碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體具有諸多優(yōu)勢，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機節(jié)能、電動汽車、智能電網(wǎng)、航天航空、石油勘探、自動化、雷達與通信等領(lǐng)域有很大應用潛力。隨著碳化硅電力電子器件技術(shù)的進步及產(chǎn)業(yè)化，將在高壓電力系統(tǒng)等領(lǐng)域開辟全新應用，迎來新的發(fā)展機遇。

第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設(shè)有七大主題技術(shù)分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應用進展。

目前，作為IFWS的重要分會之一的“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會“日程出爐，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進材料股份有限公司、 清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。分會上，來自北卡羅來納州立大學、日本大阪大學、西安交通大學、浙江大學、復旦大學、山東大學、湖南大學、廈門大學、天津工業(yè)大學、桂林電子科技大學、中國電子科技集團第五十五所、湖北九峰山實驗室、、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、北京智慧能源研究院懷柔實驗室、三安光電、上海瞻芯電子、德國賀利氏電子、北方華創(chuàng)、華為數(shù)字能源、博睿光電等國內(nèi)外實力派科研院所及企業(yè)代表性力量齊聚，共同探討碳化功率器件及其封裝技術(shù)前沿發(fā)展趨勢及最新動向。

分會日程詳情如下

技術(shù)分論壇：碳化功率器件及其封裝技術(shù) Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Power Electronics Devices and Packaging
時間：2023年11月29日13:30-17:30、11月30日08:30-12:00 地點：廈門國際會議中心酒店 • 白鷺廳 Time: Nov 29, 13:30-17:30 & Nov 29th, 08:25-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導體 San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司  NAURA Technology Group Co., Ltd.  賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司    T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.  九峰山實驗室  JFS Laboratory 德國愛思強股份有限公司  AIXTRON 河北普興電子科技股份有限公司  HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD. 江蘇博睿光電股份有限公司  Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc 上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd. 清純半導體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
主持人 Moderator	盛況 / SHENG Kuang 浙江大學電氣工程學院院長、教授 Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon ZHANG 復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授 Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University
13:25-13:30	嘉賓致辭/VIP Address
13:30-13:55	SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level Victor Valiads--Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學教授 Victor Veliadis--Executive Director & CTO, PowerAmerica Professor of North Carolina State University
13:55-14:15	提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑 Surface Optimization Approaches for Improving the Reliability of SiC MOS Devices 王德君--大連理工大學教授 Wang Dejun--Professor of Dalian University of Technology
14:15-14:35	產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能 How vertical integration empower the SiC power device foundry? 葉念慈--三安半導體技術(shù)總監(jiān)  Nien-Tze Yeh--Director of Technology Development ,Sanan Semiconductor
14:35-14:55	碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案 SiC Power Conversion Solutions in xEV 曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理   CAO JUN--Vice President of InventChip Technology Co., Ltd.
14:55-15:10	750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究 Research of Cell Topology on Characteristics of 750V SiC MOSFETs 黃潤華--中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設(shè)計師 HUANG Runhua--Nanjing elctronics institute
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進展 Progress of micron-sized Ag sinter joining technology in SiC power modules 陳傳彤--日本大阪大學副教授 Chuantong CHEN--Associate professor of Osaka University, Japan
15:45-16:05	碳化硅功率半導體多芯片封裝技術(shù)Packaging Technology for Multichip SiC Devices 王來利 西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授 WANG Laili  Professor of Xi'an Jiaotong University
16:05-16:25	先進燒結(jié)解決方案 Advanced Sinter Solutions from Heraeus Electronics 董 侃--德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理 Derek DONG--Power Electronics Market Manager of Heraeus Electronics
16:25-16:45	新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進展 Progress on the Research of next Generation Silicon Carbide Trench Power device 袁俊—湖北九峰山實驗室功率器件負責人 YUAN Jun--Head of Power Device of Hubei Jiufengshan Laboratory
16:45-17:05	面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案 Equipment and Process Solutions for SiC Power Devices 張軼銘--北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 ZHANG Yiming --R&D Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.
17:05-17:20	具有分離保護溝槽柵的超低導通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術(shù) Ultra-Low On-Resistance SiC LDMOS With Separated-Protected Trench Gates and Trench RESURF Technology 張鑾喜--浙江大學 Zhang Jianxi--Zhejiang University
