超寬禁帶半導(dǎo)體材料以其寬廣的能隙、高電子遷移率和出色的熱導(dǎo)性，在高頻、高速和大功率電子器件領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求的推動(dòng)，這一領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)迎來(lái)更多的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著5G通信、新能源汽車、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展，超寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用場(chǎng)景也將進(jìn)一步拓展，為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步注入新的動(dòng)力。
2024年11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。 本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
除了重量級(jí)開(kāi)幕大會(huì)，論壇設(shè)有五大熱點(diǎn)主題技術(shù)分會(huì)，以及多場(chǎng)產(chǎn)業(yè)峰會(huì)和先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展。目前，作為IFWS的重要分會(huì)之一的“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)I/ II”最新報(bào)告日程正式出爐。電子科技大學(xué)教授羅小蓉，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，中山大學(xué)教授王鋼，南京大學(xué)教授葉建東，西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，西安交通大學(xué)教授王宏興，大阪公立大學(xué)教授梁劍波將受邀共同主持本屆分會(huì)。
屆時(shí)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華,皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員徐承龍，南京郵電大學(xué)副教授/蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)李山，弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授張宇昊，大連理工大學(xué)副教授張赫之，沙特國(guó)王科技大學(xué)Kishor Upadhyaya，哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）副教授孫華銳，電子科技大學(xué)魏雨夕，西安交通大學(xué)教授王宏興，大阪公立大學(xué)教授梁劍波，馬來(lái)西亞理科大學(xué)納米光電子研究與技術(shù)研究所副教授Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin，北方工業(yè)大學(xué)副教授張旭芳，哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授代兵，西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，復(fù)旦大學(xué)教授桑立雯，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，研究員王浩敏，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所正高級(jí)工程師郭懷新，西安電子科技大學(xué)副教授任澤陽(yáng)，香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系副教授黃文海，西安電子科技大學(xué)副教授李伯昌，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所副研究員趙宇坤，廈門(mén)大學(xué)副研究員龍浩，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司外延研發(fā)總監(jiān)，中山大學(xué)副教授陳梓敏，武漢大學(xué)教授張召富，鄭州大學(xué)屈藝譜， 復(fù)旦大學(xué)祁鑫等多位來(lái)自國(guó)內(nèi)外科研院校知名專家及實(shí)力派企業(yè)嘉賓將出席論壇并帶來(lái)精彩主題分享，圍繞超寬禁帶技術(shù)主題共同探討，關(guān)注前沿發(fā)展趨勢(shì)及最新動(dòng)向，敬請(qǐng)關(guān)注！
分會(huì)詳細(xì)日程
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技術(shù)分會(huì)：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I Technical Sub-Forum：SiC Power Electronics Devices and Packaging Technology I |
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時(shí)間：2024年11月20日09:00-17:40 地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 • G106 Time: Nov 20, 09:00-17:40 Location: Suzhou International Expo Centre • G106 |
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主持人 羅小蓉-電子科技大學(xué)教授、 Moderator 龍世兵-中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授 |
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09:00-09:05 |
嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
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09:00-09:20 |
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究 Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN 張道華——深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士 ZHANG Daohua——Chief Scientist of fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory |
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09:20-09:40 |
氧化鎵高導(dǎo)熱異質(zhì)集成射頻器件 high thermal conductivity heterogeneous integrated RF devices for Ga?O? 葉建東——南京大學(xué)教授 YE Jiandong——Professor of Nanjing University |
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09:40-10:00 |
基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga?O?氣體傳感器 High-Performance atomically thin Ga?O? Gas Sensors via Liquid metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation 徐承龍——皇家墨爾本大學(xué)微納研究院研究員 XU Chenglong——Professor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University |
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10:00-10:15 |
氧化鎵PECVD外延生長(zhǎng)及光電信息感知器件研究Research on PECVD epitaxial growth of gallium oxide and the photoelectric information sensing devices
