4月30日，深圳市科技創(chuàng)新局發(fā)布“關于征集2024年度科技重大專項備選課題的通知”，面向全市企業(yè)、高校、科研機構征集2024年科技重大專項備選課題，征集時間為2024年4月30日起至2024年5月21日，征集的課題將作為2024年科技重大專項指南編制參考。

征集的專項包括半導體與集成電路、智能機器人、網絡與通信、低空經濟與空天、新藥疫苗、健康診療、新材料、光載信息、合成生物、可持續(xù)發(fā)展（生態(tài)環(huán)境和雙碳技術、安全應急技術、農業(yè)、海洋、食品與化妝品技術）等10個專項，每個專項均設立具體的重點支持方向。

其中，半導體與集成電路專項重點支持方向包括開源RISC-V處理器技術、新型AI計算芯片、新一代智能EDA、先進IP技術、先進工藝和先進封裝、硅光芯片技術、新型光刻技術、CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片、通信和物聯網芯片、存儲芯片相關技術、第三代半導體器件及車規(guī)級芯片、半導體核心設備，共12個方向。

據悉，科技重大專項單個項目資助強度最高不超過3000萬元。受科技研發(fā)資金年度總額控制，各專項發(fā)布課題有數量限制，一般只設少量資助金額1000萬元以上的課題、若干500萬元（含）-1000萬元（含）的課題、適量500萬元以下的課題。

課題征集結束后，深圳市科技創(chuàng)新局將組織凝練，形成2024年科技重大專項申報項目指南，以“揭榜掛帥”形式發(fā)布。

以下為半導體與集成電路專項征集方向情況：

1.開源RISC-V處理器技術

聚焦大數據、云計算、服務器、人工智能等產業(yè)共性需求，開發(fā)和完善RISC-V開源硬件和軟件系統(tǒng)，支持RISC-V多核架構、精準評估模型、軟件工具鏈及生態(tài)等創(chuàng)新研發(fā)，鼓勵RISC-V架構的相關軟硬件IP知識產權研發(fā)創(chuàng)新。研制面向數據中心、服務器、人工智能等產業(yè)的高端RISC-V處理器芯片產品。

2.新型AI計算芯片

開展新型計算芯片架構研究，研發(fā)存算一體、類腦計算等面向人工智能領域的原生芯片架構；研究多源多模態(tài)感、存、算融合智能接口芯片技術；研究大陣列GPU流處理器體系架構；聚焦智能城市、人形機器人、智能終端等典型人工智能應用場景，布局異構智能、異構并行、邊緣計算等低功耗新型AI計算芯片，支持邊緣端萬億參數模型推理和參數優(yōu)化訓練。

3.新一代智能EDA

聚焦集成電路設計企業(yè)需求，加強EDA企業(yè)與晶圓代工企業(yè)之間的合作，開展數字、模擬、射頻、功率器件等領域EDA全鏈條工具研發(fā)，加速構建具有自主知識產權的EDA技術體系；順應芯片復雜度及設計效率提升的趨勢，運用人工智能技術升級EDA工具，實現與國產計算架構協同融合。

4.先進IP技術

加強IP企業(yè)與設計、晶圓代工和封裝等企業(yè)之間的合作，開展高速接口、處理器、模擬等領域IP研發(fā)；開發(fā)SerDes、DDR5、HBM3E（第三代高帶寬內存）、ONFi（Open NAND Flash Interface）、UCIe、Ethernet PHY等先進高速接口IP，開發(fā)高速度ADC/DAC IP等。

5.先進工藝和先進封裝

研究5nm以下環(huán)柵晶體管（GAA）器件工藝，研究新型垂直互補場效應晶體管（CFFT）等新型器件結構和工藝。攻堅異質異構集成、高密度垂直互聯、晶圓級封裝（WCP）微凸點、芯粒（Chiplet）、混合鍵合、高速互聯等先進封裝工藝技術。

6.硅光芯片技術

聚力發(fā)展光電融合芯片技術，研究探測器材料機理和結構，開發(fā)中紅外光電探測器和太赫茲探測器；開展基于硅光集成的光電芯片、片上光互聯等技術研究；開展光電混合計算、全模擬光電智能計算、全光神經網絡（ONN）、集成光學計算架構等光子計算技術研究。

7.新型光刻技術

面向14nm及以下工藝的光刻技術需求，開展EUV光源、雙重成像、浸沒式光刻、近場光刻、電子束光刻（EBL）、離子束光刻（IBL）、X射線光刻（XRL）等各種光刻關鍵技術研究。研究面向14nm及以下工藝的掩模版制作技術。

8.CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片

研究基于自主知識產權指令集研發(fā)CPU/DPU/FPGA等高性能通用芯片產品，重點支持高性能計算/服務器CPU、大型數據中心/邊緣計算DPU、千萬級以上邏輯單元的FPGA等，突破軟硬件、IP知識產權和工具鏈等關鍵技術。

9.通信和物聯網芯片

聚焦移動互聯網、5G/6G通信、云計算等應用需求，研究5G以上基帶芯片、Wi-Fi 7芯片、射頻前端芯片等產品；研發(fā)支持泛物聯網通信模組的物聯網芯片，解決大容量數據傳輸系統(tǒng)、新一代通信系統(tǒng)和高性能計算機中高速互連通信的關鍵技術。

10.存儲芯片相關技術

聚焦企業(yè)級、工業(yè)級用戶數據中心對海量數據存儲和傳輸應用需求，研究HBM（高帶寬內存）技術，研究高傳輸速率、延遲低存儲主控芯片。研究3D NAND堆疊等存儲芯片封裝核心工藝技術。研究電阻式存儲器(ReRAM)、相變存儲器（PCM）、磁阻存儲器(MRAM)、鐵電存儲器（FeRAM）等新型存儲器件。

11.第三代半導體器件及車規(guī)級芯片

布局氮化鎵、氮化鋁、金剛石等為代表超寬禁帶半導體器件開發(fā);研究第三代半導體新型器件結構、封裝和集成冷卻技術;開發(fā)IGBT/MOSFET器件。聚焦汽車核心器件需求，研究E/E架構區(qū)域處理芯片、高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）算力芯片、電池監(jiān)測和管理BMS（電池管理系統(tǒng)）芯片等。

12.半導體核心設備

鼓勵引導具有一定基礎的泛半導體設備企業(yè)轉型布局半導體設備，重點圍繞14nm以下工藝需求的沉積、刻蝕系統(tǒng)、離子注入機、PVD/CVD設備、擴散設備等前道設備，固晶機、倒裝封裝等關鍵封裝設備，28nm以下工藝需求的檢測量測設備進行攻關。

 （來源：集微）