以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物半導(dǎo)體為代表的第三代半導(dǎo)體材料已引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)。中國作為全球最大市場已啟動(dòng)（新型電力系統(tǒng)、高鐵、新能源汽車、5G/6G通信、半導(dǎo)體照明及超越照明、工業(yè)電機(jī)及消費(fèi)電子市場），應(yīng)用需求驅(qū)動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新。未來，第三代半導(dǎo)體技術(shù)將向著更加高性能、低功耗、可靠性更強(qiáng)、生產(chǎn)成本更低廉等方向發(fā)展。隨著近年逐步開始商業(yè)化和產(chǎn)業(yè)化，功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)迎來了新的發(fā)展賽道，并逐步形成與行業(yè)應(yīng)用緊密相關(guān)的新發(fā)展趨勢(shì)。尤其是IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用。

2023年7月20-21日，2023先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇在上海世博展覽館舉行。論壇由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、勵(lì)展博覽集團(tuán)聯(lián)合主辦。

勵(lì)展博覽集團(tuán)大中華區(qū)首席運(yùn)營官李雅儀，清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司首席科學(xué)家、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長雷光寅，中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、副主任設(shè)計(jì)師李赟，快克智能裝備股份有限公司市場總監(jiān)沈懿俊，上海芯鈥量子科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)理曹雅婧，上海陸芯電子科技有限公司市場技術(shù)總監(jiān)曾祥幼，上海仙工智能科技有限公司于承東，北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理劉國敬，河北工業(yè)大學(xué)教授、天津賽米卡爾科技有限公司董事長張紫輝，無錫芯鑒半導(dǎo)體技術(shù)有限公司總經(jīng)理閆大為，中車半導(dǎo)體副總工程師劉國友，中科院上海微系統(tǒng)所研究員歐欣，蘇州寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司中國區(qū)總監(jiān)田天成，江蘇宏微科技股份有限公司市場經(jīng)理苗碩等產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)領(lǐng)袖、專家代表，聚焦前沿技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，暢談產(chǎn)業(yè)鏈之間的協(xié)同創(chuàng)新與合作。南京大學(xué)教授謝自力與上海芯鈥量子科技有限公司首席技術(shù)官盛陽共同主持論壇主題報(bào)告環(huán)節(jié)。

勵(lì)展博覽集團(tuán)大中華區(qū)首席運(yùn)營官李雅儀為論壇致辭

勵(lì)展博覽集團(tuán)大中華區(qū)首席運(yùn)營官李雅儀為論壇致辭時(shí)表示，當(dāng)前，隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、5G/6G等通信技術(shù)不斷進(jìn)步，以及人工智能、自動(dòng)駕駛等需求提升，功率半導(dǎo)體在新能源汽車，智能網(wǎng)聯(lián)，消費(fèi)電子等領(lǐng)域持續(xù)滲透，前景廣闊。IGBT技術(shù)是功率電子器件的核心之一，在能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域扮演著重要角色。論壇關(guān)注IGBT等最新技術(shù)趨勢(shì)與應(yīng)用，希望大家積極參與論壇，分享交流觀念，探索更多應(yīng)用發(fā)展空間。

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟應(yīng)推委副主任、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司副總經(jīng)理涂長峰致辭

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟應(yīng)推委副主任、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司副總經(jīng)理涂長峰致辭時(shí)表示，當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展是全球焦點(diǎn)，隨著技術(shù)的不斷成熟和商業(yè)化，發(fā)展前景廣闊。論壇致力于搭建起良好的溝通平臺(tái)，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也希望業(yè)界同仁們互通交流，有更多收獲同時(shí)拓展更多的可能性。

南京大學(xué)教授謝自力致辭

南京大學(xué)教授謝自力為論壇致辭時(shí)表示，第三代半導(dǎo)體在未來高科技產(chǎn)業(yè)和經(jīng)濟(jì)發(fā)展中發(fā)揮關(guān)鍵作用，具有戰(zhàn)略意義。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也需要全行業(yè)的共同努力，以聯(lián)盟為代表的行業(yè)組織發(fā)揮著推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的作用，也希望在業(yè)界的努力下，產(chǎn)業(yè)有更大發(fā)展。

清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司首席科學(xué)家、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長雷光寅