李山--南京郵電大學(xué)副教授/蘇州鎵和半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān) LI Shan--Associate Professor, Nanjing University of Posts and Telecommunications、R&D director of Suzhou GAO Semiconductor Co. Ltd. |
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10:15-10:30 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:30-10:50 |
面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件 Ga2O3 Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices 張宇昊——弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授 ZHAGN Yuhao——Associate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech |
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10:50-11:10 |
氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型Defect expansion and model in gallium oxide 張赫之 大連理工大學(xué)副教授 ZHANG Hezhi Associate Professor, Dalian University of Technology |
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11:10-11:25 |
通過(guò)改進(jìn)點(diǎn)缺陷提高Β-Ga2O3光電探測(cè)器性能的協(xié)同方法 A Synergistic Approach to Improve Β-Ga2O3 Photodetector Performance via Modulation of Point Defect Kishor Upadhyaya——沙特國(guó)王科技大學(xué) Kishor Upadhyaya——Research Fellow of KAUST, SAUDI Arabia |
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11:25-11:40 |
氧化鎵材料和電子器件的熱特性 Thermal Characteristics of Ga2O3 Materials and Electronic Devices 孫華銳——哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）副教授 SUN Huarui——Associate Professor of Harbin Institute of Technology, Shenzhen |
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11:40-11:55 |
氧化鎵功率器件新結(jié)構(gòu)與實(shí)驗(yàn)研究進(jìn)展Progress of β-Ga2O3 power devices on novel structures and experimental researches 魏雨夕-電子科技大學(xué) WEI Yuxi--University of Electronic Science and Technology of China |
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11:55-14:00 |
午餐 / Lunch Buffet |
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主持人 ： Moderator |
張金風(fēng)——西安電子科技大學(xué)教授 王宏興——西安交通大學(xué)教授 梁劍波——大阪公立大學(xué)教授 |
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13:00-14:00 |
嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo |
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14:00-14:25 |
金剛石襯底和器件的發(fā)展 Development of Diamond Substrate and Devices 王宏興——西安交通大學(xué)教授 WANG Hongxing——Professor of Xi’an Jiaotong University |
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14:25-14:55 |
GaN與多晶金剛石的室溫異質(zhì)集成技術(shù)在GaN HEMT應(yīng)用中的研究 Heterogeneous Integration of GaN and Polycrystalline Diamond at Room Temperature for GaN HEMT Applications 梁劍波——大阪公立大學(xué)教授 LIANG Jianbo——Professor of Osaka Metropolitan University |
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14:55-15:15 |
增強(qiáng)持久氫端透明聚晶金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高溫性能 High Temperature Performance of Enhanced Endurance Hydrogen Terminated Transparent Polycrystalline Diamond FET Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin——馬來(lái)西亞理科大學(xué)納米光電子研究與技術(shù)研究所副教授 Mohd Syamsul Nasyriq Bin Samsol Baharin——Associate Professor Institute of Nano Optoelectronics Research and Technology (INOR), Universiti Sains Malaysia |
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15:15-15:30 |
水蒸氣處理下Al2O3/金剛石MOS的綜合界面表征 Comprehensive interface characterization of Al2O3/diamond MOS with water vapor treatments 張旭芳——北方工業(yè)大學(xué)副教授 ZHANG Xufang——Associate Professor of North China University of Technology |
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15:30-15:45 |
極端環(huán)境下金剛石材料及器件性能 Properties of Diamond Materials and Devices in Extreme Environments 代兵——哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授 DAI Bing——Professor of Harbin Institute of Technology |
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15:45-16:00 |
茶歇 / Coffee Break |
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16:00-16:20 |
金剛石輻射探測(cè)器級(jí)材料制備和器件性能研究 Research on Material Fabrication and Device Performance of Diamond Radiation Detector 張金風(fēng)——西安電子科技大學(xué)教授 ZHANG Jinfeng——Professor of Xidian University |
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16:20-16:40 |
GaN上多晶金剛石的外延生長(zhǎng)和散熱研究 Diamond Epitaxial Grown on GaN for the Effective Thermal Management 桑立雯——復(fù)旦大學(xué)教授 SANG Liwen——Professor of Fudan University |
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16:40-16:55 |
