2024年4月26日，“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2024）”在成都開幕。會(huì)議在電子科技大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)下，由電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、電子科技大學(xué)集成電路研究中心、成都信息工程大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、中國電源學(xué)會(huì)元器件專業(yè)委員會(huì)共同主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦，成都氮矽科技有限公司協(xié)辦。論壇會(huì)議內(nèi)容涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
本次會(huì)議除開幕大會(huì)外，兩天時(shí)間里，還設(shè)置了兩大平行論壇，圍繞“硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”、“高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用“等主題方向，來自高?？蒲性核约爱a(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的實(shí)力派嘉賓代表將深入研討，攜手促進(jìn)功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用發(fā)展。
日前，會(huì)議日程出爐，詳情如下：
總體日程安排
|
時(shí)間 |
主要安排 |
||
|
4月27日 |
09:00-20:00 |
報(bào)到&資料領(lǐng)取 |
|
|
11:00-13:30 |
自助午餐 |
||
|
13:30-17:30 |
開幕大會(huì)暨主旨報(bào)告 |
||
|
19:00-21:00 |
歡迎晚宴 |
||
|
4月28日 |
08:30-12:00 |
分論壇1： |
|
|
12:00-13:30 |
自助午餐&交流 |
||
|
13:30-18:00 |
分論壇1： |
分論壇2： |
|
|
備注：僅供參考，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。 |
|||
|
時(shí)間 |
題目 |
報(bào)告人 |
主持人 |
|
4月27日 開幕大會(huì)及主旨報(bào)告 13:30-18:00 |
|||
|
13:30-13:50 |
嘉賓致辭
|
||
|
13:50-14:20 |
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望 |
趙璐冰---第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 |
周 琦 電子科技大學(xué)教授
|
|
14:20-14:50 |
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用 |
羅小蓉 —— 成都信息工程大學(xué)副校長、電子科技大學(xué)教授、 |
|
|
14:50-15:20 |
大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索
|
相 奇 —— 芯粵能半導(dǎo)體首席技術(shù)官 |
|
|
15:20-15:35 |
Cofee break/茶歇 |
||
|
15:35-16:05 |
硅基脈沖功率器件
|
陳萬軍 電子科技大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長 教授 |
趙璐冰 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 |
|
16:05-16:35 |
碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究 |
王來利 西安交通大學(xué)系主任、教授 西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長 |
|
|
16:35-17:05 |
高密度IGBT實(shí)現(xiàn)技術(shù) |
孟繁新 成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司CTO |
|
|
17:05-18:00 Panel Discussion/圓桌對(duì)話
|
|||
|
19:00-21:00 歡迎晚宴 |
|||
|
|
|||
|
4月28日 8:30-12:00 13:30-18:00 分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用 |
|||
|
8:30-8:50 |
ICT場(chǎng)景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn) |
包琦龍 海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家 |
周琦 電子科技大學(xué)教授
|
|
8:50-9:10 |
PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù) |
劉 勇 成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān) |
|
|
9:10-9:30 |
GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究
|
張紫輝 廣東工業(yè)大學(xué)教授 |
|
|
9:30-9:50 |
氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究 |
蔣其夢(mèng) 中國科學(xué)院微電子所研究員
|
|
|
9:50-10:10 |
氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法
|
張亞民 北京工業(yè)大學(xué)副教授
|
|
|
10:10-10:25 |
茶歇-Coffee break |
||
|
10:25-10:55 |
高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究
|
魏 杰 電子科技大學(xué)研究員 |
周弘 西安電子科技大學(xué)教授
|
|
10:55-11:15 |
非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn) |
周賢達(dá) 廣東工業(yè)大學(xué)副教授
|
|
|
11:15-11:35 |
Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究
|
化夢(mèng)媛 南方科技大學(xué)助理教授 |
|
|
11:35-11:50 |
高功率氧化鎵肖特基二極管研究 |
韓仕達(dá) 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 工程師 |
|
|
11:55-12:10 |
