魏  進(jìn)

北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？》

嘉賓簡(jiǎn)介：魏進(jìn)，北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師。長(zhǎng)期致力于 GaN 基、 SiC 基功率電子器件的研究，在新型器件結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)、可靠性技術(shù)、集成技術(shù)等方面取得一系列有一定國(guó)際影響力的創(chuàng)新成果。以一作/通訊作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文70余篇，包括本領(lǐng)域權(quán)威學(xué)術(shù)會(huì)議IEDM 5篇，ISPSD 19篇，權(quán)威學(xué)術(shù)期刊IEEE EDL 16篇、IEEE TED 18篇。Google總引用3400 余次， H 因子 33，授權(quán)中國(guó)/英國(guó)/美國(guó)專(zhuān)利 10項(xiàng)。近五年作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目等科研項(xiàng)目。

姚佳飛

南京郵電大學(xué)南通研究院 執(zhí)行副院長(zhǎng)

報(bào)告主題：《高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用》

嘉賓簡(jiǎn)介：姚佳飛，南京郵電大學(xué)副教授、碩士生導(dǎo)師。2016年畢業(yè)于南京郵電大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)，獲博士學(xué)位。入選江蘇省333工程第三層次培養(yǎng)對(duì)象、江蘇省科協(xié)青年科技人才托舉工程。擔(dān)任南京郵電大學(xué)南通研究院(有限公司)執(zhí)行副院長(zhǎng)/總經(jīng)理、南通市集成電路封裝設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任。主要從事硅基、SOI基和SiC基新型功率器件的設(shè)計(jì)、建模、封裝、表征和測(cè)試研究，以及基于新型功率器件的匹配電路、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)和封測(cè)研究。主持國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、江蘇省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題等項(xiàng)目15項(xiàng)，在TDE、CPB等國(guó)內(nèi)外高水平期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文60余篇，申請(qǐng)專(zhuān)利60余項(xiàng)。

金  銳

北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)，教授級(jí)高工

報(bào)告主題：《碳化硅MOSFET研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)》

嘉賓簡(jiǎn)介：金銳，教授級(jí)高級(jí)工程師，2009年畢業(yè)于英國(guó)帝國(guó)理工大學(xué)物理學(xué)專(zhuān)業(yè)，獲理學(xué)博士學(xué)位?，F(xiàn)任北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)，是北京市優(yōu)秀青年骨干計(jì)劃獲得者，“IEEE PES輸配電技術(shù)委員會(huì)”委員，“中國(guó)電機(jī)工程學(xué)會(huì)電力電子器件專(zhuān)委會(huì)”委員，“功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”副秘書(shū)長(zhǎng)。主持編寫(xiě)柔性輸電用IGBT器件相關(guān)企業(yè)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4項(xiàng)，出版專(zhuān)著2部，發(fā)表論文80余篇，申請(qǐng)專(zhuān)利150余項(xiàng)。

長(zhǎng)期從事大功率半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)工作，作為“先進(jìn)輸電技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”器件方向?qū)W術(shù)帶頭人，研發(fā)的3300V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片和器件實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，被收錄在2020年國(guó)資委《中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果推薦目錄》。2021年，自研3300V/1500A IGBT在廈門(mén)柔性直流輸電工程的鷺島換流站成功掛網(wǎng)運(yùn)行，標(biāo)志著IGBT核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)了完全自主可控。作為最年輕的首席科學(xué)家，主持2016年首批國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目，成功研制了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超大功率4500V/3000A壓接型IGBT,可以支持大規(guī)模海上風(fēng)電接入和長(zhǎng)距離大容量柔性直流輸電等新能源的戰(zhàn)略實(shí)施,并在張北柔性直流工程延慶站示范應(yīng)用，在國(guó)家“十三五”科技創(chuàng)新成就展中得到高度認(rèn)可。

黃銘敏

四川大學(xué)物理學(xué)院微電子學(xué)系，

微電子技術(shù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，副教授

報(bào)告主題：《碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)》

嘉賓簡(jiǎn)介：黃銘敏，2016年6月博士畢業(yè)于電子科技大學(xué)。從事低功耗、高可靠、抗輻射功率半導(dǎo)體器件研究。主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目、四川省科技計(jì)劃項(xiàng)目和多項(xiàng)橫向項(xiàng)目，參與國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國(guó)防科技工業(yè)抗輻照中心創(chuàng)新基金等多個(gè)項(xiàng)目，研究涉及IGBT和超結(jié)MOSFET的新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及開(kāi)關(guān)可靠性?xún)?yōu)化、碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù)等。已在IEEE EDL、IEEE TED等知名期刊及國(guó)際會(huì)議發(fā)表論文40余篇，其中一作/通訊作者SCI論文15篇。已獲授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利20余項(xiàng)，其中以第一發(fā)明人獲美國(guó)發(fā)明專(zhuān)利1項(xiàng)，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利14項(xiàng)。2019年12月發(fā)表論文被Electronics Letters評(píng)選為當(dāng)期唯一的Feature Article。擔(dān)任IEEE TED、SST等多個(gè)SCI期刊審稿人。獲得四川大學(xué)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)1次，校級(jí)教學(xué)獎(jiǎng)項(xiàng)10余次。

