近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，西安電子科技大學微電子學院博士研究生王逸飛帶來“基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究”的主題報告，超寬禁帶半導體氧化鎵因其高擊穿場強、穩(wěn)定性好和具有天然的日盲帶隙等特點近年來受到廣泛關(guān)注，然而在實際應用中仍面臨一些問題，例如有效的p型氧化鎵半導體獲得以及基于氧化鎵的日盲紫外光電探測器對紫外光的響應不足。

報告分享了氧化鎵材料性能調(diào)控和氧化鎵日盲探測器方面的研究進展。報告指出，缺電子元素與N元素共摻雜方法將受主能級位置有效降低，實現(xiàn)了p型氧化鎵；過渡金屬摻雜調(diào)控氧化鎵，揭示過渡金屬元素摻雜氧化鎵形成能和引入缺陷能級規(guī)律的同時，還首次發(fā)現(xiàn)I_B和II_B族金屬將會引入AX中心，是阻礙p型氧化鎵的獲得的新原因；低維氧化鎵材料的性質(zhì)，包括電學性質(zhì)、光學性質(zhì)、力學性質(zhì)和熱學性質(zhì)等，并對其進行單軸應變、外加電場以及雜質(zhì)原子鈍化等方法調(diào)控，為未來高性能低維氧化鎵基器件的制備提供理論指導；首次提出采用有機聚合物調(diào)控氧化鎵光電探測器，其響應度增加36 %，提升了對日盲紫外光的響應特性；探究不同In組分摻雜的影響，實現(xiàn)高遷移率（μ_sat= 3.63 cm²/V·s）、低亞閾值擺幅（SS= 1.38 V/decade）的氧化鎵薄膜晶體管，進一步獲得對日盲紫外光高響應特性的光電探測器；構(gòu)建In₂O₃/IGO異質(zhì)結(jié)晶體管，獲得更高載流子遷移率（μ_sat= 10.22 cm²/V·s）的異質(zhì)結(jié)晶體管，為未來光電探測應用提供器件基礎(chǔ)；氧化鎵與不同二維材料體系的界面特性，豐富氧化鎵界面理論的同時為制備高性能氧化鎵/二維材料基光電探測器提供理論指導。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”由【極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容，搭建更好的交流平臺，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）