2024年4月9-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡稱“JFSC＆CSE”）將在武漢光谷科技會(huì)展中心舉辦。作為國內(nèi)碳化硅單晶襯底代表型企業(yè)，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相博覽會(huì)，并分享碳化硅襯底技術(shù)及產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)。誠邀業(yè)界同仁蒞臨2T27號(hào)展臺(tái)參觀、交流合作。

本屆“JFSC＆CSE”由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦，以“聚勢(shì)賦能 共赴未來”為主題，匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接平臺(tái)，助力企業(yè)高效、強(qiáng)力拓展目標(biāo)客戶資源，加速驅(qū)動(dòng)中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。

北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2006年9月，總部位于北京，是國內(nèi)率先從事第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)之一，也是國內(nèi)碳化硅單晶襯底領(lǐng)域生產(chǎn)規(guī)模較大、產(chǎn)品種類較全的碳化硅襯底供應(yīng)商，并于2021 年被工信部認(rèn)定為專精特新“小巨人”企業(yè)。

產(chǎn)品介紹

1、8英寸導(dǎo)電型襯底：

8 英寸碳化硅襯底因其有效利用面積與 6 英寸相比提高接近 90%，外延和晶圓制造成本增加不明顯，且制程較 6 英寸更為先進(jìn)等因素，可有效降低單個(gè)器件成本，在未來具有廣闊的增長空間。天科合達(dá)目前已掌握高質(zhì)量 8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底制備的關(guān)鍵技術(shù)。目前取得的部分技術(shù)成果如下：

●低微管密度控制技術(shù)；

●低位錯(cuò)密度控制技術(shù)；

●電阻率均勻性控制技術(shù)；

2、8英寸導(dǎo)電型外延片：

天科合達(dá)目前已掌握量產(chǎn)碳化硅SBD和MOSFET器件用高質(zhì)量碳化硅外延片的關(guān)鍵技術(shù)，包括摻雜濃度及厚度均勻性、缺陷、表面粗糙度、應(yīng)力及翹曲度等關(guān)鍵指標(biāo)控制技術(shù)。公司擁有高均勻性和低缺陷密度的中高壓碳化硅外延片和復(fù)雜結(jié)構(gòu)外延片的制造能力，現(xiàn)已在深圳天科布局規(guī)模化外延生產(chǎn)線，獲得的技術(shù)成果如下：

●小于1e14 cm-3的低本征濃度控制技術(shù)；

●小于2%的厚度均勻性控制技術(shù)；

●小于5%的濃度均勻性控制技術(shù)；

●低的位錯(cuò)控制技術(shù)， BPD轉(zhuǎn)化效率達(dá)到99%以上 ；

●低的表面缺陷控制技術(shù)，表面缺陷密度小于0.2個(gè)/cm2。

值此之際，我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì)，蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。