據(jù)電子時報報道，三星電子及其國內(nèi)晶圓代工廠同行DB Hitek（東部高科）和Key Foundry（啟方半導(dǎo)體）將從德國Aixtron（愛思強）采購金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備，以進軍GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）芯片制造服務(wù)市場。

ZDNet Korea日前援引業(yè)內(nèi)人士消息稱，愛思強CEO Felix Grawert于今年7月中旬低調(diào)訪問韓國，并與三大代工廠舉行會議，討論設(shè)備供應(yīng)協(xié)議相關(guān)事宜。三者均計劃進軍GaN和SiC代工市場。其中，消息人士透露，三星已決定購買Aixtron最新的MOCVD設(shè)備，用于加工GaN和SiC晶圓，投資規(guī)模預(yù)計至少達到7000億-8000億韓元（5.4億-6.2億美元）。

MOCVD設(shè)備是生產(chǎn)GaN芯片的核心設(shè)備之一。目前，只有少數(shù)公司在技術(shù)上有能力生產(chǎn)此類設(shè)備，其中愛思強是最大的供應(yīng)商，占據(jù)全球市場75%的份額，其次是美國Veeco（維易科），份額為10%-15%。與傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體相比，GaN具有更高的耐高溫和耐電壓能力以及更高的能源效率。預(yù)計未來IT、通信和汽車應(yīng)用領(lǐng)域的GaN需求將快速增長。

業(yè)內(nèi)人士表示，三星、DB Hitek和Key Foundry預(yù)計在2025年至2026年將8英寸GaN代工服務(wù)商業(yè)化。他們現(xiàn)在正處于研究和樣品生產(chǎn)階段，只需要少量設(shè)備。然而，他們必須根據(jù)未來的量產(chǎn)計劃進行大量的設(shè)備投資。業(yè)內(nèi)人士指出，2023年初，三星投資約1000億-2000億韓元購買8英寸GaN和SiC制造設(shè)備，但僅GaN生產(chǎn)的總投資預(yù)計將達到1萬億韓元的規(guī)模。

目前，GaN和SiC代工廠嚴(yán)重依賴愛思強設(shè)備的支持。盡管MOCVD機臺單價高達200億韓元，但韓國半導(dǎo)體代工廠仍在積極進行該領(lǐng)域的投資。