一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信
|
任開琳 上海大學(xué)副教授 |
|
|
12:00-13:30 午餐自助 |
|||
|
13:30-13:50 |
金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究
|
朱嘉琦 哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授 |
羅鵬 氮矽半導(dǎo)體總經(jīng)理 |
|
13:50-14:10 |
金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制 |
徐躍杭 電子科技大學(xué)教授、電子科技大學(xué)長三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任 |
|
|
14:10-14:30 |
高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用 |
姚佳飛 南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛 |
|
|
14:30-14:50 |
新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用 |
林書勛 成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān) |
潘嶺峰 萊普科技副總經(jīng)理 |
|
14:50-15:10 |
用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成
|
劉 雯 西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授 |
|
|
15:10-15:30 |
肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性
|
孫佳慧 香港科技大學(xué)助理教授 |
|
|
15:30-15:45 |
Coffee Break/茶歇
|
||
|
15:45-16:05 |
如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？ |
魏 進(jìn) 北京大學(xué)研究員 |
黃義 重慶郵電大學(xué)教授
|
|
16:05-16:25 |
基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備 |
巫 江 電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院副院長 |
|
|
16:25-16:45 |
應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù) |
劉 成 湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 研發(fā)經(jīng)理 |
|
|
16:45-17:00 |
氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景 |
唐高飛 云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)
|
明鑫 電子科技大學(xué)教授 |
|
17:00-17:15 |
低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究 |
王方洲 松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師 |
|
|
17:15-17:30 |
氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件
|
徐光偉 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員
|
|
|
17:30-17:45 |
高壓大功率氧化鎵晶體管研究 |
王晨璐 西安電子科技大學(xué)博士后
|
|
|
17:45- 18:00 |
氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計(jì)流程
|
李 帆 西交利物浦大學(xué) |
|
|
4 月28日 8:30-12:00 分論壇2：高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用 |
|||
|
8:30-8:50 |
碳化硅MOSFET研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn) |
金 銳 北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所所長 |
鄧小川
電子科技大學(xué) |
|
8:50-9:10 |
SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā) |
程新紅 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員
|
|
|
9:10-9:30 |
硅基超結(jié)-功率半導(dǎo)體More silicon發(fā)展的主力器件 |
章文通 電子科技大學(xué)教授
|
|
|
9:30-9:50 |
碳化硅功率器件的輻射效應(yīng)及抗輻射技術(shù) |
黃銘敏 四川大學(xué)副教授
|
|
|
9:50-10:10 |
碳化硅MOSFET動(dòng)態(tài)閾值漂移
|
蔣華平 重慶大學(xué)教授 |
|
|
10:10-10:25 |
茶歇-Coffee break |
||
|
10:25-10:55 |
高功率密度高壓DC方案改善算力系統(tǒng)配電效率 |
代高強(qiáng) 成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司研發(fā)副總裁 |
王德君 大連理工大學(xué)教授
|
|
10:55-11:15 |
IGBT的技術(shù)演進(jìn)與未來發(fā)展趨勢(shì) |
張金平 電子科技大學(xué)研究員
|
|
|
11:15-11:35 |
先進(jìn)鍵合集成技術(shù)與應(yīng)用 |
母鳳文 北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司董事長 |
|
|
11:35-11:55 |
在功率變換器中電流檢測(cè)的挑戰(zhàn)
|
嚴(yán)穎怡 電子科技大學(xué)教授 |
|
|
11:55-12:10 |
基于多層級(jí)多場(chǎng)域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究 |
劉人寬 電子科技大學(xué)博后 |
|
|
12:00-13:30 午餐自助 |
|||
|
13:30-13:50 |
SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及MOS器件可靠性
|
王德君 大連理工大學(xué)教授 |
張金平 電子科技大學(xué)研究員
|
|
13:50-14:10 |
碳化硅先進(jìn)封裝及全銅化技術(shù) |
葉懷宇 南方科技大學(xué)副教授
