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品牌推薦│邦芯半導(dǎo)體將亮相CSE化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會

日期:2024-03-13 閱讀:402
核心提示:2024年4月9-11日,一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(簡稱“JFSC&CSE”)將在武漢光谷科技會展中心舉辦。 國產(chǎn)創(chuàng)新型設(shè)備廠商上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司將攜產(chǎn)品亮相博覽會。誠邀業(yè)界同仁蒞臨2T52號展臺參觀、交流合作。

 2024年4月9-11日,一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(簡稱“JFSC&CSE”)將在武漢光谷科技會展中心舉辦。 國產(chǎn)創(chuàng)新型設(shè)備廠商上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司將攜產(chǎn)品亮相博覽會。誠邀業(yè)界同仁蒞臨2T52號展臺參觀、交流合作。

上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司

本屆CSE博覽會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦,以“聚勢賦能 共赴未來”為主題,將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者。展會范圍涉及半導(dǎo)體材料及原輔料,半導(dǎo)體設(shè)備及零部件,功率半導(dǎo)體器件設(shè)計及制造,光電子器件設(shè)計與制造,設(shè)計、仿真及制造管理類軟件,封測及先進應(yīng)用等六大領(lǐng)域,將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù),將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標桿性展會。實現(xiàn)全球指引、產(chǎn)業(yè)聚集;強鏈延鏈、關(guān)鍵突破;龍頭齊聚、價值共創(chuàng)。將助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級盛會。 

邦芯半導(dǎo)體LOGO

邦芯半導(dǎo)體成立于2020年,是一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)的國產(chǎn)創(chuàng)新型設(shè)備廠商。自成立以來,邦芯在化合物芯片和硅基芯片制造設(shè)備上已研發(fā)了多款6/8/12寸去膠、刻蝕和薄膜沉積設(shè)備,并且已經(jīng)在客戶端實現(xiàn)了量產(chǎn)。邦芯半導(dǎo)體的產(chǎn)品具有自主知識產(chǎn)權(quán),通過包括設(shè)備、工藝、客戶支持在內(nèi)的多個領(lǐng)域的專業(yè)知識,持續(xù)為客戶提供高性價比的刻蝕和薄膜設(shè)備及應(yīng)用,填補國內(nèi)諸多領(lǐng)域空白。

產(chǎn)品介紹

Ho<em></em>nghu TSG150W200W

HongHu TSG 150W/200W

用于6/8寸GaN功率半導(dǎo)體工藝WCVD設(shè)備:

·搭建在邦芯自主研發(fā)的HongHu多腔室集群真空傳送平臺,能夠提供串行或并行的工藝處理;

·工藝腔室采用均勻的流場設(shè)計,保證鎢成膜速率和均勻性;

·自主的加熱盤設(shè)計,實現(xiàn)成膜速率和均勻性可調(diào)。

主要應(yīng)用包括:鎢沉積工藝等。

Ho<em></em>nghu Ivory150200

HongHu Ivory 150W/200W

用于6/8寸化合物半導(dǎo)體加工工藝ICP刻蝕設(shè)備:

·搭建在邦芯自主研發(fā)的HongHu多腔室集群真空傳送平臺,能夠提供串行或并行的工藝處理;

·該系統(tǒng)采用優(yōu)化的ICP線圈設(shè)計,提供更高的刻蝕速率及更優(yōu)的均勻性;

·采用先進表面涂層,提高零部件的使用壽命,穩(wěn)定的Particle性能和降低生產(chǎn)成本。 

主要應(yīng)用包括:

·化合半導(dǎo)體GaN/SiC刻蝕工藝

·化合物半導(dǎo)體鎢回刻工藝

·硅刻蝕工藝

·金屬刻蝕工藝

Ho<em></em>ngHu Coral150D200D

HongHu Coral 150D/200D

用于6/8寸化合物半導(dǎo)體加工工藝CCP刻蝕設(shè)備:

·搭建在邦芯自主研發(fā)的HongHu多腔室集群真空傳送平臺,能夠提供串行或并行的工藝處理;

·獨特的反應(yīng)腔設(shè)計,保證介質(zhì)膜刻蝕速率和均勻性;

·采用先進表面涂層,提高零部件的使用壽命,穩(wěn)定的Particle性能和降低生產(chǎn)成本,提升Uptime和MTBC。 

主要應(yīng)用包括:

·化合半導(dǎo)體介質(zhì)刻蝕工藝

·0.11-0.35um制程集成電路介質(zhì)刻蝕工藝

 

值此之際,我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會,蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。

關(guān)于JFSC&CSE 2024

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