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北京大學申請大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法專利,提高整個異質集成結構的熱導率

日期:2024-03-06 閱讀:224
核心提示:據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告,北京大學申請一項名為一種大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法,公開號CN117646275A,申請日期

 據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告,北京大學申請一項名為“一種大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法“,公開號CN117646275A,申請日期為2024年1月。

專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法,利用功能層和支撐層的鍵合襯底,先在功能層正面生長多晶金剛石,然后去掉支撐層,在功能層背面生長III族氮化物外延材料,獲得多晶金剛石與III族氮化物材料的異質集成結構。III族氮化物、功能層、多晶金剛石三者之間是直接生長成鍵連接,確保了聲子的傳播,并充分利用多晶金剛石高熱導率的優(yōu)點提高了整個異質集成結構的熱導率;III族氮化物外延材料生長在復合襯底之上,不會受到破壞,保證了其性能;通過選取不同的鍵合襯底表面,可以控制生長金屬極性或氮極性的III族氮化物材料,滿足不同領域應用需求。本發(fā)明的制備方法對尺寸沒有限制,可以實現(xiàn)大尺寸批量化的生產(chǎn)。

 

 

 

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