生長(zhǎng)模式（島狀生長(zhǎng)模式）和Stranski-Krastanow生長(zhǎng)模式（先層狀生長(zhǎng)再島狀生長(zhǎng)）[30-32]，這三種生長(zhǎng)模式如圖4-1所示。

2.1 Frank-van der Merwe 生長(zhǎng)模式

層-層生長(zhǎng)模式一般發(fā)生于晶格常數(shù)比較匹配，晶格失配較小，襯底與外延層之間的鍵能較高的兩種異質(zhì)材料之間。當(dāng)外延層材料的的表面自由能σf與界面能σi之和遠(yuǎn)小于襯底材料的表面自由能σs時(shí)，襯底材料將非常強(qiáng)烈地趨于完全覆蓋襯底表面（即層-層生長(zhǎng)模式），也就是外延層與襯底浸潤(rùn)，因?yàn)榇松L(zhǎng)模式會(huì)使整個(gè)體系的總表面自由能降低。于是沉積物質(zhì)會(huì)先在襯底表面二維成核再擴(kuò)展成層，然后在一層生長(zhǎng)結(jié)束后再進(jìn)行下一層的生長(zhǎng)，如此按逐層生長(zhǎng)的模式進(jìn)行。

2.2 Volmer-Weber 生長(zhǎng)模式

當(dāng)σs<σf+σi時(shí)，外延層與襯底表面不能形成浸潤(rùn)層，為了使表面能降低以使外延層材料的表面面積最小化，外延層材料會(huì)在襯底表面形成許多三維小島。隨著外延層材料沉積的繼續(xù)進(jìn)行，這些眾多的小島逐漸長(zhǎng)大形成柱狀島，并彼此匯聚，最終形成表面粗糙的薄膜。在島狀結(jié)構(gòu)中會(huì)有釋放應(yīng)變產(chǎn)生的失配位錯(cuò)，島與島之間存在著小角度的取向差別，在彼此匯聚時(shí)會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)密度很高的邊界層。

2.3 Stranski-Krastanow生長(zhǎng)模式

當(dāng)外延層材料的表面自由能σf與界面能σi之和略大于或者略小于襯底材料表面自由能σS時(shí)，外延生長(zhǎng)會(huì)大大依賴(lài)于襯底與外延層之間的晶格匹配情況。GaN在藍(lán)寶石襯底上的異質(zhì)外延生長(zhǎng)就屬于此種情況。一開(kāi)始生長(zhǎng)時(shí)外延層材料與襯底浸潤(rùn)，先形成幾個(gè)原子層厚度的浸潤(rùn)層。隨著沉積的進(jìn)行，應(yīng)變逐漸積累，最后會(huì)通過(guò)形成三維島的形式來(lái)釋放應(yīng)力。由于應(yīng)變能不是通過(guò)形成位錯(cuò)來(lái)釋放的，所以小島中不含有位錯(cuò)。

(來(lái)源：半導(dǎo)體信息)