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標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

日期:2024-10-29 閱讀:223
核心提示:2024年10月28日,T/CASAS 036202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048202X《碳化硅單晶生

20241028日,T/CASAS 036202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定  輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已形成委員會(huì)草案(CD),2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASAS)標(biāo)準(zhǔn)制定程序,反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開(kāi)了多次正式或非正式的專(zhuān)題研討會(huì),得到了很多CASAS正式成員的支持。請(qǐng)聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件。

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