2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術(shù)應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

蘇州鎵和半導體有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨B41號展位參觀交流、洽談合作。同時，南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發(fā)總監(jiān)李山將出席論壇，并將在“超寬禁帶半導體技術(shù) I”分論壇上，分享《氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究》主題報告，將介紹在氧化鎵薄膜PECVD外延生長技術(shù)及摻雜調(diào)控方面的研究進展。敬請關注！

報告嘉賓

李山

南京郵電大學副教授、蘇州鎵和半導體研發(fā)總監(jiān)

李山，南京郵電大學院副教授，碩士生導師，World's Top 2% Scientists (2023/2024)，江蘇省科協(xié)青年托舉人才。聚焦于超寬禁帶半導體氧化鎵材料生長及信息感知器件研究，近五年來以第一作者或通訊作者發(fā)表高水平學術(shù)論文30余篇，包括IEEE TED/EDL/PTL、APL、JPCL等，被引2000余次。主持/參與課題10余項，包括國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金重點和青年項目、江蘇省雙創(chuàng)團隊項目、蘇州市揭榜掛帥項目等。

演講報告：《氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究》

演講會場：超寬禁帶半導體技術(shù) I

關于鎵和半導體

蘇州鎵和半導體有限公司是一家專業(yè)從事氧化鎵材料、相關器件及其應用研發(fā)的高科技企業(yè)。公司的核心技術(shù)源于創(chuàng)始團隊十多年來在該領域的研究成果，我們提供一系列的服務，包括生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量單晶襯底和外延晶片、單晶及外延設備、高靈敏日盲紫外探測器件、高壓高溫高頻率大功率電力電子器件以及滿足特定要求的定制服務。 

Suzhou GAO Semiconductor Co., Ltd. is a company specializing in the growth of gallium oxide crystals and the development of related devices. The company's technology stems from over a decade of research achievements within the field by its founding team. With core technologies in gallium oxide single crystal growth, thin-film epitaxy, device design, and specialized equipment, the company offers a range of services including various specifications of gallium oxide single crystal substrates, diverse gallium oxide epitaxial wafers, specialized gallium oxide equipment, and customized services to meet specific requirements. 

產(chǎn)品簡介

一、氧化鎵單晶襯底

（1）多規(guī)格單晶襯底

二、氧化鎵單晶生長和外延設備

自主設計生產(chǎn)氧化鎵長晶爐，用于氧化鎵晶胚生長，可提供長晶驗證。自主改造MOCVD用于氧化鎵同質(zhì)外延或藍寶石外延生長，提供整機銷售及三階demo服務。

三、氧化鎵外延片

參會聯(lián)系