時(shí)間

主要安排

4月27日

09:00-20:00

報(bào)到&資料領(lǐng)取

13:30-17:30

開幕大會(huì)暨主旨報(bào)告

19:00-21:00

歡迎晚宴

4月28日

08:30-12:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用

分論壇2：高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用

12:00-13:30

自助午餐&交流

13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用

分論壇2：高壓器件設(shè)計(jì)、集成及封裝應(yīng)用

18:00-20:00

自助晚餐&交流

備注：僅供參考，以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

時(shí)間

題目

報(bào)告人

主持人

4月27日13:30-18:00

開幕大會(huì)及主旨報(bào)告

13:30-13:50

嘉賓致辭

13:50-14:20

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

羅小蓉--成都信息工程大學(xué)副校長(zhǎng)、電子科技大學(xué)教授

周 琦--電子科技大學(xué)教授

14:20-14:50

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)

14:50-15:20

大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

相  奇--芯粵能半導(dǎo)體首席技術(shù)官

15:20-15:35

Cofee break/茶歇

15:35-16:05

硅基脈沖功率器件

陳萬軍--電子科技大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授

趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)

16:05-16:35

碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究

王來利--西安交通大學(xué)系主任、教授

西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)

16:35-17:05

高密度IGBT實(shí)現(xiàn)技術(shù)

孟繁新--成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司CTO   

17:05-18:00

Panel Discussion/圓桌對(duì)話

1.  在面臨寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN等的競(jìng)爭(zhēng)，傳統(tǒng)Si基功率半導(dǎo)體未來的方向在何方，未來是否還能持續(xù)現(xiàn)在霸主的地位？ 在此背景下SiC/GaN的機(jī)會(huì)又在哪里？ 

2. SiC目前受到新能源汽車的帶動(dòng)，發(fā)展迅速，下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)可能在哪個(gè)領(lǐng)域，何時(shí)會(huì)到來？在爆發(fā)前所面臨需要的突破的瓶頸是什么？目前， 這方面國(guó)內(nèi)和國(guó)際上的發(fā)展情況如何？

3. 前有硅基功率器件，同時(shí)有SiC的競(jìng)爭(zhēng)，請(qǐng)展望一下GaN的發(fā)展空間？除消費(fèi)類電源適配器這個(gè)應(yīng)用，下一個(gè)可能大規(guī)模應(yīng)用的領(lǐng)域在哪里？

4. 同是寬禁帶的GaO，金剛石，AlN等的機(jī)會(huì)在哪里？目前，國(guó)內(nèi)這方面很熱。然而國(guó)外的熱度反而沒有那么高，為什么 ?

19:00-21:00 歡迎晚宴

4月28日 8:30-12:00  13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用

08:30-08:50

ICT場(chǎng)景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn)

包琦龍--海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家

周琦--電子科技大學(xué)教授

08:50-09:10

PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

劉  勇--成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)

09:10-09:30

GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

張紫輝--廣東工業(yè)大學(xué)教授

09:30-09:50

氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

蔣其夢(mèng)--中國(guó)科學(xué)院微電子所研究員

09:50-10:10

氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法

張亞民--北京工業(yè)大學(xué)副教授

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

魏  杰--電子科技大學(xué)研究員  

周弘--西安電子科技大學(xué)教授

10:55-11:15

非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

周賢達(dá)--廣東工業(yè)大學(xué)副教授

11:15-11:35

Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究

化夢(mèng)媛--南方科技大學(xué)助理教授

11:35-11:50

高功率氧化鎵肖特基二極管研究

韓仕達(dá)--中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 工程師

11:55-12:10

一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信

任開琳--上海大學(xué)副教授

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究

朱嘉琦--哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

羅鵬--氮矽半導(dǎo)體總經(jīng)理

13:50-14:10

金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制

徐躍杭--電子科技大學(xué)教授、電子科技大學(xué)長(zhǎng)三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任

14:10-14:30

高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用

姚佳飛--南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)姚佳飛

14:30-14:50

新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用

林書勛--成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān)

潘嶺峰--萊普科技副總經(jīng)理

14:50-15:10

用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

劉 雯--西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授

15:10-15:30

肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性

孫佳慧--香港科技大學(xué)助理教授 

15:30-15:45

Coffee Break/茶歇

15:45-16:05

如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

魏  進(jìn)--北京大學(xué)研究員

黃義--重慶郵電大學(xué)教授

16:05-16:25

基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

巫  江--電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院副院長(zhǎng)

16:25-16:45

應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)

劉  成--湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 研發(fā)經(jīng)理

16:45-17:00

氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景

唐高飛--云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)

明鑫--電子科技大學(xué)教授

17:00-17:15

低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

王方洲--松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師

17:15-17:30

氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件

徐光偉--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員

17:30-17:45

高壓大功率氧化鎵晶體管研究

王晨璐--西安電子科技大學(xué)博士后

17:45-18:00

氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計(jì)流程

李  帆--西交利物浦大學(xué) 

備注：最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。

時(shí)間

題目

報(bào)告人

主持人

4月27日13:30-18:00

開幕大會(huì)及主旨報(bào)告

13:30-13:50

嘉賓致辭

13:50-14:20

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用

羅小蓉--成都信息工程大學(xué)副校長(zhǎng)、電子科技大學(xué)教授

周 琦--電子科技大學(xué)教授

14:20-14:50

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及展望

趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)

14:50-15:20

大規(guī)模碳化硅功率器件制造探索

相  奇--芯粵能半導(dǎo)體首席技術(shù)官

15:20-15:35

Cofee break/茶歇

15:35-16:05

硅基脈沖功率器件

陳萬軍--電子科技大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院副院長(zhǎng)、教授

趙璐冰--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)