17:20-17:35	1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復The Degradation and Recovery of 1200-V SiC MOSFET with Different Total Ionizing Doses 張園覽--復旦大學 ZHANG Yuanlan--Fudan University
17:35-17:50	總電離劑量輻射對1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩(wěn)定性的影響Total Ionizing Dose Radiation Effect on Avalanche Robustness of 1200V Trench-type SiC power MOSFETs 陳家祺--湖南大學 CHEN Jiaqi--Hunan University
17:50-18:05	一種新型短超結(jié)碳化硅絕緣柵雙極晶體管A Novel Silicon Carbide Insulated Gate Bipolar Transistor with Short Super Junction 張國良--廈門大學 ZHANG Guoliang--Xiamen University
30日 / Nov 30
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導體 San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司  NAURA Technology Group Co., Ltd.  賽邁科先進材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司    T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.  九峰山實驗室  JFS Laboratory 德國愛思強股份有限公司  AIXTRON 河北普興電子科技股份有限公司  HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD. 江蘇博睿光電股份有限公司  Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc 上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd. 清純半導體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
主持人 Moderator	盛況 / SHENG Kuang 浙江大學電氣工程學院院長、教授 Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang University 張清純 / Jon ZHANG 復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授 Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University 王德君/WAND Dejun 大連理工大學教授 Professor of Dalian University of Technology
08:25-08:30	嘉賓致辭/VIP Address
08:30-08:50	新型溝槽SiC基MOSFET器件研究 Research on Novel SiC trench MOSFETs 張峰--廈門大學教授 ZHANG Feng--Professor of Xiamen University
08:50-09:10	一種用于SiC功率器件的高效復合結(jié)終端 A High Efficiency Composite Junction Termination for SiC Power Devices 金銳--北京智慧能源研究院懷柔實驗室功率半導體部負責人 JIN Rui-- Head of Power Semiconductor Department, Beijing Institute of Smart Energy, Huairou Laboratory
09:10-09:30	4H-SiC高質(zhì)量柵氧氮化退火研究 Study of high-quality gate oxidation on 4H-SiC by nitride annealing 徐明升--山東大學教授 XU Mingsheng—Professor of Shandong University
09:30-09:45	一種用于SiC功率MOSFET的自調(diào)整消隱時間短路保護電路 A Self-Adjustable Blanking Time Short Circuit Protection Circuit for SiC Power MOSFETs 劉天天--中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 LIU Tiantian--Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
09:50-10:05	1200V平面SiC MOSFET短路魯棒性的結(jié)構(gòu)分析Structure Analysis on the Short-circuit Robustness for 1200V Planar SiC MOSFETs   常一飛  復旦大學 CHANG Yifei  Fudan university
10:05-10:20	茶歇 / Coffee Break
10:20-10:40	TBD 徐菊  華為數(shù)字能源電子裝聯(lián)Lab主任 XU Ju  Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.
10:40-11:00	SiC功率器件板級封裝的熱和熱-機械可靠性協(xié)同設(shè)計 Thermal and Thermal-Mechanical Oriented Reliability Co-design of SiC Power Device Panel-level Packaging 樊嘉杰--復旦大學青年研究員 Jiajie FAN--Youth Researcher of Fudan University
11:00-11:20	面向功率器件封裝的高性能AlN陶瓷材料研究 Development of high performance AlN ceramic for multiply appliation 梁超--江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理 LIANG Chao-- Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
11:20-11:40	基于納米銀焊膏的碳化硅器件高散熱封裝互連方法研究 Development nano-silver paste for high heat dissipation packaging of SiC devices 張博雯 天津工業(yè)大學副教授 ZHANG Bowen  Associate Professor of Tiangong University
11:40:11:55	基于頻域阻抗分析的碳化硅及氮化鎵功率器件失效檢測方法研究 Research on Failure Detection Method for SiC and GaN Power Devices based on Frequency Domain Impedance Analysis 贠明輝--桂林電子科技大學   YUN Minghui--Guilin University of Electronic Technology
	午休

  （備注：本場會議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場為準?。?/span>  

部分嘉賓

盛況

浙江大學電氣工程學院院長、教授

盛況，浙江大學電氣工程學院院長、教授。長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應用研究，包括芯片設(shè)計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領(lǐng)域中的應用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團隊。?團隊承擔了電力電子器件及應用領(lǐng)域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發(fā)計劃項目及課題、自然科學基金委杰出青年基金、自然科學基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結(jié)SiC肖特基二極管設(shè)計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質(zhì)因子FOM達國際前列）SiC超級結(jié)二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅(qū)動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯(lián)模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發(fā)了高壓大容量硅基IGBT芯片等。團隊也和國內(nèi)外著名企業(yè)開展合作推進成果的產(chǎn)業(yè)化，合作企業(yè)包括國家電網(wǎng)、中車、中電集團、華為、華潤微電子、臺達、德國英飛凌、美國福特等公司，實現(xiàn)了碳化硅和硅基電力電子芯片的產(chǎn)業(yè)化。