《碳化硅功率器件現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》

當(dāng)前，功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場蓬勃發(fā)展中。其中，碳化硅功率器件具有高溫、高電壓和高頻率操作能力，已經(jīng)商業(yè)化并應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車、太陽能逆變器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器等。它們具有優(yōu)異的功率密度、高溫操作能力和低開關(guān)損耗等特點(diǎn)，使其在高功率應(yīng)用中具有競爭優(yōu)勢(shì)。清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司首席科學(xué)家、復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長雷光寅做了“碳化硅功率器件現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了先進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及進(jìn)展，國內(nèi)碳化硅功率器件發(fā)展現(xiàn)狀及展望。報(bào)告指出，隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對(duì)系統(tǒng)效率的不斷追求，碳化硅功率半導(dǎo)體市場將迎來前所未有的增速；國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于完整，在材料、制造、設(shè)計(jì)等方面與國際領(lǐng)先水平的差距正在迅速縮??；國內(nèi)最新一代的碳化硅功率器件在性能與可靠性方面完全符合車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，有望實(shí)現(xiàn)主驅(qū)應(yīng)用的突破。

中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所，副主任設(shè)計(jì)師李赟

《適用于萬伏級(jí)IGBT器件研制的4H-SiC外延材料生長技術(shù)》

在萬伏級(jí)IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）器件的研制中，使用4H-SiC（碳化硅）外延材料是一種常見的選擇。中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所，副主任設(shè)計(jì)師李赟做了“適用于萬伏級(jí)IGBT器件研制的4H-SiC外延材料生長技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了4H-SiC高速外延關(guān)鍵技術(shù)，以及萬伏級(jí)4H-SiCn溝道IGBT研制驗(yàn)證。報(bào)告指出，SiC IGBT器件低比導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)明顯，在高壓領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)得到初步展示，亟待聯(lián)合攻關(guān)實(shí)現(xiàn)工程應(yīng)用；SiC IGBT單只芯片的電流有待進(jìn)一步提高，為實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，高質(zhì)量SiC 外延材料是關(guān)鍵，需要單晶與外延協(xié)同攻關(guān)。對(duì)外延缺陷控制的研究重心將從直接導(dǎo)致器件失效的表面形貌缺陷轉(zhuǎn)化為導(dǎo)致器件可靠性退化的體缺陷。

快克智能裝備股份有限公司市場總監(jiān)沈懿俊

《SiC封裝銀燒結(jié)工藝及IGBT功率模塊封裝成套解決方案》

SiC封裝銀燒結(jié)工藝是用于碳化硅功率模塊封裝的關(guān)鍵工藝。它主要用于實(shí)現(xiàn)碳化硅芯片和散熱基板之間的電氣連接和熱傳導(dǎo)?？炜酥悄苎b備股份有限公司市場總監(jiān)沈懿俊 做了“SiC封裝銀燒結(jié)工藝及IGBT功率模塊封裝成套解決方案”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了IGBT模塊封裝工藝&設(shè)備，半導(dǎo)體功率模塊自動(dòng)化生產(chǎn)線、在線銀燒結(jié)工藝設(shè)備、離線式銀燒結(jié)設(shè)備、納米銀燒結(jié)等內(nèi)容，并結(jié)合當(dāng)前應(yīng)用中的難題痛點(diǎn)，分享了功率半導(dǎo)體封裝自動(dòng)化產(chǎn)線解決方案。

上海芯鈥量子科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)理曹雅婧

《基于SinoTCAD軟件的功率半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用》

功率半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)在設(shè)計(jì)、優(yōu)化和分析功率半導(dǎo)體器件中發(fā)揮著重要的作用。有助于設(shè)計(jì)驗(yàn)證、特性分析、參數(shù)優(yōu)化、熱管理、可靠性評(píng)估和壽命預(yù)測(cè)等方面。它可以減少試錯(cuò)成本、加快產(chǎn)品開發(fā)周期，并幫助實(shí)現(xiàn)更高性能、可靠性和效率的功率半導(dǎo)體器件。上海芯鈥量子科技有限公司高級(jí)產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)理曹雅婧做了題為“基于SinoTCAD軟件的功率半導(dǎo)體器件仿真技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用”的主題報(bào)告，詳細(xì)分享了仿真在器件研發(fā)中的作用，一些關(guān)鍵物理方程、模型，仿真軟件的工作流程，并剖析部分典型案例。報(bào)告指出，功率器件數(shù)值仿真的難點(diǎn)和挑戰(zhàn)涉及網(wǎng)絡(luò)精細(xì)化控制、模型合理應(yīng)用、SiC及GaN化合物半導(dǎo)體材料參數(shù)的準(zhǔn)確性，收斂性，以及2D/3D結(jié)構(gòu)仿真速度需要提升。