16:05-16:35

碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究

王來利--西安交通大學(xué)系主任、教授

西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)

16:35-17:05

高密度IGBT實(shí)現(xiàn)技術(shù)

孟繁新--成都森未科技有限公司首席專家、成都高投芯未半導(dǎo)體有限公司CTO   

17:05-18:00

Panel Discussion/圓桌對(duì)話

1.  在面臨寬禁帶半導(dǎo)體SiC/GaN等的競(jìng)爭(zhēng)，傳統(tǒng)Si基功率半導(dǎo)體未來的方向在何方，未來是否還能持續(xù)現(xiàn)在霸主的地位？ 在此背景下SiC/GaN的機(jī)會(huì)又在哪里？ 

2. SiC目前受到新能源汽車的帶動(dòng)，發(fā)展迅速，下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)可能在哪個(gè)領(lǐng)域，何時(shí)會(huì)到來？在爆發(fā)前所面臨需要的突破的瓶頸是什么？目前， 這方面國(guó)內(nèi)和國(guó)際上的發(fā)展情況如何？

3. 前有硅基功率器件，同時(shí)有SiC的競(jìng)爭(zhēng)，請(qǐng)展望一下GaN的發(fā)展空間？除消費(fèi)類電源適配器這個(gè)應(yīng)用，下一個(gè)可能大規(guī)模應(yīng)用的領(lǐng)域在哪里？

4. 同是寬禁帶的GaO，金剛石，AlN等的機(jī)會(huì)在哪里？目前，國(guó)內(nèi)這方面很熱。然而國(guó)外的熱度反而沒有那么高，為什么 ?

19:00-21:00 歡迎晚宴

4月28日 8:30-12:00  13:30-18:00

分論壇1：硅基、化合物功率器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用

08:30-08:50

ICT場(chǎng)景下中低壓(<200V) GaN器件應(yīng)用挑戰(zhàn)

包琦龍--海思半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體器件部技術(shù)專家

周琦--電子科技大學(xué)教授

08:50-09:10

PGaN增強(qiáng)型GaN功率器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)

劉  勇--成都氮矽科技有限公司資深GaN器件總監(jiān)

09:10-09:30

GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

張紫輝--廣東工業(yè)大學(xué)教授

09:30-09:50

氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

蔣其夢(mèng)--中國(guó)科學(xué)院微電子所研究員

09:50-10:10

氮化鎵異質(zhì)界面溫升表征方法

張亞民--北京工業(yè)大學(xué)副教授

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

魏  杰--電子科技大學(xué)研究員  

周弘--西安電子科技大學(xué)教授

10:55-11:15

非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

周賢達(dá)--廣東工業(yè)大學(xué)副教授

11:15-11:35

Ga-O原子間勢(shì)函數(shù)及其應(yīng)用研究

化夢(mèng)媛--南方科技大學(xué)助理教授

11:35-11:50

高功率氧化鎵肖特基二極管研究

韓仕達(dá)--中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所 工程師

11:55-12:10

一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管：面向高分辨率顯示與高速光通信

任開琳--上海大學(xué)副教授

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

金剛石半導(dǎo)體材料及功能器件研究

朱嘉琦--哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

羅鵬--氮矽半導(dǎo)體總經(jīng)理

13:50-14:10

金剛石半導(dǎo)體器件可靠性新機(jī)制

徐躍杭--電子科技大學(xué)教授、電子科技大學(xué)長(zhǎng)三角研究院（湖州）集成電路與系統(tǒng)中心主任

14:10-14:30

高K介質(zhì)在橫向功率器件中的應(yīng)用

姚佳飛--南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)姚佳飛

14:30-14:50

新型功率半導(dǎo)體器件在新基建中的應(yīng)用

林書勛--成都海威華芯科技有限公司生產(chǎn)總監(jiān)

潘嶺峰--萊普科技副總經(jīng)理

14:50-15:10

用于功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的氮化鎵單片集成

劉 雯--西交利物浦大學(xué)高級(jí)副教授

15:10-15:30

肖特基型p-GaN柵HEMT的柵極抗靜電魯棒性

孫佳慧--香港科技大學(xué)助理教授 

15:30-15:45

Coffee Break/茶歇

15:45-16:05

如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡(jiǎn)單易用？

魏  進(jìn)--北京大學(xué)研究員

黃義--重慶郵電大學(xué)教授

16:05-16:25

基于化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的高性能器件設(shè)計(jì)與制備

巫  江--電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院副院長(zhǎng)

16:25-16:45

應(yīng)用于工業(yè)及汽車市場(chǎng)的GaN功率器件制造技術(shù)

劉  成--湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 研發(fā)經(jīng)理

16:45-17:00

氮化鎵功率器件與工業(yè)級(jí)應(yīng)用前景

唐高飛--云鎵半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)

明鑫--電子科技大學(xué)教授

17:00-17:15

低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

王方洲--松山湖材料實(shí)驗(yàn)室工程師

17:15-17:30

氧化鎵垂直功率半導(dǎo)體器件

徐光偉--中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究員

17:30-17:45

高壓大功率氧化鎵晶體管研究

王晨璐--西安電子科技大學(xué)博士后

17:45-18:00

氫處理p-GaN柵器件開發(fā)與單片集成電路共設(shè)計(jì)流程

李  帆--西交利物浦大學(xué) 

備注：最終以現(xiàn)場(chǎng)為準(zhǔn)。