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美國ITC對(duì)特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品啟動(dòng)337調(diào)查

日期:2024-09-02 閱讀:256
核心提示:據(jù)中國貿(mào)易救濟(jì)信息網(wǎng)8月27日消息,美國國際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)投票決定對(duì)特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品(Certain Semiconductor De

據(jù)中國貿(mào)易救濟(jì)信息網(wǎng)8月27日消息,美國國際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)投票決定對(duì)特定半導(dǎo)體器件及其下游產(chǎn)品(Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same)啟動(dòng)337調(diào)查(調(diào)查編碼:337-TA-1414)。

資料顯示,2024年7月26日,半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技(Infineon)對(duì)中國氮化鎵(GaN)芯片制造商英諾賽科(Innoscience)發(fā)起了337調(diào)查申請(qǐng)。英飛凌指控英諾賽科侵犯了其多項(xiàng)專利權(quán),并尋求在美國市場(chǎng)永久禁止進(jìn)口和銷售英諾賽科的相關(guān)產(chǎn)品。主張對(duì)美出口、在美進(jìn)口和在美銷售的該產(chǎn)品違反了美國337條款(侵權(quán)美國注冊(cè)專利號(hào)9,899,481、8,686,562、9,070,755、8,264,003),請(qǐng)求美國ITC發(fā)布有限排除令、禁止令。中國江蘇Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. of China英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司、中國江蘇Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. of China英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司、中國廣東Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. of China英諾賽科(珠海)科技有限公司、美國Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA為列名被告。

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