碳化硅材料, 具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強(qiáng)化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G 通訊等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價值。在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。碳化硅材料面臨的挑戰(zhàn)，主要來自成本與質(zhì)量。質(zhì)量方面涉及低位錯密度、低應(yīng)力、P型襯底、生長和加工新技術(shù)等。近年來 SiC 襯底廠商加速推進(jìn) 8 英寸襯底的研發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度，當(dāng)尺寸擴(kuò)展到 8 英寸之后，熱應(yīng)力增大，缺陷控制更加困難，尤其是位錯缺陷的控制與 6 英寸相比還有一定差距。
2024年6月21至23日，“新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會”將在山東濟(jì)南召開，將邀請新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)高校院所專家和知名企業(yè)代表出席，共同研討新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢，分享前沿研究成果，攜手助力我國新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、南砂晶圓聯(lián)合創(chuàng)始人徐現(xiàn)剛受邀將出席會議，并做《低缺陷碳化硅單晶進(jìn)展及展望》的大會報告。8英寸SiC襯底在降低器件單位成本、增加產(chǎn)能供應(yīng)方面擁有巨大的潛力，已成為行業(yè)重要的發(fā)展和應(yīng)用方向。山東大學(xué)和中晶芯源公司近期在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得重大突破。采用物理氣相傳輸法（PVT法）實現(xiàn)了零TSD，零MPD，零層錯、超低BPD的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備。報告將分享最新研究成果。敬請關(guān)注！
徐現(xiàn)剛，山東大學(xué)教授、博導(dǎo)，晶體材料國家重點實驗室主任、新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、南砂晶圓聯(lián)合創(chuàng)始人。教育部“長江計劃”特聘教授，國家杰出青年科學(xué)基金獲得者，科技部“973“計劃首席科學(xué)家，國家科技重大專項負(fù)責(zé)人。曾任國務(wù)院學(xué)位委員會委員，國家“863”計劃半導(dǎo)體照明工程重大項目總體專家組專家，享受國務(wù)院政府特殊津貼，全國優(yōu)秀科技工作者。
徐現(xiàn)剛教授自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導(dǎo)體薄膜材料外延及器件研究工作，應(yīng)用到半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管、異質(zhì)結(jié)晶體管等多種半導(dǎo)體器件。自2000年開始進(jìn)行SiC單晶生長、加工研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工作，先后突破了2-8英寸SiC單晶生長技術(shù)，解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題。先后承擔(dān)多項科技部重大項目、863、973、國家科技重大專項及自然科學(xué)基金等，解決了寬禁帶SiC單晶制備和襯底超精密加工難題，推動了國產(chǎn)半絕緣SiC單晶襯底的國產(chǎn)化。攻克了高功率半導(dǎo)體激光器災(zāi)變損傷及熱飽和兩大難題，實現(xiàn)砷化鎵基高功率半導(dǎo)體激光外延材料和芯片的國產(chǎn)化。研究成果獲得國防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、山東省技術(shù)發(fā)明一等獎、省科技進(jìn)步一等獎等。獲國家發(fā)明專利100余項，發(fā)表論文200余篇。
一、組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位：
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
山東中晶芯源半導(dǎo)體科技有限公司
山東華光光電子股份有限公司
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院
山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
協(xié)辦支持：
山東硅酸鹽學(xué)會新材料專委會
濟(jì)南晶谷研究院
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司
北京中電科電子裝備有限公司
江蘇才道精密儀器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顧問委員會：
陳良惠 鄭有炓 吳以成 褚君浩 祝世寧 李樹深 王立軍 黃如 楊德仁 葉志鎮(zhèn) 江風(fēng)益 劉益春 羅毅 金奎娟 劉紀(jì)美
