9月2日），蘇州工業(yè)園區(qū)在桑田科學(xué)島舉辦國(guó)家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）總部大樓開工儀式。

江蘇省委常委、蘇州市委書記曹路寶，江蘇省副省長(zhǎng)方偉，中國(guó)工程院院士、國(guó)家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心名譽(yù)主任詹啟敏，蘇州市委副書記、市長(zhǎng)吳慶文，江蘇省科技廳副廳長(zhǎng)蔣洪，蘇州市委常委、園區(qū)黨工委書記沈覓，蘇州市副市長(zhǎng)張橋，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）副主任徐科，蘇州市政府秘書長(zhǎng)俞愉等領(lǐng)導(dǎo)出席本次儀式。

▲曹路寶、方偉、吳慶文、蔣洪、沈覓、張橋、詹啟敏、徐科、俞愉

共同為奠基石培土

桑田科學(xué)島定位為一基地、兩中心、三示范。“一基地”指的是科技創(chuàng)新策源基地 ；“兩中心”指的是國(guó)家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心 、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心 （蘇州）總部；“三示范”指的是產(chǎn)學(xué)研融合發(fā)展示范區(qū)、產(chǎn)業(yè)制度創(chuàng)新示范區(qū)、國(guó)際科技創(chuàng)新合作示范區(qū)。

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）作為兩中心之一，總部位于整個(gè)桑田科學(xué)島的核心區(qū)域，將致力于打造核心產(chǎn)業(yè)展示區(qū)，未來(lái)創(chuàng)新中心示范標(biāo)桿。蘇州工業(yè)園區(qū)精心繪制產(chǎn)業(yè)藍(lán)圖，廣泛集聚資源要素，著力優(yōu)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)，積極構(gòu)建創(chuàng)新平臺(tái)，力爭(zhēng)建成國(guó)內(nèi)一流，世界領(lǐng)先的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，打造國(guó)家先進(jìn)納米創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)集群。

國(guó)創(chuàng)中心于2021年3月由科技部批復(fù)建設(shè)，由蘇州第三代半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)創(chuàng)中心（事業(yè)單位）抓總統(tǒng)籌，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院主體承建，蘇州納米科技發(fā)展有限公司保障載體建設(shè)開發(fā)。目前由中國(guó)科學(xué)院院士郝躍擔(dān)任中心主任，截至目前，已承擔(dān)上級(jí)研發(fā)項(xiàng)目10項(xiàng)，完成4款電路芯片設(shè)計(jì)，在氮化鎵單晶、氮化鎵外延片等方面取得重要突破，部分指標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先，累計(jì)申請(qǐng)專利260多件；組建省人才攻關(guān)聯(lián)合體，集聚以院士為引領(lǐng)的40多位高層次領(lǐng)軍人才，核心團(tuán)隊(duì)規(guī)模近300人；在全國(guó)范圍設(shè)立23個(gè)聯(lián)合研發(fā)中心，組織成立國(guó)產(chǎn)化裝備聯(lián)盟，與廈門大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)等共建人才實(shí)訓(xùn)基地；建設(shè)材料生長(zhǎng)創(chuàng)新平臺(tái)、測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)平臺(tái)，累計(jì)服務(wù)客戶250多家，完成微波封裝測(cè)試中試線一期建設(shè)；設(shè)立3億元產(chǎn)業(yè)基金，已為5個(gè)優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目提供資金保障。

▲吳慶文在開工儀式上致辭，代表市委市政府向國(guó)創(chuàng)中心總部的開工表示祝賀，向各界給予蘇州經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的大力支持表示感謝。他說(shuō)，近年來(lái)，蘇州深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快建設(shè)成為一座創(chuàng)新資源密集、創(chuàng)新活力迸發(fā)、創(chuàng)新生態(tài)一流的城市。技術(shù)創(chuàng)新中心是創(chuàng)新資源的集中承載地，是科技創(chuàng)新的戰(zhàn)略力量。蘇州工業(yè)園區(qū)和市有關(guān)部門要深入學(xué)習(xí)貫徹習(xí)近平總書記“建設(shè)開放創(chuàng)新的世界一流高科技園區(qū)”的重要指示精神，全力為國(guó)創(chuàng)中心建設(shè)發(fā)展提供有力保障、創(chuàng)造最優(yōu)條件。希望國(guó)創(chuàng)中心緊扣國(guó)家目標(biāo)和重大戰(zhàn)略需求，進(jìn)一步強(qiáng)化組織運(yùn)行、推進(jìn)協(xié)同創(chuàng)新，吸引集聚更多高水平項(xiàng)目和人才，形成更多原創(chuàng)性、突破性的高價(jià)值成果。熱忱歡迎廣大專家學(xué)者、社會(huì)各界與我們開展更深層次合作，共同把國(guó)創(chuàng)中心打造成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際一流的創(chuàng)新平臺(tái)，更好發(fā)揮國(guó)家戰(zhàn)略科技力量的引領(lǐng)示范作用。

▲國(guó)創(chuàng)中心總部效果圖

國(guó)創(chuàng)中心總部項(xiàng)目總用地面積為51482.84平方米，建筑面積20.9萬(wàn)平方米，建筑高度為99.95米，包含1#科研塔樓（19F）、2#科研裙樓（8F）、3#產(chǎn)業(yè)化基地（8F）、4#商業(yè)樓（4F），計(jì)劃于2026年8月竣工交付。建筑包含科研孵化、潔凈實(shí)驗(yàn)室、配套輔助設(shè)施用房，涵蓋材料生長(zhǎng)創(chuàng)新、器件工藝與封裝測(cè)試、器件模塊與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)、測(cè)試分析與服務(wù)評(píng)價(jià)等，涉及長(zhǎng)晶、切磨拋、外延、器件、封裝、測(cè)試、模塊等第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈。

