復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所（以下簡稱“寬禁帶所”）由復(fù)旦大學(xué)寧波研究院聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院共同組建，聚焦SiC功率半導(dǎo)體材料缺陷表征、器件設(shè)計(jì)、器件制造工藝、封裝工藝開發(fā)等主要方向，以市場需求為導(dǎo)向，技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)為動(dòng)力，高端人才培養(yǎng)為支撐，采用政府引導(dǎo)、高校支撐、企業(yè)聯(lián)合研發(fā)、全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的政產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的模式，重點(diǎn)突破SiC材料與器件關(guān)鍵共性技術(shù)及先進(jìn)制造工藝，聯(lián)合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波SiC優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)集群的形成提供強(qiáng)有力支撐。

寬禁帶所建設(shè)總投入約4.6億元，主要用于器件工藝研發(fā)與中試線、先進(jìn)封裝研發(fā)線、測試及可靠性平臺(tái)的設(shè)備采購、能力建設(shè)和日常運(yùn)營管理等。接下來將按照國家級(jí)和省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)，加快建設(shè)面向前瞻研究與成果轉(zhuǎn)化、具備國際領(lǐng)先水平的碳化硅半導(dǎo)體材料與器件高水平研發(fā)平臺(tái)，力爭成為國家級(jí)碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心，打造寧波“碳化硅谷”。 

招聘崗位 

博士后研究人員

工作地點(diǎn)：寧波前灣新區(qū) 

招聘方向：

1）寬禁帶半導(dǎo)體材料生長與缺陷表征技術(shù)；

2）寬禁帶半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)、先進(jìn)制造工藝及器件可靠性評(píng)價(jià)；

3）超寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及工藝研究；

4）高頻高功率先進(jìn)封裝技術(shù)與可靠性測試。

 招聘要求： 

1）符合復(fù)旦大學(xué)寧波研究院博士后基本申請(qǐng)條件。已獲得微電子、電力電子器件與應(yīng)用、半導(dǎo)體物理與材料、半導(dǎo)體制造裝備、材料科學(xué)與工程、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè)的博士學(xué)位（或者將在6個(gè)月內(nèi)取得博士學(xué)位證書的應(yīng)屆博士畢業(yè)生）。年齡原則上不超過35周歲，在站期間全職從事博士后研究工作；

2）在攻讀博士期間取得較好的研究成果，具有扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和較強(qiáng)的動(dòng)手實(shí)踐能力，能獨(dú)立開展研究工作，并具有優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)合作精神，尤其是從事交叉性學(xué)科研究的能力。入站前3年具有代表性科研成果，包括但不限于高水平論文、新產(chǎn)品、新工藝、重大咨詢報(bào)告、發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)、科技獎(jiǎng)勵(lì)等形式；

3）具有良好的英語讀寫能力，可以獨(dú)立撰寫研究論文；熱愛科研，具有較強(qiáng)的實(shí)驗(yàn)和數(shù)據(jù)分析能力，有良好的溝通、表達(dá)能力和團(tuán)隊(duì)合作精神；具有功率半導(dǎo)體領(lǐng)域出色研發(fā)經(jīng)歷者將獲得優(yōu)先考慮。 

薪酬及福利待遇

1、原則上稅前年薪不低于40萬元（含地方政府人才補(bǔ)助），具體面議； 

2、可享受寧波市、前灣新區(qū)政府相應(yīng)人才政策； 

3、對(duì)獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級(jí)博士后科研項(xiàng)目資助的，寧波市及相關(guān)區(qū)域財(cái)政給予相應(yīng)配套資助； 

4、提供寧波前灣新區(qū)人才公寓； 

5、提供一流的實(shí)驗(yàn)與科學(xué)研究條件；

6、課題組將根據(jù)工作能力和表現(xiàn)，提供額外獎(jiǎng)勵(lì)，具體面議；除薪資之外，將根據(jù)研究貢獻(xiàn)、論文發(fā)表、基金項(xiàng)目等給予可觀的績效獎(jiǎng)勵(lì)，特別優(yōu)秀者待遇面議； 

7、在站期間，符合條件的博士后研究人員可申報(bào)研究院相關(guān)系列高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)；表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合要求，可優(yōu)先推薦申請(qǐng)研究院青年優(yōu)才計(jì)劃。 

個(gè)人培養(yǎng)

博士后研究人員由復(fù)旦大學(xué)寧波研究院與復(fù)旦大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)。我們將為博士后研究人員提供如下支持： 

1）推薦申報(bào)各類人才資助項(xiàng)目，包括但不限于全國博新計(jì)劃； 

2）推薦并指導(dǎo)申報(bào)中國博士后基金，并申請(qǐng)其他國家級(jí)、浙江省和寧波市相關(guān)基金項(xiàng)目； 

3）提供專業(yè)技能培訓(xùn)，服務(wù)職業(yè)發(fā)展； 

4）推薦優(yōu)秀博士后到國際頂會(huì)、國內(nèi)外頂級(jí)名校進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。 

合作導(dǎo)師及研究方向

一、張清純教授

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所所長?，F(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)特聘教授、博士生導(dǎo)師，上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任，清純半導(dǎo)體董事長，專長于寬禁帶半導(dǎo)體物理與器件的教學(xué)、科研、應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化，長期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，是該領(lǐng)域國際知名專家。迄今已撰寫100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)Ｖ?；多次受邀在國際碳化硅、功率半導(dǎo)體的學(xué)術(shù)會(huì)議上作大會(huì)報(bào)告；作為第一和合作發(fā)明人，擁有100多項(xiàng)美國及國際專利；多次擔(dān)任ISPSD技術(shù)委員會(huì)成員和碳化硅器件分會(huì)主席；曾任國際電力電子技術(shù)路線圖研討會(huì)聯(lián)合主席等。 

