2024年4月8-11日，一年一度化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——2024九峰山論壇暨中國(guó)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱“JFSC＆CSE”）將于武漢光谷科技會(huì)展中心舉辦。蘇州德龍激光股份有限公司將攜新品亮相本屆盛會(huì)，誠(chéng)邀業(yè)界同仁蒞臨A301展臺(tái)參觀、交流合作。

本屆CSE博覽會(huì)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦，以“聚勢(shì)賦能 共赴未來”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接平臺(tái)，助力企業(yè)高效、強(qiáng)力拓展目標(biāo)客戶資源，加速驅(qū)動(dòng)中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。 

CSE作為2024年首場(chǎng)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領(lǐng)域，將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)，將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿性展會(huì)。助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺(tái)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級(jí)盛會(huì)，集中展示化合物半導(dǎo)體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺(tái)，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬億級(jí)光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

德龍激光（688170.SH）2005年由趙裕興博士創(chuàng)辦，位于蘇州工業(yè)園區(qū)，2022年4月29日科創(chuàng)板上市。公司是一家技術(shù)驅(qū)動(dòng)型企業(yè)，自成立以來，一直致力于新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的前沿研究和開發(fā)。公司專注于激光精細(xì)微加工領(lǐng)域，憑借先進(jìn)的激光器技術(shù)、高精度運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)以及深厚的激光精細(xì)微加工工藝積淀，聚焦于泛半導(dǎo)體、新型電子及新能源等應(yīng)用領(lǐng)域，為各種超薄、超硬、脆性、柔性及各種復(fù)合材料提供激光加工解決方案。同時(shí)，公司通過自主研發(fā)，目前已擁有納秒、超快（皮秒、飛秒）及可調(diào)脈寬系列固體激光器的核心技術(shù)和工業(yè)級(jí)量產(chǎn)的成熟產(chǎn)品。德龍激光肩負(fù)著“用激光開創(chuàng)微納世界”的使命，致力于成為在精細(xì)微加工領(lǐng)域具備全球影響力的激光公司。 

產(chǎn)品介紹

碳化硅晶錠切片設(shè)備

設(shè)備說明

本設(shè)備用于碳化硅晶錠/片的激光切片加工，激光切割后，配合輔助裝置完成晶片的分片。

設(shè)備型號(hào)

DLDS-8680

設(shè)備參數(shù)

最大切割晶錠厚度：50mm

上下料方式：全自動(dòng)上下料

切割軸速度：0-1000mm/s

激光加工損耗：110-150μm（6寸，380μm厚度）

加工效率：≤25min/pcs（6寸，380μm厚度）

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

材料損耗小，加工效率高，設(shè)備運(yùn)行無需耗材，加工成本低。

應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用于碳化硅晶錠（片）的晶圓切片加工領(lǐng)域。

碳化硅激光退火設(shè)備

設(shè)備說明

該設(shè)備用于碳化硅的歐姆退火工藝，具備裸片自動(dòng)上下料、晶圓自動(dòng)校準(zhǔn)等功能。

設(shè)備型號(hào)

LAN-6281

設(shè)備參數(shù)

退火晶圓材質(zhì)：碳化硅

加工產(chǎn)能：150mm圓片≥7wph（以20片圓片全自動(dòng)傳片進(jìn)行計(jì)算）

加工產(chǎn)品尺寸：6-8寸

退火方式：厚度100-200nm以碳化硅為襯底的晶圓上Ni金屬歐姆退火

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

加工工藝效果優(yōu)異，加工效率高，設(shè)備運(yùn)行無需耗材，加工成本較低。

應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)用于碳化硅晶圓片的背金激光退火（以碳化硅材料為基板的晶圓）。

化合物晶圓激光切割設(shè)備

設(shè)備說明

本設(shè)備是利用超短脈沖激光實(shí)現(xiàn)化合物晶圓高質(zhì)量、高效率切割。切割速度快，切割效果好，良率高；提供整套的切割&裂片&擴(kuò)片設(shè)備，完整解決方案；工藝成熟，可針對(duì)不同類型晶圓進(jìn)行切割。

設(shè)備型號(hào)

Inducer-5560（SiC）

Inducer-5360（GaAs/InP）

設(shè)備參數(shù)

最大切割厚度：500μm

切割軸最大速度值：500mm/s

加工尺寸：6寸（可升級(jí)至8寸）

設(shè)備優(yōu)勢(shì)

切割速度快，切割效果好，良率高

提供整套的裂片&擴(kuò)片設(shè)備，完整的解決方案

工藝成熟，可針對(duì)不同類型的碳化硅晶圓進(jìn)行切割

應(yīng)用領(lǐng)域

可針對(duì)碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、鉭酸鋰/鈮酸鋰晶圓提供專用的激光隱形切割設(shè)備。

值此之際，我們誠(chéng)邀業(yè)界同仁共聚本屆盛會(huì)，蒞臨展位現(xiàn)場(chǎng)參觀交流、洽談合作。

關(guān)于JFSC&CSE 2024