上海陸芯電子科技有限公司市場技術(shù)總監(jiān)曾祥幼

《基于先進(jìn)IGBT的可靠性及FA研究》

可靠性及FA研究對(duì)于提高器件產(chǎn)品可靠性、優(yōu)化設(shè)計(jì)和制造流程、降低成本、提高效率以及推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展，保證器件在各種應(yīng)用領(lǐng)域中的穩(wěn)定工作具有至關(guān)重要的作用。上海陸芯電子科技有限公司市場技術(shù)總監(jiān)曾祥幼做了題為“基于先進(jìn)IGBT的可靠性及FA研究”的主題報(bào)告，分享了 IGBT可靠性測(cè)試條件、IGBT故障模式與機(jī)理 、IGBT壽命預(yù)測(cè)與壽命模型等內(nèi)容，并分析了典型失效案例。

上海仙工智能科技有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理于承東

《助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案》

對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)而言，智能物流解決方案可以提高供應(yīng)鏈的可管理性和效率，降低成本，提高交付準(zhǔn)時(shí)性和可靠性，并提供更好的安全和風(fēng)險(xiǎn)管理控制。上海仙工智能科技有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理于承東做了題為“助力集成商打造半導(dǎo)體行業(yè)智能物流解決方案”的主題報(bào)告，報(bào)告詳細(xì)分析了當(dāng)前半導(dǎo)體晶圓搬運(yùn)痛點(diǎn)、半導(dǎo)體封測(cè)痛點(diǎn)，半導(dǎo)體倉儲(chǔ)環(huán)節(jié)痛點(diǎn)，以及半導(dǎo)體行業(yè)工序間不匹配、效率低等課題，并結(jié)合具體案例，分享了高效實(shí)用且有針對(duì)性的解決方案。

北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理劉國敬

《IGBT及三代半器件減薄工藝解決方案》

IGBT和第三代半導(dǎo)體器件的減薄工藝是一種常用的技術(shù)，在提高功率密度、散熱性能、性能和效率，以及實(shí)現(xiàn)器件集成和微型化等方面發(fā)揮著重要的作用。對(duì)于滿足高功率應(yīng)用需求、提高能源利用效率和推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理劉國敬做了題為“IGBT及三代半器件減薄工藝解決方案”的主題報(bào)告，分享了多種減薄工藝、IGBT硅基減薄設(shè)備應(yīng)用、SiC材料及器件加工工藝及設(shè)備應(yīng)用，并結(jié)合SiC襯底制程的關(guān)鍵技術(shù)，具體介紹了多種相關(guān)減薄工藝解決方案與設(shè)備。

河北工業(yè)大學(xué)教授、天津賽米卡爾科技有限公司董事長張紫輝

《GaN和SiC功率電子器件數(shù)理建模與分析》

GaN和SiC功率電子器件的數(shù)理建模對(duì)于設(shè)計(jì)和優(yōu)化、系統(tǒng)級(jí)仿真、溫度分析和熱管理、可靠性評(píng)估，以及降低開發(fā)成本和時(shí)間發(fā)揮著重要作用。河北工業(yè)大學(xué)教授、天津賽米卡爾科技有限公司董事長張紫輝做了題為“GaN和SiC功率電子器件數(shù)理建模與分析”的主題報(bào)告，報(bào)告介紹了溝槽型GaN SBD的建模與器件物理、GaN基準(zhǔn)垂直SBD的建模與制造、陷阱對(duì)GaN基SBD和MIS結(jié)構(gòu)SBD的影響，以及其他類型電力設(shè)備的建模等方面技術(shù)研究進(jìn)展與成果。