蔣華平

重慶大學(xué)研究員

報(bào)告主題：《碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移》

嘉賓簡(jiǎn)介：蔣華平，男，1982年生，博士，重慶大學(xué)“百人計(jì)劃”特聘研究員，博士生導(dǎo)師。專(zhuān)注于碳化硅功率半導(dǎo)體芯片、封裝、測(cè)試以及應(yīng)用技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)10余年：中國(guó)中車(chē)2年、英國(guó)丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英國(guó)華威大學(xué)（University of Warwick）2年、重慶大學(xué)5年。發(fā)表學(xué)術(shù)論文共計(jì)70余篇，其中期刊論文40余篇、會(huì)議論文30余篇。中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利40余項(xiàng)，其中已授權(quán)14項(xiàng)，英國(guó)發(fā)明專(zhuān)利2項(xiàng)。牽頭制定第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)，參與制定美國(guó)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)。最早于國(guó)際頂級(jí)期刊IEEE Electron Device Letter上報(bào)道碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移問(wèn)題。提出的局域電場(chǎng)增強(qiáng)理論，以及系列學(xué)術(shù)論文，被德國(guó)Infineon引用，作為JEDEC JEP195標(biāo)準(zhǔn)的制定依據(jù)。牽頭制定第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)“碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運(yùn)行條件下閾值穩(wěn)定性測(cè)試方法”。

劉  雯

西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授

報(bào)告主題：《用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成》

嘉賓簡(jiǎn)介：劉雯博士，西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院電子與電氣工程系高級(jí)副教授，博士生導(dǎo)師，英國(guó)高等教育協(xié)會(huì)會(huì)士，IEEE 電路與系統(tǒng)/電子器件學(xué)會(huì)蘇州分會(huì)主席，國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)青年創(chuàng)新促進(jìn)委員會(huì)副主任委員，IEEE高級(jí)會(huì)員。2004年北京大學(xué)電子學(xué)系畢業(yè)，2008年取得新加坡南洋理工大學(xué)電子電氣工程學(xué)院博士學(xué)位；主要研究方向?qū)捊麕О雽?dǎo)體氮化鎵、碳化硅電力電子器件及其單片集成電路設(shè)計(jì)與制備關(guān)鍵技術(shù)。發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇，多次受邀發(fā)表國(guó)際會(huì)議報(bào)告。

周賢達(dá)

廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院 副教授

報(bào)告主題：《非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)》

嘉賓簡(jiǎn)介：周賢達(dá)，電子科技大學(xué)本科（2005年）及碩士（2008年），2013年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)，隨后在香港工業(yè)界先后負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn)，2017年至2022年擔(dān)任中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院副研究員，自2022年起擔(dān)任廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院副教授（青年百人A級(jí)）。周賢達(dá)博士成功推出過(guò)多款量產(chǎn)產(chǎn)品，累計(jì)獲中外發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)18項(xiàng)，主持2項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級(jí)會(huì)議和權(quán)威期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文12篇，并長(zhǎng)期擔(dān)任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的審稿人以及業(yè)界知名企業(yè)技術(shù)顧問(wèn)。

林書(shū)勛

成都海威華芯科技有限公司 博士 生產(chǎn)總監(jiān)

報(bào)告主題：《新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用》

嘉賓簡(jiǎn)介：林書(shū)勛，男，高級(jí)工程師，1986年生，2016年獲得北京大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，同年加入成都海威華芯科技有限公司，現(xiàn)任海威華芯生產(chǎn)總監(jiān)。主要研究方向?yàn)榛衔锇雽?dǎo)體器件及電路設(shè)計(jì)及制造，在半導(dǎo)體物理、器件物理方面有深厚的理論功底，以第一作者在國(guó)際著名微電子學(xué)期刊雜志IEEE EDL、JAP等上發(fā)表論文10余篇，在國(guó)際上首次使用氧化輔助濕法腐蝕的方法實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型氮化鎵功率器件，有10年以上化合物半導(dǎo)體研發(fā)及制造經(jīng)驗(yàn)，并擁有國(guó)內(nèi)外專(zhuān)利20余項(xiàng)，參與中國(guó)第一條6英寸化合物半導(dǎo)體專(zhuān)用生產(chǎn)線的建設(shè)及投產(chǎn)，開(kāi)發(fā)了多套量產(chǎn)化的化合物半導(dǎo)體工藝制程，承擔(dān)國(guó)家、省市級(jí)科研項(xiàng)目累計(jì)十余項(xiàng)。