國(guó)創(chuàng)中心將建設(shè)四大平臺(tái)

（一）材料生長(zhǎng)創(chuàng)新平臺(tái)

▲MOCVD生長(zhǎng)的基本過(guò)程

材料生長(zhǎng)過(guò)程對(duì)材料的晶體質(zhì)量以及后續(xù)器件的性能具有決定性影響。材料生長(zhǎng)創(chuàng)新平臺(tái)著眼于研發(fā)高質(zhì)量外延產(chǎn)品及提高外延技術(shù)，并為廣大客戶提供外延片相關(guān)服務(wù)?；诟咝阅躆OCVD設(shè)備，已成功研發(fā)出包括2-8英寸藍(lán)寶石襯底上GaN模板、2-6英寸藍(lán)寶石襯底上Micro-LED外延片、2-4英寸GaN單晶襯底上Micro-LED外延片、2-6英寸SiC&Si襯底上GaN HEMT外延片等多款產(chǎn)品，可用于新型顯示、5G通信、電力電子、環(huán)境與健康等多個(gè)領(lǐng)域。目前，材料生長(zhǎng)平臺(tái)已擁有完善的設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，可生產(chǎn)研發(fā)一系列應(yīng)用于高端電力電子器件及光電器件的外延產(chǎn)品。

（二）測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)公共服務(wù)平臺(tái)

▲測(cè)試平臺(tái)的檢測(cè)分析技術(shù)及能力

測(cè)試分析與服役評(píng)價(jià)公共服務(wù)平臺(tái)是江蘇第三代半導(dǎo)體研究院與中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究院共建的大型公共服務(wù)平臺(tái)，在支撐研究院相關(guān)研發(fā)任務(wù)及合作項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，為國(guó)內(nèi)企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供專業(yè)高效的測(cè)試分析服務(wù)。

平臺(tái)由一支近30人的經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)團(tuán)隊(duì)來(lái)運(yùn)營(yíng)，包括11位高級(jí)職稱專家，12位博士和博士后，以及15位擁有十年以上經(jīng)驗(yàn)的一線骨干。測(cè)試范圍包括半導(dǎo)體材料、光電子和微電子材料、LED器件、LD器件、HEMT器件等；具備針對(duì)特定材料和器件進(jìn)行綜合檢測(cè)和分析的能力。目前已經(jīng)具有“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)、江蘇省納米測(cè)試分析創(chuàng)新服務(wù)中心、江蘇省納米測(cè)試分析中心、江蘇省納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合創(chuàng)新服務(wù)中心等檢測(cè)資質(zhì)。

（三）器件工藝與封裝平臺(tái)

▲GaN器件制備的工藝流程

GaN器件的制作工藝主要包括：歐姆接觸、MESA刻蝕、表面鈍化、柵槽刻蝕、柵極金屬蒸發(fā)、二次鈍化、互連開孔、互連金屬蒸發(fā)、空氣橋橋墩光刻、空氣橋金屬蒸鍍、背孔刻蝕和背金蒸鍍等。圖3演示了器件制作的整個(gè)工藝流程。

器件工藝與封裝平臺(tái)面向第三代半導(dǎo)體先進(jìn)工藝，獨(dú)立建設(shè)90nm節(jié)點(diǎn)的完整工藝線，建成集光、機(jī)、電器件工藝能力于一體的綜合工藝平臺(tái)，全面支撐光電子工藝、微電子工藝、光電集成工藝、光機(jī)電集成工藝，突破國(guó)際領(lǐng)先的器件工藝技術(shù)。

（四）模塊設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用平臺(tái)

▲實(shí)現(xiàn)GaN器件模塊集成的工藝過(guò)程

具有2DEG的GaN器件是耗盡型的，而要實(shí)現(xiàn)高可靠性的電力電子系統(tǒng)，要求器件為增強(qiáng)型，因此需要將耗盡型的GaN HEMT器件與增強(qiáng)型的Si MOSFET器件集成在一起。圖4顯示了這種模塊集成的具體工藝過(guò)程。

模塊設(shè)計(jì)與集成應(yīng)用平臺(tái)基于自主可控的材料和器件，開發(fā)新型光電子和微電子芯片封裝工藝、探索開發(fā)集成工藝，傳統(tǒng)工藝借鑒與新型工藝開發(fā)相結(jié)合，搭建模塊設(shè)計(jì)開發(fā)、集成應(yīng)用平臺(tái)，以市場(chǎng)為牽引，聯(lián)合龍頭企業(yè)共建，探索支撐未來(lái)智能時(shí)代的半導(dǎo)體綜合平臺(tái)。

未來(lái)，國(guó)創(chuàng)中心將進(jìn)一步瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，圍繞第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)家重大戰(zhàn)略任務(wù)部署，開展關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，健全以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)創(chuàng)新體系，構(gòu)建共建共享、開放協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)，推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化與產(chǎn)業(yè)化，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術(shù)供給，提升我國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)能力和產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化水平。

來(lái)源：蘇州日?qǐng)?bào) 、蘇州納米城