2024年7月8日，“第三代半導體技術與產業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇”在上海新國際博覽中心開幕。
本次論壇由半導體產業(yè)網、第三代半導體產業(yè)、慕尼黑展覽（上海）有限公司共同主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司協(xié)辦。論壇聚焦第三代半導體產業(yè)鏈“材料-裝備-襯底-外延-芯片-封裝及模組-應用”等重點環(huán)節(jié)前沿技術進展。來自第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、復旦大學、意法半導體、德州儀器、英飛凌、安世半導體、芯三代半導體、忱芯科技、納微半導體等產業(yè)鏈實力派嘉賓代表出席論壇，并帶來精彩報告。
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長耿博論壇致辭時表示，當前產業(yè)發(fā)展火熱，市場、價格、技術、應用、投資等各個層面都在不斷變動，競爭愈發(fā)激烈，機遇與壓力挑戰(zhàn)并存。行業(yè)發(fā)展需要秩序和健康集中度，從聯(lián)盟的角度，能看到近些年產業(yè)技術應用的進步與探索。行業(yè)企業(yè)還需要加強在應用方面的創(chuàng)新合作，形成行業(yè)良性健康的生態(tài)有助于行業(yè)持久發(fā)展。當前國內市場以應用牽引帶動技術創(chuàng)新，如何向更大的尺寸，更低的成本，更高的性能邁進是行業(yè)同仁共同的方向。聯(lián)盟也將聯(lián)合各方力量積極推動第三代半導體在新能源、智能電網、射頻等領域的應用，希望企業(yè)能把握發(fā)展機遇，也希望我國產學研用不同環(huán)節(jié)合力支撐我國第三代半導體產業(yè)的健康發(fā)展，共同創(chuàng)造發(fā)展的美好未來。
論壇主題報告環(huán)節(jié)，九大報告從產業(yè)、技術、市場、應用等不同角度，關注汽車&工業(yè)等應用領域，分享探討產業(yè)鏈的前沿趨勢與最新進展。
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉
《第三代半導體產業(yè)發(fā)展報告解讀》
半導體新材料正在重塑全球半導體產業(yè)競爭新格局，第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長高偉做了“第三代半導體產業(yè)發(fā)展報告解讀”的主題報告，詳細分享了產業(yè)發(fā)展背景形勢、第三代半導體市場進展、生產及投融資情況、技術及產品進展等內容，分享了當前產業(yè)的諸多數(shù)據進展。其中，2023年我國第三代半導體器件市場超千億元，第三代半導體總產值超7000億元，新能源汽車是第三代半導體功率電子最大的應用領域。SiC產能供給仍顯不足，GaN功率產能保持增長態(tài)勢。技術及產品進展來看，8英寸是SiC襯底和外延趨勢，復合襯底技術備受期待。芯片器件制造專用高溫裝備國產化加速。超寬禁帶進展- Ga2O3、金剛石備受關注。國內Ga2O3相關產品僅有襯底和外延片，大電流和高壓器件、模塊正在開發(fā)中。工業(yè)級金剛石制備較為成熟，電子級金剛石尚處于基礎研究階段
德州儀器系統(tǒng)工程師張宏亮
《德州儀器推出先進的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的電機驅動系統(tǒng)》