唐高飛

杭州云鎵半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)

報(bào)告主題：《氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景》

嘉賓簡(jiǎn)介：唐高飛，2010~2014畢業(yè)于電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，2014~2018于香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系攻讀博士學(xué)位，主要從事氮化鎵器件設(shè)計(jì)與單片集成技術(shù)開(kāi)發(fā)。2018年加入華為技術(shù)有限公司數(shù)字能源產(chǎn)品線從事氮化鎵器件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。2023年加入云鎵半導(dǎo)體，目前擔(dān)任公司研發(fā)總監(jiān)。

張亞民

北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院副教授

報(bào)告主題：《面向氮化鎵微波功率器件的異質(zhì)界面溫升表征方法》

嘉賓簡(jiǎn)介：張亞民，北京工業(yè)大學(xué)，微電子學(xué)院，副教授/博導(dǎo)。2015年6月畢業(yè)于北京工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位，同年留校從事教學(xué)科研工作。多年來(lái)一直致力于新型半導(dǎo)體器件及可靠性的研究。近5年，作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人先后主持國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金、面上項(xiàng)目，北京市自然科學(xué)基金面上、小米創(chuàng)新聯(lián)合基金等項(xiàng)目14項(xiàng)；發(fā)表SCI論文50余篇，其中近五年以第一作者或通訊作者在IEEE TPE/TIM/TED/EDL、APL等雜志發(fā)表SCI論文20余篇；授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利20余件，作為主要人員研制的熱特性分析儀器在30余家企事業(yè)單位應(yīng)用，獲北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)-技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)，中國(guó)電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。

代高強(qiáng)

成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司

副總裁，電源系統(tǒng)BU負(fù)責(zé)人

報(bào)告主題：《高功率密度高壓DC方案改善算力系統(tǒng)配電效率》

嘉賓簡(jiǎn)介：代高強(qiáng)，成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司合伙人，電源系統(tǒng)BU負(fù)責(zé)人，電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)碩士。從事功率半導(dǎo)體的研發(fā)、應(yīng)用相關(guān)工作十余年。

化夢(mèng)媛

南方科技大學(xué) 助理教授

報(bào)告主題：《Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：化夢(mèng)媛，2013年本科畢業(yè)于清華大學(xué)物理系，2017年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系，2018年至今為南方科技大學(xué)電子系助理教授，副研究員，博士生導(dǎo)師，致力于寬禁帶半導(dǎo)體器件與IC研究，共發(fā)表國(guó)際高水平期刊與會(huì)議論文100余篇，引用超3100次。成果包括國(guó)際頂會(huì)IEDM 7篇， ISPSD 11篇，IEEE EDL 16篇，IEEE TED 8篇等，主持國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目5項(xiàng)。

蔣其夢(mèng)

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 研究員

報(bào)告主題：《氮化鎵功率器件開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)的研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：蔣其夢(mèng)，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員。2003年到2010年就讀于電子科技大學(xué)，2015年畢業(yè)于香港科技大學(xué)獲博士學(xué)位，同年加入國(guó)內(nèi)Tier-1公司工作，2018年任氮化鎵（GaN）功率器件開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)帶頭人。2021年2月加入中科院微電子研究所，聘為研究員，獲中科院百人計(jì)劃擇優(yōu)支持。2010年以來(lái)一直致力于GaN基功率器件及集成電路的研究，在GaN-on-SOI襯底平臺(tái)，硅基GaN襯底交調(diào)效應(yīng)，硅基GaN集成電路設(shè)計(jì)等研究方面取得一些較有國(guó)際影響力的創(chuàng)新成果。帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，從0到1實(shí)現(xiàn)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的氮化鎵器件及集成芯片的技術(shù)突破及產(chǎn)品量產(chǎn)。2013年獲得國(guó)際頂級(jí)會(huì)議ISPSD最佳青年口頭報(bào)告獎(jiǎng)（Charitat Award）。

魏家行

東南大學(xué)集成電路學(xué)院副研究員

報(bào)告主題：《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：魏家行，博士，東南大學(xué)副研究員，主要從事功率半導(dǎo)體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國(guó)際會(huì)議論文40余篇，其中一作/通訊20篇；授權(quán)PCT專(zhuān)利2項(xiàng)，中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利15項(xiàng)；主持/骨干參與國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等項(xiàng)目10余項(xiàng)；獲東南大學(xué)“至善青年學(xué)者”支持；獲2021年江蘇省科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)。