大會主席：張榮 徐現(xiàn)剛 吳玲
大會副主席：陳秀芳 趙璐冰 王垚浩 吳德華
程序委員會：
李晉閩 沈波 康俊勇 張清純 馮淦 盛況 邱宇峰 張波 柏松 陳彤 修向前 黃凱 胡卉 伊?xí)匝?黎大兵 孫濤 宋慶文 魏同波 張紫輝 鄧小川 劉斌 王曉亮 王新強(qiáng) 張進(jìn)成 吳軍 趙德剛 孫錢 楊學(xué)林 單崇新 于浩海 葉建東 王宏興 王篤福 王光緒 宋慶文 韓吉勝 黃森 馮志紅 龍世兵 房玉龍 彭燕 徐明升 朱振 夏偉 楊祥龍 孫洪波 王成新 于國建 萬成安 上官世鵬
組織委員會：
李樹強(qiáng) 李強(qiáng) 高娜 張雷 寧靜 閆方亮 崔瀠心 謝雪健 肖龍飛 薛軍帥 王榮堃 劉鵬 王雨雷 王?，| 賈欣龍 王守志 崔鵬 鐘宇 李沛旭 沈燕 杜軍軍 任穎 許建華 等
二、主題方向
1. 碳化硅晶體技術(shù)及其應(yīng)用
·碳化硅晶錠激光剝離技術(shù)及其設(shè)備
·液相法碳化硅單晶生長技術(shù)
·碳化硅外延生長技術(shù)
·先進(jìn)長晶及外延碳材石墨技術(shù)
·碳化硅功率器件設(shè)計與制造技術(shù)
·先進(jìn)碳化硅長晶爐及外延生長裝備
·先進(jìn)晶體缺陷檢測技術(shù)及其設(shè)備
·先進(jìn)研磨設(shè)備及先進(jìn)拋光技術(shù)
·激光退火設(shè)備及技術(shù)
·先進(jìn)刻蝕設(shè)備及技術(shù)
·銀燒結(jié)封裝技術(shù)及先進(jìn)封裝設(shè)備
2. 氮化鎵、超寬禁帶晶體及其應(yīng)用
·氮化鎵單晶及外延生長技術(shù)
·氮化鎵功率及射頻器件技術(shù)
·超寬禁帶半導(dǎo)體單晶技術(shù)
·鈮酸鋰晶體技術(shù)制備
·大尺寸金剛石單晶生長技術(shù)
·氧化鎵單晶生長技術(shù)
·氧化鎵外延及器件技術(shù)
·先進(jìn)AlN 單晶生長技術(shù)及其應(yīng)用
·Micro LED 技術(shù)
3. 砷化鎵、磷化銦晶體及其應(yīng)用
·砷化鎵、磷化銦單晶及外延技術(shù)
·半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用
·車用激光雷達(dá)技術(shù)及應(yīng)用
·光通信技術(shù)及應(yīng)用
·紅外LED及顯示照明技術(shù)
三、會議概覽
會議時間：2024年6月21-23日
會議酒店：山東·濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店
四、擬參與單位
北方華創(chuàng)、百識電子、比亞迪半導(dǎo)體、長飛半導(dǎo)體、東莞天域、東尼電子、華大半導(dǎo)體、華虹半導(dǎo)體、海思半導(dǎo)體、海創(chuàng)光電、瀚天天成、國星光電、基本半導(dǎo)體、江蘇宏微、晶盛機(jī)電、晶湛半導(dǎo)體、科友半導(dǎo)體、山東華光、連城數(shù)控、理想汽車、麥科信、南砂晶圓、日立、三安半導(dǎo)體、山東華光、山東華云光電、中晶芯源、是德科技、三環(huán)集團(tuán)、爍科晶體、士蘭微、STR、蘇州納維、宇晶股份、艾姆希半導(dǎo)體、晶工半導(dǎo)體、賽爾科技、通用半導(dǎo)體、泰克科技、安儲科技、華林嘉業(yè)、聯(lián)盛電子、厚德鉆石、博宏源、昂坤視覺、瑞霏光電、中科漢達(dá)、上海央米智能、同光半導(dǎo)體、泰科天潤、特思迪、ULVAC、先導(dǎo)新材、西門子、小鵬汽車、意法半導(dǎo)體、英飛凌、揚(yáng)杰科技、英諾賽科、中博芯、中電化合物、中電科二所、中電科十三所、中電科四十六所、中電科四十八所、中電科五十五所、中鎵半導(dǎo)體、中微公司、瞻芯電子、中芯國際、北京大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)、南京大學(xué)、山東大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西安交通大學(xué)、廈門大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、中科院微電子所等
五、活動參與
1、注冊費2800元，6月10日前注冊報名2500元（含會議資料袋，6月22日午餐、歡迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請具體請咨詢。
2、掃碼報名
掃碼完成預(yù)報名，然后再注冊繳費
六、繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
七、聯(lián)系方式
報告及論文投稿聯(lián)系：
賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
參會及商務(wù)合作：
賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 聯(lián)系人 ：
王先生 15811352980
八、協(xié)議酒店
1、會議酒店名稱：濟(jì)南融創(chuàng)施柏閣酒店（濟(jì)南市歷城區(qū)鳳鳴路5865號）
協(xié)議價格：大床/ 標(biāo)間 含早 500元/1-2份早餐
預(yù)訂方式：
發(fā)郵件到 預(yù)訂部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
郵件模本：晶體會議，姓名，電話，房型，入住時間，退房時間
酒店銷售經(jīng)理：謝文寧15966068948
2、周邊協(xié)議酒店