張清純

復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授

張清純，復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授。長期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)Ｖ蛔鳛榈谝缓秃献靼l(fā)明人，擁有75多項美國專利；多次擔任ISPSD技術(shù)委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術(shù)路線圖研討會聯(lián)合主席等。研究方向：半導體物理與器件；寬帶半導體器件物理、工藝、測試、產(chǎn)業(yè)化及應用；器件模擬及仿真；電力系統(tǒng)。

Victor Valiads

Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學教授

Victor Valiads，Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學教授。美國電力是美國能源部寬禁帶電力電子公私合營制造機構(gòu)。Veliadis博士管理著超過3000萬美元每年的預算，他戰(zhàn)略性地分配了超過35個工業(yè)、大學和國家實驗室項目，以使美國在寬禁帶電力電子制造，勞動力發(fā)展，創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)約能源方面處于領(lǐng)先地位。Victor VELIADIS博士在2016年被任命為Power America的副執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官之前，Veliadis博士在半導體行業(yè)工作了21年，他的工作內(nèi)容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半導體閘流管、JBS、肖特基二極管、和1-12 kV范圍內(nèi)的PiN二極管的設(shè)計、制造和測試。

陳傳彤

日本大阪大學副教授

陳傳彤，日本大阪大學副教授。研究興趣包括無鉛焊接、Ag燒結(jié)連接、納米連接、3D封裝和電力電子封裝。在上述領(lǐng)域發(fā)表SCI期刊論文110余篇，IEEE會議論文70余篇。陳教授獲得了一些獎項和榮譽，包括IEEE EMPC最佳海報獎、2023年IEEE ICEP杰出技術(shù)論文獎和2019年IEEE CPMT日本分會青年獎。他還申請并獲得了15項日本和國際專利，其中包括3項美國專利。陳教授自2020年起擔任IEEE ICEPT的技術(shù)委員會成員，并擔任日本電子封裝學會關(guān)西分會的委員會成員。

王德君

大連理工大學教授

王德君，大連理工大學教授。研究方向涉及三代半導體SiC電子器件制造測試技術(shù)及裝備； SiC半導體缺陷物理學；集成電路技術(shù)。技術(shù)領(lǐng)域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術(shù)；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術(shù)及裝備；SiC半導體表面干法清洗技術(shù)及裝備。

黃潤華

中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設(shè)計師

黃潤華，中國電子科技集團第五十五所研究所副主任設(shè)計師。多年來一直從事高壓大功率碳化硅功率器件研制開發(fā)工作。承擔了多項科研任務，江蘇省重點研發(fā)計劃、預研、型譜、新品、基金等項目負責人。江蘇省“333”高層次人才，CASA三代半導體卓越新青年。獲國防科技進步二等獎、電工技術(shù)學會科學技術(shù)發(fā)明獎一等獎、北京市科學技術(shù)獎二等獎、電子學會科學技術(shù)獎三等獎等獎項，主要從事SiC相關(guān)的器件設(shè)計、關(guān)鍵工藝開發(fā)及工藝整合、器件測試及可靠性評估工作。開發(fā)出650V-6500V/25mΩ-1000mΩ SiC MOSFET和650V-6500V/1A-100A SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)。

王來利

西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授

王來利，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院院長、教授。主要研究電力電子集成技術(shù)；2013年7月，被皇后大學特聘為研究員；2014年1月起，進入加拿大勝美達科技；2017年3月，全職回到西安交通大學。研究領(lǐng)域或方向包括：寬禁帶功率半導體器件封裝集成及其應用；高頻高效高溫電力電子變換技術(shù)；智能化檢測器件與檢測方法；無線電能傳輸。

葉念慈

三安半導體技術(shù)總監(jiān)