鄭柘煬

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家示范性微電子學(xué)院

特任教授、博士生導(dǎo)師

報(bào)告主題：《面向全GaN集成的互補(bǔ)型邏輯器件與電路》

嘉賓簡(jiǎn)介：鄭柘煬博士現(xiàn)為中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院特任教授、博士生導(dǎo)師。主要研究興趣為半導(dǎo)體理論、器件物理、器件設(shè)計(jì)、器件-電路交互、以及器件與集成電路的制備工藝，尤其是寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件在高效電能轉(zhuǎn)換（電力電子/功率電子）以及無(wú)線通信（射頻電路）的應(yīng)用。研究工作發(fā)表于Nature Electronics, IEEE Electron Device Letters, Advanced Materials, Applied Physics Letters, IEDM 和 ISPSD等高水平國(guó)際期刊和會(huì)議，其中關(guān)于GaN CMOS IC的研究獲得2021年度中國(guó)半導(dǎo)體十大進(jìn)展提名獎(jiǎng)。

王方洲

松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師

報(bào)告主題：《低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究》

嘉賓簡(jiǎn)介：王方洲博士，松山湖材料實(shí)驗(yàn)室公共技術(shù)平臺(tái)工程師，畢業(yè)于電子科技大學(xué)，專(zhuān)注于GaN功率半導(dǎo)體器件的理論模型、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件工藝和測(cè)試表征等方面的研究。在博士期間，通過(guò)松山湖材料實(shí)驗(yàn)室牽頭的“廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃”合作項(xiàng)目，完整經(jīng)歷其公共技術(shù)平臺(tái)的GaN器件工藝能力建設(shè)進(jìn)程，主導(dǎo)和完成全流程關(guān)鍵工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，面向應(yīng)用需求實(shí)現(xiàn)整片晶圓上的大柵寬器件工藝整合，獲得高性能和高一致性的增強(qiáng)型GaN功率器件。近年來(lái)，參與多項(xiàng)國(guó)家級(jí)和省部級(jí)項(xiàng)目，發(fā)表SCI期刊以及國(guó)際會(huì)議論文共20余篇，其中第一作者論文8篇，h-index為12，申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利17項(xiàng)，其中授權(quán)7項(xiàng)。

孫佳慧

香港科技大學(xué)博士后孫佳慧

報(bào)告主題：《肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性》

嘉賓簡(jiǎn)介：孫佳慧，師從碳化硅器件專(zhuān)家盛況教授。2018年獲得香港政府博士獎(jiǎng)學(xué)金計(jì)劃（HKPFS）資助，于香港科技大學(xué)攻讀博士學(xué)位，師從氮化鎵器件專(zhuān)家陳敬教授（Kevin J. Chen，IEEE fellow）。2022年博士畢業(yè)后，作為博士后在陳敬教授課題組繼續(xù)從事研究工作。2024年5月將轉(zhuǎn)任香港科技大學(xué)研究助理教授。近年來(lái)，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體功率器件可靠性的主題，作為第一作者或通訊作者在電力電子與電子器件兩大領(lǐng)域的頂級(jí)期刊發(fā)表論文11篇。作為第一作者，連續(xù)8年在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級(jí)會(huì)議“功率半導(dǎo)體與集成電路國(guó)際會(huì)議” (ISPSD) 報(bào)道研究成果。申請(qǐng)了一項(xiàng)美國(guó)發(fā)明專(zhuān)利。作為第一作者發(fā)表的研究成果共獲得20位中國(guó)、美國(guó)、丹麥院士和IEEE fellow以及十余家著名企業(yè)的引用與正面評(píng)價(jià)。

更多報(bào)告嘉賓將持續(xù)公布，敬請(qǐng)期待！

擬參與單位：

電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國(guó)際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國(guó)星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽(yáng)光電源、揚(yáng)杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門(mén)子、博世、三環(huán)集團(tuán)、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、國(guó)家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛(ài)科賽博 、小鵬汽車(chē)、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車(chē)、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)院電工所、立昂微電子、長(zhǎng)川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體……

活動(dòng)參與：

注冊(cè)費(fèi)2800元，4月18日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開(kāi)戶(hù)行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱(chēng)：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱(chēng)+姓名+成都，以便后續(xù)查詢(xún)及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）

報(bào)告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會(huì)及商務(wù)合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱(chēng)：成都金韻酒店（成都金府路668號(hào)）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價(jià)格：400  元/每晚（含早）