|
|
|
14:10-14:30 |
3C/4H-SiC異構(gòu)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)器件的構(gòu)建和模擬 |
韋文生 溫州大學(xué)教授
|
|
|
14:30-14:50 |
高可靠性車載sic功率器件是高質(zhì)量國產(chǎn)替代的關(guān)鍵 |
高 巍 蓉矽半導(dǎo)體副總經(jīng)理 |
葉懷宇
南方科技大學(xué)副教授
|
|
14:50-15:10 |
SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
|
何艷靜 西安電子科技大學(xué)副教授 |
|
|
15:10-15:25 |
光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究 |
王 曦 西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院 院長助理 |
|
|
15:25-15:40 |
Coffee Break/茶歇 |
||
|
15:40-16:00 |
基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路研究 |
李俊宏 電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院 副教授 |
程新紅
中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員
|
|
16:00-16:20 |
碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究 |
魏家行 東南大學(xué)集成電路學(xué)院副教授 |
|
|
16:20-16:40 |
基于工藝的IGBT動(dòng)靜態(tài)參數(shù)TCAD建模研究 |
劉 盼 復(fù)旦大學(xué)副教授，上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心副主任 |
|
|
16:40-17:00 |
SiC功率模塊封裝燒結(jié)互連技術(shù) |
劉 洋 哈爾濱理工大學(xué)教授 |
|
|
17:00-17:15 |
碳化硅MOSFET的第三象限特性研究 |
李 旭 電子科技大學(xué)博士生 |
|
|
17:15-17:30 |
SiC MOS器件偏壓溫度應(yīng)力可靠性劣化的缺陷物理機(jī)制 |
崔鵬飛 大連理工大學(xué) |
|
|
17:30-17:45 |
集成4H-SiC/Si空穴控制結(jié)和半超結(jié)的FS-IGBT
|
汪子盛 溫州大學(xué) |
|
會(huì)議時(shí)間：2024年4月26-28日
會(huì)議地點(diǎn)：四川·成都·成都金韻酒店六層
組織機(jī)構(gòu)：
指導(dǎo)單位：
電子科技大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
電子薄膜與集成器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
成都信息工程大學(xué)
電子科技大學(xué)集成電路研究中心
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
中國電源學(xué)會(huì)元器件專業(yè)委員會(huì)
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦支持：
成都氮矽科技有限公司
程序委員會(huì)：
大會(huì)主席：張波
程序委員會(huì)主席：羅小蓉
副主席：趙璐冰 周琦
程序委員會(huì)：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚(yáng) 郭清 魏進(jìn) 金銳 周春華 劉成 蔣其夢(mèng) 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等
擬參與單位：
電子科技大學(xué)、成都信息工程大學(xué)、中芯國際、三安半導(dǎo)體、浙江大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、東南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、清華大學(xué)、西安理工大學(xué)、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、ULVAC、華虹半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、蓉矽半導(dǎo)體、陽光電源、揚(yáng)杰科技、英飛凌、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、南京大學(xué)、中科院微電子所、長飛半導(dǎo)體、華為、海思半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學(xué)、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團(tuán)、中科院微電子所、中鎵半導(dǎo)體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、國家電網(wǎng)、華大半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復(fù)旦大學(xué)、東莞天域、比亞迪半導(dǎo)體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導(dǎo)體、中國科學(xué)院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學(xué)、云鎵半導(dǎo)體， 高芯（河南）半導(dǎo)體……
活動(dòng)參與：
注冊(cè)費(fèi)2800元，4月18日前注冊(cè)報(bào)名2500元（含會(huì)議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。
2、繳費(fèi)方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào)：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動(dòng)支付
備注：通過銀行匯款/移動(dòng)支付，請(qǐng)務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（接受現(xiàn)金和刷卡）
報(bào)告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會(huì)及商務(wù)合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
協(xié)議酒店：
酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號(hào)）
聯(lián)系人 何經(jīng)理 13548180263，2569807009@qq.com
協(xié)議價(jià)格：400 元/每晚（含早）