葉念慈，三安半導體技術(shù)總監(jiān)。專長于化合物半導體器件的制作與設(shè)計, 特別是在化合物半導體外延包括有機金屬氣相沉積與分子束外延已有20 年以上之經(jīng)驗。另外光電器件設(shè)計制作、半導體器件制造也是其專業(yè)知識技能。其在臺灣中華電信股份有限公司電信研究所擔任過研究員，并在臺灣專業(yè)氮化鎵化合物半導體公司及其它半導體單位擔任首席技術(shù)與研發(fā)管理崗位。其在臺灣中央大學任職教授級特殊技術(shù)人員期間, 負責建立和運作先進電力電子實驗室。2016 年2 月1 日被授予“廈門市臺灣特聘專家”榮譽稱號。

樊嘉杰

復旦大學青年研究員

樊嘉杰，復旦大學青年研究員。博士生導師。香港理工大學和美國馬里蘭大學聯(lián)合培養(yǎng)博士，荷蘭代爾夫特理工大學博士后/CSC公派訪問學者/客座研究員。主要研究方向第三代半導體封裝及可靠性。獲全國“第三代半導體卓越創(chuàng)新青年”稱號、入選江蘇省科協(xié)“青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。

梁超

江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理

梁超，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理，博士，研究員高工。先后入選“江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計劃高層次創(chuàng)新領(lǐng)軍人才；獲江蘇省科學技術(shù)進步二等獎1項、南京市科學技術(shù)進步二等獎1項等。主要研究方向第三代半導體光電材料，在發(fā)光材料方向開發(fā)出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個色系熒光粉，為高光品質(zhì)照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐；研究并開發(fā)出具有高導熱系數(shù)的AlN陶瓷基板及配套關(guān)鍵技術(shù)。共申請發(fā)明專利68件，授權(quán)發(fā)明專利54件（3件PCT專利分別于美國、韓國獲得授權(quán)），發(fā)表SCI收錄論文7篇，EI收錄論文6篇。

董侃

德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理

董侃，德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理。近二十年跨國公司從業(yè)經(jīng)歷，深耕電子及半導體行業(yè)，多年消費電子，汽車電子及功率電子的Marketing經(jīng)驗，熟悉行業(yè)發(fā)展趨勢。

曹峻

上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理

曹峻，上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理。主要分管公司市場推廣，現(xiàn)場應用支持和銷售服務。逾20年半導體行業(yè)技術(shù)、市場和銷售管理經(jīng)驗，服務過多家晶圓廠和芯片設(shè)計公司。善于從半導體材料特性、工藝器件平臺開發(fā)、芯片設(shè)計和封裝設(shè)計，以及電力電子拓撲圖等多維度多領(lǐng)域，分析和研究碳化硅功率器件的新興市場與應用。

張峰

廈門大學教授

張峰，廈門大學教授，博士生導師、國家青年“973”計劃首席科學家。從事寬禁帶半導體SiC材料與器件研究工作并取得系統(tǒng)性研究成果：率先研制10kV p溝道SiC IGBT器件，成功研制工業(yè)化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。國際上率先將1200V SiC肖特基二極管其應用到電動汽車充電樁中。同時，圍繞寬禁帶半導體光電探測器及單光子探測器的基本科學問題，研究提高探測器量子效率的物理機理與規(guī)律。先后獲中國科學院青年創(chuàng)新促進會優(yōu)秀會員、第三代半導體卓越創(chuàng)新青年、福建省杰出青年科學基金等獎勵和榮譽。

徐明升

山東大學教授

袁俊

湖北九峰山實驗室功率器件負責人

 

張軼銘

北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司博士

 

金銳

北京智慧能源研究院懷柔實驗室功率半導體部負責人

附論壇詳細信息：

會議時間 : 2023年11月27-30日

會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心

主辦單位：

廈門市人民政府

廈門大學

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

中關(guān)村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

承辦單位：

廈門市工業(yè)和信息化局

廈門市科學技術(shù)局

廈門火炬高新區(qū)管委會

惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏

程序委員會 ：

程序委員會主席團

主席：

張   榮--中國科學院院士，廈門大學黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉   明--中國科學院院士、中國科學院微電子研究所所研究員

顧   瑛--中國科學院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風益--中國科學院院士、南昌大學副校長、教授

李晉閩--中國科學院特聘研究員

張國義--北京大學東莞光電研究院常務副院長、教授

沈   波--北京大學理學部副主任、教授

徐   科--江蘇第三代半導體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰--廈門大學講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長

盛   況--浙江大學電氣工程學院院長、教授

張   波--電子科技大學教授

陳   敬--香港科技大學教授

徐現(xiàn)剛--山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學教授

張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學教授