近日，TCL華星宣布與日本半導(dǎo)體能源研究所( Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,“SEL”）簽署專利許可協(xié)議，獲得SEL在半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域的專利許可，其中還包括結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體技術(shù)。同時，雙方同意撤回在全球各地的訴訟，結(jié)束雙方自2021年以來在多個國家的專利訴訟與爭議。

據(jù)IPRdaily報道，SEL于2021年開始陸續(xù)在日本、美國和德國對TCL華星或其客戶發(fā)起專利侵權(quán)訴訟。此后TCL華星積極應(yīng)訴，并采取了提起反訴、專利無效等法律手段有效應(yīng)對。據(jù)悉，SEL長期專注于半導(dǎo)體和顯示技術(shù)的前沿探索，在氧化物半導(dǎo)體等重要領(lǐng)域積累了豐富的研發(fā)成果。

（來源：集微網(wǎng)）