2024年4月9-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會展中心舉辦。凌云光技術(shù)股份有限公司將攜新品亮相本屆盛會，誠邀業(yè)界同仁蒞臨A205展臺參觀、交流合作。
本屆CSE博覽會由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室共同主辦，以“聚勢賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準對接平臺，助力企業(yè)高效、強力拓展目標客戶資源，加速驅(qū)動中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級。
CSE作為2024年首場國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領(lǐng)域，將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)，將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標桿性展會。助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級盛會，集中展示化合物半導(dǎo)體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬億級光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。
凌云光股份以光技術(shù)創(chuàng)新為基礎(chǔ)，圍繞機器視覺與光纖光學(xué)開展業(yè)務(wù)，致力于成為視覺人工智能與光電信息領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者。公司曾獲得一項國家技術(shù)發(fā)明一等獎和兩項國家科學(xué)技術(shù)進步二等獎。公司戰(zhàn)略聚焦機器視覺業(yè)務(wù)，堅持“為機器植入眼睛和大腦”，為客戶提供可配置視覺系統(tǒng)、智能視覺裝備與核心視覺器件等高端產(chǎn)品與解決方案。公司堅持以客戶為中心，賦能電子制造、新型顯示、印刷包裝、新能源、影視動漫、科學(xué)圖像、軌道交通等行業(yè)的智能“制造”?；?0余年在光學(xué)成像、視覺軟件與算法、核心視覺部件等領(lǐng)域的技術(shù)積累，公司持續(xù)產(chǎn)品創(chuàng)新，努力成為客戶最優(yōu)的、戰(zhàn)略的、信賴的和榮耀的選擇。在光纖光學(xué)領(lǐng)域，公司是高端光器件與儀器的解決方案提供商，同時為廣電行業(yè)提供自主的寬帶光接入與智慧家庭組網(wǎng)解決方案。
產(chǎn)品介紹
化合物半導(dǎo)體晶圓量/檢測機
產(chǎn)品型號：Super Cobra L1000
適用于化合物半導(dǎo)體(SiC/GaN/GAAS/CZT/MCT等)、硅基，ADI 、AEI、OQC檢測需求，先進封裝RDL、TSV、BUMP量檢測
主要參數(shù)：
最小檢測精度：< 0.5um
在線3D量測：0.01nm（干涉）/2nm(共聚焦)
在線2D量測精度：0.2um
多倍率自動切換鏡頭：3.5X,5X,10X,20X,50X,100X(可選)
光學(xué)配置：明/暗場檢測
光源：多種波長光源可選
產(chǎn)品尺寸：“兼容4-8寸wafer
吞吐量：30UPH
其他：AI自主定義分類分級、自動聚焦
產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體芯片量/檢查機
產(chǎn)品型號：Generalist M2000
應(yīng)用場景：適用于化合物半導(dǎo)體(SiC/GaN/GAAS/CZT/MCT等)、硅基芯片，劃裂前、后，分選、出貨量檢測；
主要參數(shù)：
最小檢測精度：<2um
在線3D量測：最小0.1um
在線2D量測精度：5um
鏡頭配置：多種配置可選（1X/2X/3X/5X/11.5X）
光源：明/暗場檢測
光源：多種波長明/暗場光源、UV光、背光等多種配置組合
兼容性：4-12寸wafer，鐵環(huán)（方鐵、圓鐵）、膠環(huán)等多種產(chǎn)品形態(tài)
UPH：6’ 35（3um檢測精度）
其他：AI自主定義分類分級、輔助聚焦（可選）、特殊定制需求
產(chǎn)品名稱：化合物半導(dǎo)體無圖檢查機
產(chǎn)品型號：SandWich CS 1000
應(yīng)用場景：適用于化合物半導(dǎo)體(SiC/GAN/GAAS/CZT/MCT等)外延、襯底檢測
主要參數(shù)：
相機：高速線掃相機
最小檢測精度：<2um
最小點測精度：<0.4um
鏡頭配置：多種配置可選（3X/5X/7.5X）
光學(xué)配置：明/暗場檢測
光源：多種波長明暗/場光源、PL、DIC等多種配置組合
兼容性：4-12寸wafer
UPH：6’ 60（3um檢測精度）
自由曲面形貌檢測:1um（Z）
其他：AI自主定義分類分級、特殊定制需求
值此之際，我們誠邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會，蒞臨展位現(xiàn)場參觀交流、洽談合作。
關(guān)于JFSC&CSE 2024
