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CASICON西安站前瞻|中鎵半導(dǎo)體將參加2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇

日期:2023-07-07 閱讀:561
核心提示:2023年7月26-28日,2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇將于西安召開。 中鎵半導(dǎo)體作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵(GaN)襯

西安

2023年7月26-28日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”將于西安召開。 中鎵半導(dǎo)體作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵(GaN)襯底材料的企業(yè)將受邀參與論壇,并分享主題報告。

氮化鎵材料具有高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)異性能,滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻和高功率器件性能的要求。而以氮化鎵(GaN)為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料,其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào),是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。

基于氮化鎵異質(zhì)外延制備的HEMT器件和LED器件已廣泛應(yīng)用于3C消費電子、照明和顯示面板等領(lǐng)域。氮化鎵單晶襯底材料制備工藝復(fù)雜,成本偏高,晶圓尺寸偏小,基于氮化鎵單晶襯底的氮化鎵垂直功率器件經(jīng)過多年發(fā)展已在商業(yè)推廣階段,而基于氮化鎵同質(zhì)外延的氮化鎵藍(lán)綠光激光器也在近兩年開始逐漸國產(chǎn)化。中鎵半導(dǎo)體針對氮化鎵同質(zhì)外延的功率器件和光電器件的應(yīng)用需求開展了針對低錯密度和大尺寸氮化鎵單晶襯底的研發(fā)工作,并期望助力下游應(yīng)用客戶一同開展新型氮化鎵同質(zhì)外延光功率/光電器件的研發(fā)。

屆時,東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)處處長劉強(qiáng)博士將出席并分享《面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展》主題報告,敬請期待!

劉強(qiáng)

劉強(qiáng)博士畢業(yè)于名古屋大學(xué)電子工學(xué)系,自2013年以來連續(xù)10年從事氮化鎵材料與器件的研發(fā)工作,研發(fā)內(nèi)容涵蓋氮化鎵單晶襯底制備與表征分析、氮化鎵電子器件和微波射頻器件的設(shè)計、制造和測試等方面,積累了大量科研成果與產(chǎn)業(yè)實踐經(jīng)驗。劉強(qiáng)博士獲得“博士后國際交流計劃”引進(jìn)項目獎勵,參與國家重點專項“基于氣相法的大尺寸氮化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開發(fā)”等項目,參加國內(nèi)外學(xué)術(shù)與技術(shù)會議10余次,發(fā)表多篇高質(zhì)量論文,并獲得多項發(fā)明專利。

CASICON 2023·西安站論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.jycsgw.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織籌辦。論壇將圍繞光電子器件與功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、測試評價及應(yīng)用等主題,邀請產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高??蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討,追蹤最新技術(shù)進(jìn)展,分享前沿研究成果,攜手促進(jìn)國內(nèi)功率與光電半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展。

附:論壇信息

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:

西安交通大學(xué)

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.jycsgw.cn)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

協(xié)辦支持:

西安電子科技大學(xué)

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會

全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團(tuán)

名譽(yù)主席:侯  洵

大會主席:云  峰

副主席:張進(jìn)成  李世瑋 楊銀堂

程序委員會:

康俊勇、楊旭、王軍喜、劉斌、陳鵬、寧靜、許晟瑞、王瑋、郭輝、潘堯波、丁國華、李哲洋、王東、李強(qiáng)、黃森、馬淑芳、康香寧、趙璐冰

主題方向

·碳化硅功率器件設(shè)計與制造

·氮化鎵功率器件設(shè)計與制造

·超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)

·超高壓器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新及先進(jìn)制造工藝

·高頻驅(qū)動芯片技術(shù)

·功率模塊熱管理與可靠性

·基于寬禁帶器件的高頻大功率模組技術(shù)

·800V電驅(qū)/電控系統(tǒng)技術(shù)進(jìn)展與功率電子應(yīng)用

·車用功率半導(dǎo)體及模塊可靠性要求及認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

·基于寬禁帶半導(dǎo)體的新能源及儲能應(yīng)用

·光電子器件技術(shù)新發(fā)展、新動向

·紫外LED發(fā)光及探測技術(shù)

·VCSEL 器件設(shè)計及應(yīng)用

·半導(dǎo)體激光器技術(shù)

·…………

會議日程

時間:2023年7月26-28日

地點:西安斯瑞特國際酒店

議程:(具體報告陸續(xù)更新中)

 日程概覽

擬參與單位:

西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、中興通訊、中電化合物、瀚強(qiáng)科技、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、長電科技、中電科十三所、中電科五十五所、茂睿芯、昂瑞微、華杰智通、ULVAC、承芯半導(dǎo)體、順絡(luò)電子、唯捷創(chuàng)芯、中芯聚源、旭創(chuàng)科技、海信集團(tuán)、北京大學(xué),廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、烽火通信、南京大學(xué)、中科院微電子所、光訊科技、亨通光電、長飛光纖、華為、海思、高意半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、昂納信息、芯聚能、中電科四十六所、陜西科技大學(xué)、西安郵電大學(xué)、德科立、芯思杰、浙江大學(xué)、三環(huán)集團(tuán)、仕佳光子、肖特科技、奇芯光電、中鎵半導(dǎo)體、日立、蘇州晶湛、源杰半導(dǎo)體、匯信特、百識電子、云南鍺業(yè)、三安集成、敏芯半導(dǎo)體、上海陽安、永鼎股份、億源通、飛博康、盈峰光通信、迅特通信、意法半導(dǎo)體、中博芯、中國信通院、西安理工大學(xué)……擬邀嘉賓/報告人

活動參與:

注冊費2600元,7月15日前注冊報名2300元(含會議資料袋,7月26日歡迎晚宴+27日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預(yù)定中,請具體請咨詢。

報告及論文發(fā)表聯(lián)系:

賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com 

參會及商務(wù)合作:

賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com

張女士   13681329411 zhangww@casmita.com

 

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