二、雷光寅博士復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長?，F(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)研究員、博士生導(dǎo)師，清純半導(dǎo)體首席科學(xué)家，曾在美國著名電力電子研究中心（CPES）和福特汽車研究中心長期學(xué)習(xí)和工作，參與了高新納米材料的開發(fā)、高功率密度半導(dǎo)體功率模塊設(shè)計(jì)以及高性能新能源汽車電機(jī)控制器的研發(fā)項(xiàng)目，在多個(gè)領(lǐng)域做出了開拓性的原創(chuàng)工作。發(fā)表高水平學(xué)術(shù)期刊論文30余篇，其中高引數(shù)量17篇；作為第一或合作發(fā)明人，至今共取得超過40項(xiàng)美國及中國發(fā)明專利。2018年度入選第八屆上海QR（創(chuàng)新長期）。

三、劉冉教授復(fù)旦大學(xué)寧波研究院特聘研究員。現(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師、教育部長江學(xué)者。主要從事半導(dǎo)體技術(shù)、集成電路制造工藝、微納電子/光電子和柔性電子材料與器件的研究。發(fā)表SCI論文300余篇，其中有一篇論文被“The Scientists”評(píng)為1988年國際物理界最熱門文章，另一篇被美國材料學(xué)會(huì)列為其2002年所有會(huì)議論文集文章的下載之最。主持過多項(xiàng)國家科技部973、863和國家基金委等項(xiàng)目以及歐洲第7框架等國際合作項(xiàng)目。 

四、樊嘉杰博士復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所學(xué)術(shù)帶頭人?，F(xiàn)任復(fù)旦大學(xué)青年研究員、博士生導(dǎo)師。長期從事寬禁帶半導(dǎo)體封裝及可靠性研究。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文110余篇，近5年以第一作者和通訊作者在Laser Photonics Rev., Corrosion Science, IEEE TPEL/TED/EDL等高質(zhì)量期刊上發(fā)表論文30余篇；申請(qǐng)/授權(quán)專利20余項(xiàng)。作為負(fù)責(zé)人承擔(dān)或?qū)W術(shù)骨干參與國家“863”計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目/課題、國家自然科學(xué)基金、上海市科技計(jì)劃等。獲“江蘇省科學(xué)技術(shù)三等獎(jiǎng)”、“國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”、IEEE高級(jí)會(huì)員、全國“第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年”、上海市“浦江人才（D特殊急需類）”。 

應(yīng)聘程序

應(yīng)聘者請(qǐng)將個(gè)人簡歷、代表性成果、工作設(shè)想和2封推薦信等相關(guān)材料發(fā)至huangjuanjuan@fudannb.com（黃老師），郵件主題請(qǐng)注明“應(yīng)聘博士后-研究方向-姓名”。  

研究院將對(duì)應(yīng)聘者簡歷進(jìn)行初篩，并推薦合作導(dǎo)師，對(duì)滿足申請(qǐng)條件與研究需要的應(yīng)聘者通知面試，面試通過后進(jìn)行背調(diào)與資格審查，經(jīng)研究院最終批準(zhǔn)后，通知應(yīng)聘者提交進(jìn)站申請(qǐng)和正式書面材料。未通過者，不再另行通知。 

我單位承諾對(duì)應(yīng)聘者提交的所有材料嚴(yán)格保密。應(yīng)聘者須對(duì)提供的所有材料的真實(shí)性負(fù)責(zé)。  

聯(lián)系人：黃老師

聯(lián)系方式：15867361526 

所長寄語

張清純

復(fù)旦大學(xué)特聘教授

復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶所所長

寬禁帶半導(dǎo)體即第三代半導(dǎo)體（SiC和GaN）是支撐新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件，契合節(jié)能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰(zhàn)略需求，被列為國家科技創(chuàng)新2030重大項(xiàng)目“重點(diǎn)新材料研發(fā)及應(yīng)用”重要方向之一。我國在第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域有戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)，有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略引領(lǐng)，在國際競爭中搶占先機(jī)，重塑全球新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。 

碳化硅(SiC)作為新興的第三代半導(dǎo)體材料，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，是第三代半導(dǎo)體的主要方向，成為繼以Si、Ge等材料為主的第一代半導(dǎo)體以及GaAs、InP等化合物材料為主的第二代半導(dǎo)體后的又一重要突破，已在光電子、功率、微波等方向得到廣泛應(yīng)用。 

我的職業(yè)生涯親歷了SiC半導(dǎo)體材料從萌芽到產(chǎn)業(yè)化，見證了SiC器件從小眾到主流的整個(gè)歷程，積極參與和推動(dòng)了SiC半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。技術(shù)進(jìn)步?jīng)]有止境，SiC半導(dǎo)體材料和器件的不斷迭代仍需要從根本上研究解決諸如材料生長與缺陷形成機(jī)制、MOS溝道遷移率、器件及系統(tǒng)可靠性等重大基礎(chǔ)科學(xué)問題，亟需發(fā)展創(chuàng)新關(guān)鍵技術(shù)、形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展、技術(shù)升級(jí)提供有力支撐和保障。 

熱忱歡迎有志于從事第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域科技研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化事業(yè)的優(yōu)秀博士后人才加入研究院團(tuán)隊(duì)，共同推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展！

(來源：復(fù)旦大學(xué)寧波研究院 )