日本東京農工大學與日本酸素控股株式會社合作，共同開發(fā)出新一代功率半導體“氧化鎵”的低成本制法。該方法利用氣體供應原料，在基板上制造晶體，可以減少設備的維護頻率，也可以降低運營成本。日本酸素控股表示，正在準備新型設備的商用化，客戶有需求即可供貨。

這種制造氧化鎵的新方法屬于“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內充滿氣體狀原料，可以在基板上制造出氧化鎵的晶體。目前現(xiàn)有的制法是“氫化物氣相外延（HVPE）法”，化學氣相沉積新制法可以制成此前實現(xiàn)不了的高頻器件。

據(jù)了解，氧化鎵是耐壓性超過“碳化硅”和“氮化鎵”的功率半導體材料，可以降低電力轉換時的能源損失。有望用于純電動汽車（EV）、白色家電及光伏發(fā)電等廣泛用途。目前已有數(shù)家企業(yè)實現(xiàn)實用化，富士經濟的調查顯示，市場規(guī)模到2030年將達到470億日元。

東京農工大等團隊通過MOCVD方法，將氧化鎵晶體的生長速度提高至每小時約16微米，達到原來的約16倍。東京農工大學教授熊谷義直表示：“這是與氫化物氣相外延法并列的水平”。氧化鎵晶體除了可以用于制造功率元件，還可以制造“高電子遷移率晶體管（HEMT）”，適用于通信設備的高頻信號。而此前利用傳統(tǒng)的氫化物氣相外延法，難以與高電子遷移率晶體管所需的鋁進行混晶。

（來源：集微網(wǎng)）