由賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定  輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》已完成征求意見稿的編制，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會(huì)。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2024年7月25日起開始征求意見，截止日期2024年8月24日。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。 

T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度測定  輝光放電質(zhì)譜法》規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜法測定等靜壓石墨構(gòu)件純度的方法，包括術(shù)語和定義、試驗(yàn)原理、試驗(yàn)環(huán)境、儀器設(shè)備、試劑與材料、試樣、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)結(jié)果及試驗(yàn)報(bào)告。

本文件適用于單個(gè)雜質(zhì)元素含量范圍為0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅單晶生長用等靜壓石墨構(gòu)件純度的測定，所述構(gòu)件包括碳化硅單晶生長爐中的加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件。碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件，以及碳化硅外延生長用石墨基材的純度測定可參考本文件。 

T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》描述了碳化硅單晶生長用等靜壓石墨的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)識、包裝、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于純度要求達(dá)到5N5（質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.9995%）以上的碳化硅單晶生長用或碳化硅粉體合成用等靜壓石墨，包括碳化硅單晶生長用加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件，以及碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場部件。