德州儀器系統(tǒng)工程師張宏亮做了“德州儀器推出先進的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的電機驅動系統(tǒng)“的主題報告，在不斷增加的能效需求下，在不增加系統(tǒng)成本的前提下設計更小巧、更高效、更經濟實用的電機驅動器是一個挑戰(zhàn)，報告分享了先進的集成式 GaN 智能功率模塊 (IPM)DRV7308以及基于GaN的圖騰柱功率因數(shù)較正 (PFC) 參考設計TIDA-010236、TIDA-010255 2kW 電機逆變器、 650V 集成式 GaN IPM等產品，報告指出，650V 智能電源模塊 (IPM) 集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調 (HVAC)系統(tǒng)逆變器達到 99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。
意法半導體技術市場部經理孫君穎
《意法半導體碳化硅MOS的技術路線和中國市場策略》
意法半導體技術市場部經理孫君穎做了”意法半導體碳化硅MOS的技術路線和中國市場策略“的主題報告，分享了SiC MOSFET最新技術發(fā)展優(yōu)勢圖，超結結構中的MDSiC，SiC封裝技術、SiC MOSFET封裝技術等內容。報告指出，意法半導體是全球知名的IDM模擬芯片廠商，一直在積極推進碳化硅業(yè)務。中國是碳化硅的主要市場，并且與三安光電展開合作推動碳化硅業(yè)務，并將擴大SiC器件制造能力。
復旦大學青年研究員樊嘉杰
《SiC功率器件及模塊的先進封裝及可靠性優(yōu)化設計》
隨著電子封裝技術向微型化、高密度、集成化、高可靠方向發(fā)展，芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝、系統(tǒng)級芯片、三維立體封裝將陸續(xù)在碳化硅（SiC）功率模塊封裝中被采用。先進封裝及可靠性技術是保證寬禁帶半導體性能優(yōu)勢并實現(xiàn)長期有效服役的關鍵，屬于第三代半導體產業(yè)亟待解決的卡脖子問題，因此，急需對復雜使役條件下SiC功率模塊新型封裝工藝、材料、失效機理和可靠性等基礎問題展開前瞻性探索。復旦大學青年研究員樊嘉杰做了”SiC功率器件及模塊的先進封裝及可靠性優(yōu)化設計“的主題報告，結合第三代半導體發(fā)展現(xiàn)狀，分享了功率器件及模塊封裝形式的發(fā)展趨勢、功率器件的板級扇出型封裝、封裝可靠性設計及優(yōu)化方法等內容。其團隊研究完成多款板級扇出型SiC MOSFET產品封裝，突破了1200V/136A SiC MOSFET板級扇出型封裝產品的關鍵工藝，完成了多款產品的封裝驗證，正在基于半橋模塊驗證金屬顆粒燒結技術以及芯片布局優(yōu)化設計方法的可行性等。報告認為，SiC模塊封裝形式的發(fā)展趨勢來看，隨著系統(tǒng)級別要求的不斷提升，“定制化”成為“主流”。
芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司副總裁韓躍斌
《碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設備國產解決方案》
芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司副總裁韓躍斌做了“碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延設備國產解決方案”的主題報告，分享了碳化硅外延、國產垂直式外延設備的最新進展。碳化硅材料優(yōu)勢明顯，SiC必須利用外延膜生產器件，因此SiC外延在產業(yè)鏈中處于承上啟下的重要位置。國產襯底的快速增產和外延設備的快速國產化，支持了國產外延產能快速擴張。一代裝備，一代材料，碳化硅外延，對設備提出了更高要求。臺階流生長和快速外延技術等，推動了SiC外延技術的成熟和產業(yè)化。國產垂直式SiC外延設備在8英寸上優(yōu)勢得到加強。芯三代實現(xiàn)第三代半導體SiC垂直式外延設備的國產化，2023年完成了8英寸設備設計和工藝驗證，銷售10+頭部客戶，多家已簽署批量復購訂單，已經大批量發(fā)運客戶現(xiàn)場。
英飛凌科技中國有限公司技術總監(jiān)郝欣
《SiC MOSFET技術創(chuàng)新，加速應用領域變革》
