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國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

日期:2024-11-06 閱讀:306
核心提示:11月18-21日,IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展將在蘇州國際博覽中心舉辦。國聯(lián)萬眾將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會,誠邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨B34號展位參觀交流、洽談合作。

頭圖

2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此,誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨B34號展位參觀交流、洽談合作。同時,北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān)王川寶將出席論壇,并將在“碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I”分論壇上,分享《SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)發(fā)展研究》主題報告,將分享相關(guān)最新研究進(jìn)展。敬請關(guān)注! 

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司

    報告嘉賓

王川寶

王川寶

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)總監(jiān) 

王川寶,2012年獲得北京航空航天大學(xué)材料學(xué)學(xué)位,后就職于中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所,射頻器件領(lǐng)域?qū)<?。目前就職北京國?lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司,任技術(shù)總監(jiān)。從事氮化鎵、碳化硅等化合物器件工藝開發(fā)和器件研發(fā)工作。負(fù)責(zé)5G基站用GaN功率管研發(fā)及推廣,期間解決多個影響GaN功率管長期可靠性的本質(zhì)問題,配合用戶實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用,產(chǎn)品性能指標(biāo)和可靠性處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。獲得國家級獎勵一項(xiàng),省部級獎勵一項(xiàng),授權(quán)專利四項(xiàng)。 

演講報告:《SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)發(fā)展研究》

演講會場:碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) I

關(guān)于國聯(lián)萬眾

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北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司成立于2015年,是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院下屬上市公司“中瓷電子:003031”的全資公司,是國家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)中心(北京)主要建設(shè)和運(yùn)營主體單位。公司主營業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計、生產(chǎn)與銷售,以及第三代半導(dǎo)體封裝、模塊、科技服務(wù)等業(yè)務(wù)。主導(dǎo)產(chǎn)品氮化鎵(GaN)射頻功放芯片技術(shù)水平達(dá)到國際領(lǐng)先,已得到國際主流通信公司大規(guī)模應(yīng)用,累積發(fā)貨實(shí)現(xiàn)4000萬只;碳化硅(SiC) SBD和MOSFET電力電子芯片及模塊技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先,已得到國內(nèi)主流新能源汽車、充電樁企業(yè)大規(guī)模應(yīng)用,累積實(shí)現(xiàn)發(fā)貨3000萬只。

國聯(lián)主樓帶logo

BEIJING ADVANCED SEMIConDUCTOR INNOVATION CO.LTD (ASI) founded in 2015,is the wholly owned subsidiary of the listed company “003031:SINOPACK” under the China Electronics Industry Basic Research  Institute, and is the main construction and operation unit of the national third-generation Semiconductor Innovation Technology Center(Beijing).

The company's main business is the design、production and sales of third-generation semiconductor chips, as well as third-generation semiconductor packaging,modules, scientific and technological services.

Leading products GaN(gallium nitride) RF power amplifier chip technology level reached the international leading, has been the international mainstream communication companies large-scale application. Accumulated shipment of 20 million units,.

The technology level of SiC(silicon carbide) SBD and MOSFET chip and model have reached the leading level in China, and has been applied on a large scale by domestic mainstream new energy vehicles and charging pile enterprises. Accumulated shipment of 30 million units.

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參會聯(lián)系

1107-碳化硅功率器件及其封裝技術(shù) -賈

 


    
 

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