無錫芯鑒半導(dǎo)體技術(shù)有限公司總經(jīng)理閆大為

《面向碳化硅及氮化鎵功率器件的EMMI測(cè)試技術(shù)》

EMMI測(cè)試技術(shù)在碳化硅和氮化鎵功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)和故障分析中發(fā)揮著重要作用，有助于改進(jìn)器件設(shè)計(jì)、優(yōu)化制造過程，并提高器件的可靠性和性能。無錫芯鑒半導(dǎo)體技術(shù)有限公司總經(jīng)理閆大為做了題為“面向碳化硅及氮化鎵功率器件的EMMI測(cè)試技術(shù)”的主題報(bào)告，器件失效是指其功能完全或部分喪失，參數(shù)漂移退化，或間歇性出現(xiàn)以上情況，失效模式是產(chǎn)品失效的外在表現(xiàn)，有開路、短路、時(shí)開時(shí)斷、功能異常、參數(shù)漂移等，器件失效涉及到結(jié)構(gòu)性失效、熱失效、電失效、腐蝕性失效等，失效分析的目的是揭示失效的原因，反饋到涉及和制造端，最終解決問題。報(bào)告詳細(xì)介紹了器件失效與EMMI，EMMI的工作原理等技術(shù)內(nèi)容，并分享了具體的應(yīng)用案例，涉及GaN HEMT的結(jié)溫分布，GaN HEMT柵極漏電流的退化過程等。

中車半導(dǎo)體副總工程師劉國友

《國產(chǎn)IGBT技術(shù)進(jìn)展及市場現(xiàn)狀》

IGBT技術(shù)經(jīng)過多年的發(fā)展和研究，在設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用方面取得了顯著的進(jìn)展。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新，國產(chǎn)IGBT技術(shù)有望在更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中發(fā)揮更重要的作用。中車半導(dǎo)體副總工程師劉國友做了“國產(chǎn)IGBT技術(shù)進(jìn)展及市場現(xiàn)狀”的主題報(bào)告，報(bào)告分享了國內(nèi)IGBT發(fā)展?fàn)顩r，車規(guī)IGBT技術(shù)發(fā)展，以及從硅基到化合物襯底技術(shù)挑戰(zhàn)等內(nèi)容，報(bào)告介紹了國內(nèi)面向軌道交通、輸配電高壓應(yīng)用的高壓IGBT技術(shù)，以及基于全銅工藝的高性能IGBT等技術(shù)的最新研究進(jìn)展。其中，面向柔性直流輸電和新能源并網(wǎng)應(yīng)用的超大功率壓接型IGBT技術(shù)首創(chuàng)世界最大容量方形陶瓷封裝技術(shù)，首創(chuàng)的子模組壓接型結(jié)構(gòu)，雙面散熱，均壓均流特性優(yōu)良。車規(guī)級(jí)IGBT技術(shù)進(jìn)展涉及低損耗芯片與高效散熱封裝，薄片工藝，基于低溫緩沖層的背面技術(shù)RET精細(xì)溝槽柵IGBT。報(bào)告指出，從硅基到化合物襯底技術(shù)上還面臨著技術(shù)成熟度、工藝效率等方面的挑戰(zhàn)器件結(jié)構(gòu)決定性能，性能適用場景，功率半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)相輔相成，兩者產(chǎn)業(yè)生態(tài)會(huì)長期共同。

中科院上海微系統(tǒng)所博士后伊艾倫

《“萬能離子刀”技術(shù)的碳化硅異質(zhì)集成薄膜材料與器件研究》

碳化硅異質(zhì)集成薄膜材料與器件在諸多領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景，其技術(shù)不斷發(fā)展和創(chuàng)新將進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅材料的應(yīng)用拓展，并為各種領(lǐng)域的高性能電子器件提供更加先進(jìn)和多功能的解決方案。中科院上海微系統(tǒng)所博士后伊艾倫做了題為“萬能離子刀”技術(shù)的碳化硅異質(zhì)集成薄膜材料與器件研究”的主題報(bào)告，后摩爾時(shí)代，異質(zhì)集成技術(shù)備受關(guān)注。報(bào)告詳細(xì)分享了從SiCOI材料制備與表征，光量子光器件，MEMS技術(shù)研究與應(yīng)用的最新進(jìn)展與成果，涉及熱失配抑制與工藝、薄膜質(zhì)量修復(fù)機(jī)理與工藝，4H-SiCOI量子光學(xué)、基于SiCOI的熱流傳感器研究等內(nèi)容。其中，對(duì)于集成光電子芯片，報(bào)告指出發(fā)展的主要方向是多功能材料平臺(tái)與CMOS兼容。SiC具有全面的光電特性，是面向集成光電芯片的理想材料。其研究團(tuán)隊(duì)未來3-5年將重點(diǎn)發(fā)展6、8英寸SiC復(fù)合襯底材料制備技術(shù)并通過器件驗(yàn)證，進(jìn)一步推動(dòng)中試/小批量生產(chǎn)。