英飛凌科技中國有限公司技術總監(jiān)郝欣做了“SiC MOSFET技術創(chuàng)新，加速應用領域變革”的主題報告，分享了SiC技術與可靠性，SiC應用狀況，英飛凌的相關進展等內容，涉及CoolSiCTM MOSFET 1200V M1H、CoolSiCTM MOSFET 非對稱溝槽柵結構、1500VDC太陽能SiC解決方案、1500VDC 200kW PCS中的SiC MOSFET等。報告指出，SiC是應對可持續(xù)能源生產和消費關鍵市場趨勢的戰(zhàn)略核心。英飛凌完成收購 GaN Systems 公司，未來在氮化鎵、碳化硅等領域將有更多發(fā)展。
安世半導體SiC產品市場戰(zhàn)略副總監(jiān)王駿躍
《安世碳化硅-賦能電氣化和綠色節(jié)能的美好未來》
安世半導體SiC產品市場戰(zhàn)略副總監(jiān)王駿躍分享了“安世碳化硅-賦能電氣化和綠色節(jié)能的美好未來”的主題報告，中國SiC器件市場增長快速，市場機會在中國。對于碳化硅分立器件市場而言，對性能、可靠性，價格、供應鏈都有相應的需求，報告中介紹了1200v碳化硅MOSFET(To247-4L,40毫歐)等內容。安世半導體具有深厚的積累，是行業(yè)老兵，擁有超過10000家國內半導體客戶服務經驗，在產品力、供應、客戶、服務等方面具有優(yōu)勢，也在積極深耕中國市場，目前供應鏈垂直整合，自有8寸溝槽產線建立中。
忱芯科技(上海)有限公司創(chuàng)始人毛賽君
《碳化硅功率半導體器件KGD和晶圓級可靠性測試面臨的挑戰(zhàn)和解決方案》
忱芯科技(上海)有限公司創(chuàng)始人毛賽君做了“碳化硅功率半導體器件KGD和晶圓級可靠性測試面臨的挑戰(zhàn)和解決方案”的主題報告，詳細分享了SiC MOSFET精確靜態(tài)特性測試、SiC MOSFET精確動態(tài)特性測試、SiC MOSFET可靠性測試、SiC MOSFET在電動汽車應用中動態(tài)可靠性測試、SiC MOSFET在電動汽車應用中的功率循環(huán)測試等面臨的挑戰(zhàn)，以及SiC MOSFET柵極氧化物的可靠性因素，SiC MOSFET的FBSOA測試，電動汽車應用中SiC MOSFET的KGD測試儀，用于電動汽車應用的SiC MOSFET晶片級燒入測試儀等內容。報告指出，SiC MOSFET在電動汽車中的大規(guī)模應用正在成為一種不可抗拒的趨勢。柵極氧化物缺陷隱藏在器件級；封裝不是問題。通過不同階段的測試篩選合格的SiC MOSFET，以滿足日益嚴格的汽車等級需求是面臨的挑戰(zhàn)。
納微半導體高級技術營銷經理祝錦
《GaN&SiC開啟車載電源設計新篇章》
納微半導體高級技術營銷經理祝錦做了“GaN&SiC開啟車載電源設計新篇章”的主題報告,EV OBC發(fā)展趨勢涉及針對新功能和需求改進拓撲結構，以及功率密度不斷提高，以降低尺寸和總成本。報告分享了GaN和SiC在高功率密度OBC中的優(yōu)勢，6.6kW雙DC/DC充電、放電模式，6.6kW雙DC/DC測試效率，創(chuàng)新GaN+SiC OBC解決方案以及單級OBC雙向開關等內容。報告指出，GaN&SiC車載電源設計未來將向著高開關頻率,減小變壓器、電感器EMI濾波器的尺寸，創(chuàng)新拓撲等方向發(fā)展。
本次論壇與慕尼黑上海電子展同期同地舉行，強強聯(lián)合。慕尼黑上海電子展(electronica China)展示領域緊跟行業(yè)重點，并根據行業(yè)實時熱點融入新的展示領域。今年，展會重點梳理電子行業(yè)年度脈絡，打造半導體、傳感器、無源器件、連接器及線束線纜、電源、測試測量、印刷電路板、顯示、分銷商、電子制造服務、智能制造等眾多主題展區(qū)，匯聚國內外優(yōu)質電子企業(yè)，打造從產品設計到應用落地的橫跨產業(yè)上下游的專業(yè)展示平臺。論壇與展攜手，優(yōu)勢疊加效應明顯。
論壇為期兩天，9日圍繞著第三代半導體材料、裝備等主題，精彩分享將繼續(xù)。更多論壇信息，敬請關注第三代半導體產業(yè)！
