以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體相對(duì)于硅半導(dǎo)體具有顯著的高頻、高效、高壓、高溫特性優(yōu)勢(shì)，將為電能變換帶來顛覆性變革。然而現(xiàn)有的器件封裝技術(shù)還是基于硅半導(dǎo)體發(fā)展而來，難于充分發(fā)揮碳化硅半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為碳化硅器件走向大規(guī)模應(yīng)用的瓶頸性問題。

4月26-28日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）”將于成都召開。開幕大會(huì)上，西安交通大學(xué)系主任、教授，西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)王來利受邀將出席會(huì)議，并做《碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究成果。報(bào)告將結(jié)合團(tuán)隊(duì)的主要研究經(jīng)歷，詳細(xì)介紹碳化硅器件的應(yīng)用價(jià)值、封裝面臨的主要挑戰(zhàn)及團(tuán)隊(duì)所開展的研究工作。

王來利，西安交通大學(xué)教授、博導(dǎo)，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者，中國(guó)電源學(xué)會(huì)杰出青年獎(jiǎng)獲得者，陜西科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)帶頭人，承擔(dān)國(guó)家級(jí)項(xiàng)目8項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文240余篇，以第一完成人獲得中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、陜西省自然科學(xué)二等獎(jiǎng)各1項(xiàng)，擔(dān)任8個(gè)國(guó)際國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)組織分支機(jī)構(gòu)主席（主任）、副主席（副主任）職務(wù)，IEEE Transactions on Power Electronics等3個(gè)電力電子領(lǐng)域期刊副主編。

會(huì)議信息

“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）是在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)聯(lián)合電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、成都信息工程大學(xué)、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2024年4月26-28日共同主辦”，論壇會(huì)議內(nèi)容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

會(huì)議時(shí)間：2024年4月26-28日

會(huì)議地點(diǎn)：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機(jī)構(gòu)：

指導(dǎo)單位：

電子科技大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

成都信息工程大學(xué)

電子科技大學(xué)集成電路研究中心

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會(huì)：

大會(huì)主席：張波

程序委員會(huì)主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會(huì)：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚(yáng) 郭清 魏進(jìn) 金銳 周春華 劉成 蔣其夢(mèng) 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

主題方向：

1.硅基功率器件與集成技術(shù)

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.模組與封裝技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

5.功率集成電路設(shè)計(jì)

功率集成IC設(shè)計(jì)、寬禁帶功率器件驅(qū)動(dòng)IC、功率集成電路測(cè)試技術(shù)、功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù)

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等

三、會(huì)議日程（擬定）   

時(shí)間：2024年4月26-28日    

地點(diǎn)：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區(qū)金府路668號(hào)

 擬參與單位：

電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國(guó)際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、西安理工大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國(guó)星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽光電源、揚(yáng)杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團(tuán)、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、國(guó)家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)院電工所、立昂微電子、長(zhǎng)川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體、高芯（河南）半導(dǎo)體……

活動(dòng)參與：

注冊(cè)費(fèi)2800元，4月18日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費(fèi)方式

①銀行匯款

開戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動(dòng)支付

備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）

報(bào)告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會(huì)及商務(wù)合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號(hào)）

聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價(jià)格：400  元/每晚（含早）