簡(jiǎn)介

4H SiC 中晶體缺陷的準(zhǔn)確表征對(duì)于增進(jìn)對(duì)晶體生長的基本了解、改進(jìn)過程控制和實(shí)現(xiàn)成功的工業(yè)應(yīng)用至關(guān)重要。在多種應(yīng)用中，4H SiC 引起了電力電子領(lǐng)域的特別關(guān)注，因?yàn)榕c傳統(tǒng)硅基器件相比，4H SiC 具有固有的優(yōu)勢(shì)，例如更高的工作溫度和更低的開關(guān)損耗。另一方面，對(duì) SiC 中各種晶體缺陷密度的有限工藝控制，包括基面位錯(cuò) (BPD) 和堆垛層錯(cuò) (BSF)，可能會(huì)嚴(yán)重影響器件良率。同步加速器 X 射線形貌 (XRT) 已應(yīng)用于 PVT 生長的 SiC 中晶體缺陷的高靈敏度表征。該技術(shù)使得能夠觀察基面滑移帶 (BPSB)，這是密集聚集的平行 BPD 陣列。BPSB 的幾何形狀與 SiC 晶圓上的棒堆垛層錯(cuò) (BSF) 相似，但它們是不同的缺陷。在此，我們報(bào)告了生產(chǎn)線計(jì)量工具的能力，用于檢測(cè) BPSB 并將其分類為測(cè)試級(jí)晶圓上與 BSF 不同的缺陷，以及通過外延生長進(jìn)行缺陷傳播的研究。

實(shí)驗(yàn)

4H n 型 SiC 晶錠通過籽晶升華生長，并使用標(biāo)準(zhǔn)晶圓和拋光工藝從晶錠制造晶圓。使用同步加速器 X 射線形貌 (XRT) 和激光掃描 (KLA Candela 8520) 技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行成像。XRT 成像使用