2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

福州鎵谷半導體有限公司將攜多款產品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導體產業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨 C06號展位參觀交流、洽談合作。

同時，福州鎵谷半導體有限公司首席技術官梁琥博士將出席論壇，并將在“氮化鎵功率電子器件技術 I”分論壇上，分享《垂直結構GaN在電力電子領域的應用及其外延技術研究》主題報告，將分享相關最新研究進展。敬請關注！ 

報告嘉賓

梁琥 博士

福州鎵谷半導體有限公司董事長/首席科學家

梁琥博士畢業(yè)于香港科技大學電子工程專業(yè)。現任福州鎵谷半導體有限公司董事長/首席科學家。他深耕氮化鎵材料與器件領域20余年，擁有豐富的6英寸及8英寸氮化鎵外延生長實操經驗，曾先后就職于香港應用科技研究院、imec等知名院所及企業(yè)。

在imec任職期間，作為外延項目負責人，主持過對眾多國內外知名公司的氮化鎵外延技術轉移和技術支持，如英諾賽科、晶湛半導體、華為、臺灣世界先進、UMC、PSMC、OnSemi、Siltronics、Global Foundry 等。曾主持了與英飛凌和博世公司在氮化鎵外延技術，特別是選區(qū)外延和垂直結構外延領域的合作。主持了AIXTRON和 Veeco 的聯合研發(fā)，開發(fā)下一代氮化鎵外延設備。此外，深度參與了氮化鎵 電力電子器件在 QST®襯底的外延研發(fā)，并作為此外延技術的奠基者之一，負責對 AIXTRON 公司和世界先進半導體公司的相關技術轉移和產業(yè)開拓。 

演講報告：《垂直結構GaN在電力電子領域的應用及其外延技術研究》

演講會場：氮化鎵功率電子器件技術 I

公司簡介 

福州鎵谷半導體有限公司成立于2022年，坐落于福州市及廈門市。公司致力于第三代半導體材料氮化鎵外延的研發(fā)與生產，立志成為全球技術領先的外延生產商。始終堅持以品質為上、客戶需求為導向、特有的專利技術為基礎，打造“研發(fā)-生產-銷售”良性循環(huán)。產品包括硅基氮化鎵外延片、藍寶石基氮化鎵外延片等，主要應用于新能源汽車、消費電子、射頻等領域。

產品簡介

硅基氮化鎵功率器件外延片：

100V/200V/650V

D-mode / E-mode

6inch & 8inch

產品2：

藍寶石基氮化鎵功率器件外延片：

800V/1200V

D-Mode Lateral Structure

E-Mode Lateral Structure

Vertical Structure

4inch & 6inch & 8inch

參會聯系