2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心G館舉辦。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（深圳）將亮相此次展會(huì)。誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨 B39-40 號展位參觀交流、洽談合作。同時(shí)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華將在”超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會(huì)帶來“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報(bào)告，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專家何光澤將在“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會(huì) ”上帶來“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用”的主題報(bào)告，敬請關(guān)注！

嘉賓簡介

張道華

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士

張道華，曾任新加坡光電協(xié)會(huì)主席，南洋理工大學(xué)競爭性研究項(xiàng)目審查委員會(huì)成員，電力與電子工程學(xué)院教授，電力與電子工程學(xué)院卓越研究計(jì)劃委員會(huì)主任,微電子學(xué)系副主任，半導(dǎo)體發(fā)光顯示中心副主任等職。他主持完成了30多個(gè)研究項(xiàng)目，包括新加坡第一批，南大第一個(gè)千萬新元項(xiàng)目，被包括諾貝爾獎(jiǎng)金獲得者的評審團(tuán)評定為“杰出世界級研究進(jìn)展”。張道華目前是深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家。他是物理學(xué)會(huì)（FInstP）和工程技術(shù)學(xué)會(huì)（FIET）會(huì)士，新加坡工程院院士(FSAEng)。

演講報(bào)告：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

演講場次：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I

何光澤

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專家

何光澤，曾在茂硅與聯(lián)電負(fù)責(zé)良率提升與失效分析的事務(wù)，在樣品化學(xué)處理、缺陷定位與電鏡觀察上有豐富的經(jīng)驗(yàn)。2015進(jìn)入第三方分析檢測實(shí)驗(yàn)室閎康科技，并于后期擔(dān)任失效分析處長一職，總管兩岸失效分析與靜電測試之業(yè)務(wù)，在閎康科技期間，發(fā)表了5篇國際論文，同時(shí)也擔(dān)任臺灣靜電學(xué)會(huì)議程委員與臺灣電路板協(xié)會(huì)半導(dǎo)體構(gòu)裝委員會(huì)委員。何光澤于2024年加入深圳平湖實(shí)驗(yàn)室擔(dān)任失效分析首席專家，負(fù)責(zé)分析檢測中心的管理運(yùn)作。

演講報(bào)告：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用

演講場次：第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會(huì) 

公司簡介

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（深圳）于2021年12月由科技部授牌，2022年8月由深圳市科技創(chuàng)新局舉辦成立深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為主體運(yùn)營單位，圍繞SiC和GaN及下一代先進(jìn)功率電子材料及器件、核心裝備及零部件、配套材料等領(lǐng)域，開展核心技術(shù)攻關(guān)。 

實(shí)驗(yàn)室位于深圳市龍崗區(qū)羅山科技園，占地面積130畝，100級潔凈間面積9500平米，擁有業(yè)界領(lǐng)先的寬禁帶功率半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施，國際、國內(nèi)各類先進(jìn)設(shè)備380余臺套。實(shí)驗(yàn)室人力規(guī)模350人，匯聚海內(nèi)外頂尖人才，打造面向全國的開放、公共、共享的科研、中試和分析檢測平臺，共同構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來。

In December 2021, Shenzhen Comprehensive Platform was authorized by the Ministry of Science and Technology. In August 2022, the Shenzhen Science and Technology Innovation Bureau held an event to establish the Shenzhen Pinghu Laboratory as the main operating unit. Focusing on SiC, GaN, next - generation advanced power electronic materials and devices, core equipment and components, and supporting materials, etc., and conducts research on core technologies.

Shenzhen Pinghu laboratory located in Luoshan Science and Technology Park, Longgang District, Shenzhen, the laboratory covers an area of 130 mu, with a class100  clean room area of 9,500 square meters. It has the industry - leading wide - band - gap power semiconductor infrastructure and more than 380 sets of various advanced equipment from both international and domestic sources.

The laboratory has a staff scale of 350 people, gathering top talents from home and abroad, creating an open, public, and shared scientific research, pilot  scale production, and analysis and detection platform for the whole country, and jointly building a sustainable future.

 參會(huì)聯(lián)系