六角氮化硼薄膜制備、微觀結(jié)構(gòu)與應(yīng)用Preparation, microstructure and application of hexagonal boron nitride thin films 王浩敏 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，研究員 WANG Haomin Professor Shanghai Institute of Microsystem and information technology,CAS |
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16:55-17:10 |
金剛石與功率器件集成熱管理應(yīng)用分析 Application Analysis of Integrated Thermal Management of Diamond and Power Devices 郭懷新——中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所正高級(jí)工程師 GUO Huaixin——Senior Engineer of China Electronics Technology Group Corporation 55th |
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17:10-17:25 |
金剛石半導(dǎo)體摻雜及器件研究 Diamond Semiconductor Doping and Device Research 任澤陽(yáng)——西安電子科技大學(xué)副教授 REN Zeyang——Associate Professor of Xidian University |
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17:25-17:40 |
金剛石襯底上六方氮化硼及異質(zhì)結(jié)性質(zhì)的第一性原理研究 First-Principles Investigation of h-BN Growth on Diamond and Its Heterostructure Properties 屈藝譜 鄭州大學(xué) |
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技術(shù)分會(huì)：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) II Technical Sub-Forum：SiC Power Electronics Devices and Packaging Technology II |
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時(shí)間：2024年11月21日08:30-12:00 地點(diǎn)：蘇州國(guó)際博覽中心G館 • G106 Time: Nov 21, 08:30-12:00 Location: Suzhou International Expo Centre • G106 |
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主持人 王 鋼-中山大學(xué)教授 Moderator 葉建東-南京大學(xué)教授 |
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08:50-09:00 |
嘉賓致辭 & 合影 / Opening Address & Group Photo Shooting |
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09:00-09:20 |
開(kāi)辟氧化鎵功率器件的新方向 Charting New Directions in Gallium Oxide Power Devices 黃文海——香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程系副教授 Man Hoi WONG——Associate Professor of Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology |
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09:20-09:40 |
硅及碳化硅異質(zhì)集成氧化鎵材料和功率器件研究Heterogeneous Integration of Gallium Oxide materials and Power Devices with Si and SiC 李伯昌 西安電子科技大學(xué)副教授 Li Bochang Associate Professor, Xidian University |
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09:40-09:55 |
Realize Self-driven Synaptic Device based on Ga2O3 Nanowires for Neuromorphic Computing 趙宇坤——中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所副研究員 ZHAO Yukun——Associate Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), CAS |
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09:55-10:10 |
基于p型氮化物/n-Ga2O3 的PN異質(zhì)結(jié)日盲紫外探測(cè)器研究Solar blind UV detector of PN heterojunction based on P-type nitride /n-Ga2O3
龍 浩--廈門(mén)大學(xué)副研究員 Hao Long - Associate Professor , Xiamen University |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
基于摻雜和缺陷調(diào)控的氧化鎵垂直結(jié)構(gòu)功率電子器件研究Research on vertical power electronic devices of Gallium oxide based on doping and defect regulation 龍世兵 --中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授 LONG Shibing-- Professor and Executive Dean, School of Microelectronics, University of Science and Technology of China |
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10:45-11:05 |
硅基ε-Ga203薄膜MOCVD異質(zhì)外延生長(zhǎng)及應(yīng)用研究 Research on the MOCVD growth and application of silicon-based ε-Ga203 thin films 陳梓敏 福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司外延研發(fā)總監(jiān)、中山大學(xué)副教授 CHEN Zimin R&D Director of Fujian Jingxu Semiconductor Technology Co., LTD., Associate Professor of Sun Yat-sen University |
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11:05-11:25 |
用導(dǎo)模法模擬氧化鎵生長(zhǎng)的多物理場(chǎng) Multiphysics Simulation of Gallium Oxide Growth by Guided Mode Method 張召富——武漢大學(xué)教授 ZHANG Zhaofu——Professor of Wuhan University |
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11:25-11:35 |
基于p型氮化物/n-Ga2O3的PN異質(zhì)結(jié)日盲紫外探測(cè)器研究 High Performed Solar Blind UVC Detector based on p-nitride/n-Ga2O3 Heterojunction 龍浩——廈門(mén)大學(xué)副研究員 LONG Hao——Associate Professor of Xiamen University |
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11:35-11:50 |
Research Progress of Ga2O3 Gate Oxide Dielectrics 祁鑫——復(fù)旦大學(xué) QI Xin——Fudan University |
參會(huì)聯(lián)系
