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乾晶半導(dǎo)體邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024

日期:2024-11-13 閱讀:321
核心提示:乾晶半導(dǎo)體誠(chéng)邀產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨C02號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

 2024年11月18-21日,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國(guó)際博覽中心G館舉辦。

乾晶半導(dǎo)體有限公司將亮相此次展會(huì)。誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇,蒞臨C02號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

公司簡(jiǎn)介

乾晶半導(dǎo)體有限公司2020年7月成立于浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心,專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,是一家集半導(dǎo)體碳化硅單晶生長(zhǎng)、晶片加工和設(shè)備開(kāi)發(fā)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司的核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自于浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,與浙大科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共同承擔(dān)SiC材料的產(chǎn)業(yè)化任務(wù),力爭(zhēng)在三到五年內(nèi)打造成為國(guó)際知名的第三代半導(dǎo)體材料品牌和標(biāo)桿企業(yè),為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供有力支撐。

IVSEMITEC CO., LTD. was established in July 2020 at the Hangzhou International Science and Technology Innovation Center of Zhejiang University (ZJU-HIC). It focuses on the field of third-generation semiconductor materials and is a high-tech enterprise that integrates semiconductor silicon carbide single crystal growth, wafer processing, and equipment development. The core team of the company comes from the State Key Laboratory of Silicon Materials of Zhejiang University. It has established a joint laboratory with the Advanced Semiconductor Research Institute of ZJU-HIC to jointly undertake the industrialization task of SiC materials, and strives to become an internationally well-known brand and benchmark enterprise of third-generation semiconductor materials within three to five years, providing strong support for the third-generation semiconductor industry. 

乾晶場(chǎng)景

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

6英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

直徑:(150 ± 0.2) mm

厚度:(350 ± 25) μm

導(dǎo)電類(lèi)型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

微管密度:≤0.1 /cm2

位錯(cuò)密度:TSD≤100/cm2 ; BPD≤500/cm2

應(yīng)用方向:SiC SBD 或者SiC MOSFET

產(chǎn)品類(lèi)型:拋光片(Epi-ready)

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底

直徑:(200.0± 0.2) mm

厚度:(500 ± 25) μm

導(dǎo)電類(lèi)型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

微管密度:≤0.2 /cm2

位錯(cuò)密度:TSD≤300/cm2 ; BPD≤1000/cm2

應(yīng)用方向:SiC SBD 或者SiC MOSFET

產(chǎn)品類(lèi)型:拋光片(Epi-ready)

 6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

直徑:(150 ± 0.25) mm

厚度:10~20mm

導(dǎo)電類(lèi)型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

產(chǎn)品類(lèi)型:晶錠

8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠

直徑:(200.0± 0.2) mm

厚度:10 ~ 20 mm

導(dǎo)電類(lèi)型:n-type

晶面取向:(0001) 向 [11-2 0]偏4度

產(chǎn)品類(lèi)型:晶錠

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