三五族氮化物半導體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導體特性和從0.6eV到6.2eV連續(xù)可調禁帶寬度特點，非常適用于光電材料與器件的應用開發(fā)和研究?；诖?，它們可以用于制備各種光電子器件，包括發(fā)光二極管，半導體激光器和半導體探測器等。然而，目前AlGaN基深紫外LED電光轉換效率不足10%。此外，傳統(tǒng)紫外探測器主要產(chǎn)生單一方向流動的光電流，其探測功能和形式受到限制。為解決上述瓶頸，進一步提升紫外光電器件性能并拓展其光電功能。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化物半導體固態(tài)紫外技術”分會上，中國科學技術大學孫海定教授做了“用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測器的開發(fā)”的主題報告，分享了最新研究成果。

課題組通過實現(xiàn)對AlGaN薄膜和納米線結構的可控外延生長以及新穎的發(fā)光和探測器件結構設計與制備，獲得器件的高效光電/電光轉換效率，并實現(xiàn)了在日盲紫外光通信中的應用。報告總結了（1）通過制備microLED并優(yōu)化器件結構和制備工藝（側壁鈍化工藝，幾何形貌和器件周長比，器件尺寸大小及側壁斜切角，器件陣列等），提升紫外microLED的器件發(fā)光效率并體現(xiàn)出它們相較于傳統(tǒng)大尺寸器件在高速日盲紫外光通信中的應用優(yōu)勢；（2）利用AlGaN/GaN納米線比表面積大優(yōu)勢和納米線表面修飾和結構優(yōu)化，實現(xiàn)雙極性光電流探測，用于雙通道加密日盲紫外光通信等應用等。

嘉賓簡介

孫海定，博導，國家優(yōu)青，安徽省杰青，中科院海外高層次人才。長期致力于氮化鎵（GaN）半導體材料外延、紫外光電器件和HEMT電子器件設計與制備研究。研究成果被半導體權威雜志《Compound Semiconductor》、《Semiconductor Today》等多次封面報道10余次。目前擔任多個國際期刊如IEEE Photonics Technology Letters副主編以及CLEO/IEEE IPC等多個國際光電子領域會議委員。同時入選iCAX Young Scientist Award和2021年度 IAAM Young Scientist Medal等國際青年科學家獎項。以項目負責人主持國家重點研發(fā)計劃，國家自然科學基金，中科院國際合作和省部級項目等。

（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>