隨著現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展,新型功率半導體器件——IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)正逐步成為工業(yè)應用的主流。作為一種半導體器件,IGBT具有高性能、高壓抗性、低損耗等優(yōu)點,在能源、工業(yè)、軍事等領(lǐng)域都有廣泛的應用。本篇文章將從多個角度對IGBT的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀進行分析,并探討其未來的發(fā)展趨勢。
一、市場概況
1.1、全球IGBT市場規(guī)模及預測
根據(jù)最新市場研究報告,2020年全球IGBT市場規(guī)模達到了380億美元,預計到2027年將達到630億美元。IGBT的應用領(lǐng)域也不斷拓展,從傳統(tǒng)的能源管理、電動汽車、電力工業(yè)擴展至新興領(lǐng)域,如太陽能、風能、軌道交通等。
1.2、中國IGBT市場現(xiàn)狀
目前,中國是全球最大的IGBT市場,也是IGBT生產(chǎn)的重要基地之一。2019年,中國的IGBT市場規(guī)模達到了145億元人民幣,其中成都、上海、武漢等地都有大型IGBT生產(chǎn)廠家。
二、主要應用領(lǐng)域
2.1、電力領(lǐng)域
電力領(lǐng)域是IGBT的主要應用領(lǐng)域之一。IGBT的高壓開關(guān)功率控制功能,可以有效地在電力系統(tǒng)中控制電流和電壓,使得電力傳輸過程更加高效、穩(wěn)定和可靠。因此,在電力輸配、軌道交通等領(lǐng)域中,IGBT的應用非常廣泛。
2.2、新能源領(lǐng)域
隨著全球?qū)π履茉吹年P(guān)注度越來越高,IGBT作為新一代能源轉(zhuǎn)換器件,在太陽能、風能等新能源領(lǐng)域的應用越來越廣泛。
2.3、電力電子領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域,IGBT的應用范圍更加廣泛,IGBT可以用于變頻器、UPS、逆變器等電力電子設(shè)備中,以提高電能的質(zhì)量和電力設(shè)備的效率。
三、IGBT產(chǎn)業(yè)鏈分析
3.1、上游元器件市場
IGBT制造必須依賴于一系列的上游元器件?,F(xiàn)階段上游供應商主要集中在日本、歐洲等發(fā)達國家和地區(qū),其中包括銅箔、背電極、金屬保護層等。
3.2、核心制造商市場
目前,全球IGBT核心制造商主要集中在德國、日本和美國等國家和地區(qū),其中包括英飛凌、日立、富士電機等公司。同時,中國IGBT的核心制造商也在不斷發(fā)展中。
3.3、下游用戶市場
IGBT的應用領(lǐng)域非常廣泛,其下游市場包括電力、新能源、工業(yè)等多個行業(yè)。其中,中國的新能源市場快速發(fā)展,更是給IGBT產(chǎn)業(yè)帶來了巨大的市場空間和發(fā)展機遇。
四、未來發(fā)展趨勢
4.1、產(chǎn)品高端化
隨著IGBT市場逐漸成熟,產(chǎn)品的高端化趨勢也日漸明顯,未來IGBT市場將向高性能、高集成度、高功率密度等方向發(fā)展。
4.2、新型IGBT技術(shù)
近年來,IGBT的新型技術(shù)不斷涌現(xiàn)。例如,SiC 和 GaN 等新型功率半導體材料的出現(xiàn),有望使IGBT具有更高的性能和更低的損失,加速其在新興領(lǐng)域的市場拓展。
4.3、對生態(tài)環(huán)境的影響
IGBT在新能源、環(huán)保等領(lǐng)域的應用越來越廣泛,未來IGBT行業(yè)將更加注重生態(tài)環(huán)境的保護和可持續(xù)發(fā)展。
綜上所述,IGBT作為一種關(guān)鍵性的功率半導體器件,在不同的領(lǐng)域都有廣泛的應用。以電力、新能源、工業(yè)等領(lǐng)域為例,IGBT都可以幫助實現(xiàn)升級和提高設(shè)備效率。未來,隨著IGBT技術(shù)的不斷發(fā)展和市場的不斷擴大,IGBT產(chǎn)業(yè)將會迎來更加廣闊的市場前景,其中包括新型高性能IGBT產(chǎn)品,以及良好的生態(tài)環(huán)境和可持續(xù)發(fā)展。
2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術(shù)與應用論壇
7月20日-21日
上海世博展覽館·NEPCON論壇區(qū)
“雙碳”戰(zhàn)略帶來的新能源增量需求,以及國產(chǎn)替代的需求,也會為國內(nèi)市場帶來巨大增長空間,在新能源汽車、智能電網(wǎng)、消費電子、信息通訊、軌道交通、光伏、風電、工控等領(lǐng)域的持續(xù)滲透,為我國打開了巨大的市場。隨著近年逐步開始商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化,功率半導體行業(yè)已經(jīng)迎來了新的發(fā)展賽道,并逐步形成與行業(yè)應用緊密相關(guān)的新發(fā)展趨勢。尤其是IGBT及第三代半導體功率器件技術(shù)與應用。
為推動IGBT及第三代半導體功率電子技術(shù)與應用,半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)合中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會、勵展博覽集團等單位,將定于7月20-21日在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會)期間,在上海世博展覽館舉辦“2023 先進IGBT及第三代半導體功率電子技術(shù)與應用論壇”。隨著新材料技術(shù)的不斷突破和在各個領(lǐng)域的廣泛應用,形成了“一代材料、一代工藝、一代裝備、一代產(chǎn)品、一代產(chǎn)業(yè)”。屆時我們將邀請到產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)專家代表,聚焦前沿技術(shù)進步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應用,暢談產(chǎn)業(yè)鏈之間的協(xié)同創(chuàng)新與合作,攜手向前,共享共贏。
主辦單位:
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)
中國國際貿(mào)易促進委員會電子信息行業(yè)分會
勵展博覽集團
承辦單位:
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
報告議題(擬):
國產(chǎn)IGBT技術(shù)進展及市場現(xiàn)狀 |
碳化硅肖特基二級管技術(shù) |
IGBT模塊封裝技術(shù) |
助力集成商打造半導體行業(yè)智能物流解決方案 |
高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調(diào)整 |
單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝中的應用 |
第三代半導體功率器件封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn) |
IGBT的真空焊接技術(shù) |
超高壓碳化硅功率器件 |
碳化硅離子注入技術(shù) |
第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現(xiàn) |
IGBT芯片設(shè)計 |
車規(guī)級IGBT 與 碳化硅IGBT 技術(shù)趨勢 |
基于SiC功率芯片的高功率密度電驅(qū)系統(tǒng) |
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計 |
車規(guī)級氮化鎵功率器件技術(shù) |
用于功率器的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
IGBT模塊散熱及可靠性研究 |
碳化硅芯片設(shè)計 |
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