蘇州寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司中國區(qū)總監(jiān)田天成

《先進(jìn)燒結(jié)技術(shù)在第三代半導(dǎo)體功率模塊中的應(yīng)用》

先進(jìn)燒結(jié)技術(shù)在第三代半導(dǎo)體功率模塊中的應(yīng)用為實(shí)現(xiàn)高性能、高可靠性的器件提供了關(guān)鍵的制造方法和工藝支持。蘇州寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司中國區(qū)總監(jiān)田天成做了題為“先進(jìn)燒結(jié)技術(shù)在第三代半導(dǎo)體功率模塊中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了功率模塊封裝的發(fā)展趨勢(shì)，深入分析了有壓銀燒結(jié)影響因素，并結(jié)合具體的案例介紹了有效的有壓銀燒結(jié)解決方案與應(yīng)用等內(nèi)容。功率芯片尺寸越來越小，功率密度，結(jié)溫越來越高；對(duì)器件的熱管理以及熱可靠性要求越來越高。報(bào)告認(rèn)為，以銀、銅為代表的金屬微納米顆粒燒結(jié)技術(shù)必將批量取代傳統(tǒng)鉛錫焊技術(shù)。金屬微納米顆粒低溫?zé)Y(jié)技術(shù)將成Sic功率器件封裝的核心工藝技術(shù)之一。高效率、多通道散熱設(shè)計(jì)是未來大功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)。高粘性、高Tg溫度樹脂材料應(yīng)用與需求將更為廣泛。有壓銀燒結(jié)有諸多影響因素，壓力是影響銀燒結(jié)品質(zhì)的主要因素，如何提供準(zhǔn)確，穩(wěn)定的燒結(jié)壓力是車規(guī)級(jí)功率模塊散熱以及可靠性關(guān)鍵。

江蘇宏微科技股份有限公司市場經(jīng)理苗碩

《新型功率器件技術(shù)進(jìn)展及其在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用》

新型功率器件技術(shù)不斷推動(dòng)功率電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和發(fā)展，為高效能、高性能和高可靠性的電力系統(tǒng)提供了新的解決方案。江蘇宏微科技股份有限公司市場經(jīng)理苗碩做了題為”新型功率器件技術(shù)進(jìn)展及其在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用“的主題報(bào)告，新一代功率器件是助力新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展的核心器件，報(bào)告結(jié)合當(dāng)前市場趨勢(shì)，分享了新一代功率芯片技術(shù)、新一代功率模塊技術(shù)發(fā)展，并分享了宏微科技在車規(guī)IGBT模塊、標(biāo)準(zhǔn)主驅(qū)模塊等產(chǎn)品的最新進(jìn)展。報(bào)告指出，隨著新能源汽車的快速滲透，車規(guī)功率器件獲得爆發(fā)式的增長，短期內(nèi)Si基IGBT扮演著主角，雖然其功率密度已接近理論極限，但新結(jié)構(gòu)和新封裝的引入升級(jí)仍推動(dòng)著車規(guī)IGBT市場規(guī)模的擴(kuò)大；SiC器件在Inverter、OBC場景獲得加快導(dǎo)入的勢(shì)頭，成本和長期可靠性持續(xù)優(yōu)化。定制車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體可以最大化發(fā)揮系統(tǒng)綜合優(yōu)勢(shì)，有效支撐電控和整車大規(guī)模正向開發(fā)規(guī)劃。

本次論壇在NEPCON China 2023 電子展(第三十一屆國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì))期間同期舉辦，展會(huì)匯聚600個(gè)企業(yè)及品牌展示PCBA全球首發(fā)新品，包括表面貼裝（SMT）、智能工廠及自動(dòng)化技術(shù)、點(diǎn)膠噴涂、測(cè)試測(cè)量、半導(dǎo)體封測(cè)、電子制造服務(wù)（EMS)，元器件等展區(qū)。論壇與展會(huì)優(yōu)勢(shì)力量攜手，共享共贏，匯集產(chǎn)業(yè)資源，共同助力加速產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新發(fā)展。