2024年4月9-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)“JFSC＆CSE”）將在武漢光谷科技會(huì)展中心舉辦。 第三代半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商山東晶升電子科技有限公司將攜新品亮相本屆盛會(huì)，誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨A302號(hào)展臺(tái)參觀、交流合作。

本屆CSE博覽會(huì)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦，以“聚勢(shì)賦能 共赴未來(lái)”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專(zhuān)家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，以及從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料和設(shè)備到核心部件領(lǐng)域企業(yè)參展，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接平臺(tái)，助力企業(yè)高效、強(qiáng)力拓展目標(biāo)客戶(hù)資源，加速驅(qū)動(dòng)中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。

山東晶升電子科技有限公司坐落于泉城濟(jì)南，是一家專(zhuān)注于寬禁帶半導(dǎo)體裝備研發(fā)和生產(chǎn)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)范圍覆蓋半導(dǎo)體裝備研制、長(zhǎng)晶工藝，已形成系列自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)先進(jìn)技術(shù)自主可控。致力成為行業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備供應(yīng)商，并在濟(jì)南市長(zhǎng)清區(qū)建設(shè)了寬禁帶半導(dǎo)體裝備制造場(chǎng)地。企業(yè)已順利申請(qǐng)下2019年知識(shí)產(chǎn)權(quán)貫標(biāo)，2019-2023年連續(xù)入庫(kù)濟(jì)南市科技型中小企業(yè)名單，2021被評(píng)為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，2022年通過(guò)GB/T9001-2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證。  2023年成為中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)新成員。主要推廣產(chǎn)品為第三代、第四代半導(dǎo)體高端裝備，PVT晶體生長(zhǎng)爐、電阻法晶體生長(zhǎng)爐、液相法晶體生長(zhǎng)爐、HVPE氫化物氣相外延爐（氮化鎵）、LPE氮化物高壓晶體生長(zhǎng)爐、HVPE鹵化物氣相外延爐（氧化鎵）、導(dǎo)模法晶體爐、氧化鎵垂直布里奇曼晶體生長(zhǎng)爐。

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產(chǎn)品介紹

PVT-SiC-400晶體爐：6/8英寸；

產(chǎn)品特點(diǎn)：

·適用于6，8英寸，導(dǎo)電/高純半絕緣型SiC晶體生長(zhǎng)。

·適用于長(zhǎng)時(shí)間，高質(zhì)量，規(guī)模型晶體生長(zhǎng)。

·擁有高精度的控溫、控壓能力，工藝性能優(yōu)良，設(shè)備一致性好，具有豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

·可選恒功率、恒電流、恒溫工作模式；

·一鍵智能啟動(dòng)，減少人工干預(yù)，利于規(guī)模化生產(chǎn)；

·緊湊立體化的整機(jī)設(shè)計(jì)，方便布局，提高廠(chǎng)房利用率；

·采用高精度蝶閥和質(zhì)量流量計(jì)控制爐內(nèi)長(zhǎng)晶壓力，提供穩(wěn)定的長(zhǎng)晶氣氛。尤其在晶體生長(zhǎng)壓力下最高可達(dá)到±1Pa的控壓精度。

氮化鎵高壓助熔劑晶體生長(zhǎng)設(shè)備：2/4/6英寸；

產(chǎn)品特點(diǎn)：

·Na助熔劑液相外延生長(zhǎng)2-4 英寸GaN晶片，也可用于高壓助熔劑法探索新型氮化物晶體;

·助熔劑法(Na Flux method)生長(zhǎng)氮化鎵(GaN)單晶具有諸多優(yōu)勢(shì)，是目前國(guó)際上公認(rèn)的可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、大尺寸氮化鎵體單晶產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的生長(zhǎng)技術(shù)之一。由于氮化鎵單晶的生長(zhǎng)體系(如下簡(jiǎn)稱(chēng)“生長(zhǎng)體系”)一般采用含有金屬鈉和金屬鎵的黏性液相金屬和氮?dú)庾鳛樯L(zhǎng)源，在生長(zhǎng)過(guò)程中，于氣液界面處氮源首先達(dá)到過(guò)飽和，形成氮化鎵多晶殼層，導(dǎo)致外部氮?dú)庠跉庖航缑嫣幈蛔钄?，從而?dǎo)致生長(zhǎng)體系氮源供給中斷，進(jìn)而使生長(zhǎng)體系中的氮化鎵籽晶停止液相外延生長(zhǎng)；形成的氮化鎵多晶殼層一方面阻斷體系氮源供給，另一方面消耗體系中金屬鎵源。因此，有效抑制生長(zhǎng)體系中這種多晶的形成已經(jīng)成為該生長(zhǎng)技術(shù)中的關(guān)鍵難點(diǎn)之一;

·雙溫區(qū)加熱，最高使用溫度1000℃，最高壓力9Mpa;

·氮?dú)馊芙馑俣瓤?，分布均勻，生長(zhǎng)速度可達(dá)30um/h;

·可外延生長(zhǎng)高結(jié)晶質(zhì)量和低位錯(cuò)密度的單晶;

 HVPE氫化物氣相外延設(shè)備：2/4/6英寸；

            水平HVPE

                       立式HVPE

產(chǎn)品特點(diǎn)：

·高的生長(zhǎng)速率。

·橫向縱向生長(zhǎng)比率高,孔洞少，可以生長(zhǎng)大面積厚膜。

·單晶生長(zhǎng)速率：≥50微米/小時(shí)。

·藍(lán)寶石襯底外延生長(zhǎng)氮化鎵（GaN）單晶層厚度：>1mm。

·產(chǎn)品尺寸：2/4/6英寸。

值此之際，我們誠(chéng)邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì)，蒞臨展位現(xiàn)場(chǎng)參觀交流、洽談合作。

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