據(jù)悉，7月6日，瑞薩電子宣布與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應協(xié)議。瑞薩電子將交付20億美元定金以確保Wolfspeed碳化硅裸晶圓和外延片的10年供應承諾。Wolfspeed高品質碳化硅晶圓的供應，為瑞薩電子將于2025年開始的碳化硅功率半導體規(guī)模化生產鋪平道路。

 

根據(jù)協(xié)議，Wolfspeed自2025年向瑞薩電子供應規(guī)?；a的150mm碳化硅裸晶圓和外延片。在Wolfspeed位于美國北卡羅來納州的JohnPalmour碳化硅制造中心（TheJohnPalmourManufacturingCenterforSiliconCarbide,The“JP”）實現(xiàn)全面運營之后，也將向瑞薩電子供應200mm碳化硅裸晶圓和外延片。

 

此外，瑞薩電子通過擴大自身制造產能，快速應對不斷增長的功率半導體需求。瑞薩電子先前宣布了重新恢復甲府工廠用于生產 IGBT，并在高崎工廠建設碳化硅生產線。

 

瑞薩電子總裁兼CEO柴田英利表示，與Wolfspeed的晶圓供應協(xié)議，將為瑞薩電子帶來一個穩(wěn)定且長期的高品質碳化硅晶圓供應基礎。

 

據(jù)介紹，瑞薩電子20億美元定金將幫助支持Wolfspeed正在進行中的產能建設計劃，包括了位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的全球最大碳化硅材料工廠JohnPalmour碳化硅制造中心（TheJohnPalmourManufacturingCenterforSiliconCarbide,The“JP”）。

 

這座采用領先前沿技術、投資數(shù)十億美元的工廠，計劃實現(xiàn)在現(xiàn)有Wolfspeed北卡羅來納州達勒姆園區(qū)碳化硅制造產能基礎上的10倍以上的產能提升。這座工廠將主要生產200mm碳化硅晶圓。200mm碳化硅晶圓比150mm碳化硅晶圓大1.7倍，這也就意味著每片晶圓可以制成更多數(shù)量的芯片，從而最終降低器件成本。

 

瑞薩電子表示，相比于傳統(tǒng)硅基功率半導體，碳化硅器件可以實現(xiàn)更高能源效率、更高功率密度和更低系統(tǒng)成本。在日益注重能源的當今世界，碳化硅在電動汽車（EV）、可再生能源與儲能、充電基礎設施、工業(yè)電源、牽引與變速驅動等眾多高體量應用中的采用正在變得更為廣泛。

 

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動汽車與再生能源設備系統(tǒng)效率。隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。

 

TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元。主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產值可達39.8億美元、CAGR約38%；再生能源達4.1億美元、CAGR約19%。