第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)對(duì)于確保第三代半導(dǎo)體器件的質(zhì)量與可靠性和大規(guī)模應(yīng)用非常重要。近期，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。

期間，由國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦支持的“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)”上，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒,南京大學(xué)副研究員周峰，東南大學(xué)博士后李勝，廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠(yuǎn)，重慶大學(xué)教授曾正，清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜，忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理毛賽君，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專家何光澤等嘉賓們齊聚，共同探討第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)相關(guān)的最新進(jìn)展。工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員陳媛，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)高偉共同主持分會(huì)。

陳媛

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

高偉

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)

雷志鋒

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒做了“面向新能源應(yīng)用的電力電子器件大氣中子單粒子燒毀風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估技術(shù)”的主題報(bào)告，分享了電子電子器件應(yīng)用背景與風(fēng)險(xiǎn)、大氣中子輻照地面評(píng)估技術(shù)、SiC晶閘管、IGBT等部分結(jié)果。報(bào)告指出，隨著新能源領(lǐng)域快速發(fā)展，電力電子器件使用激增，由大氣中子引起的失效風(fēng)險(xiǎn)需要更加重視；大氣中子通量隨海拔高度增加顯著，航空、高海拔應(yīng)用等環(huán)境需要關(guān)注該風(fēng)險(xiǎn)；硅基晶閘管、IGBT、SiC等器件大氣中子引起的失效率隨電壓增加指數(shù)增加，隨溫度升高會(huì)有減小。確定合適的降額使用條件尤其重要。利用新建成的與實(shí)際大氣中子環(huán)境能譜吻合的大氣中子平臺(tái)可以很好開展大氣中子引起的失效率定量評(píng)估。

周峰

南京大學(xué)副研究員

南京大學(xué)副研究員周峰做了”面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體GaN應(yīng)用的紫外脈沖激光輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)“的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究進(jìn)展。報(bào)告指出，南京大學(xué)已建立GaN功率器件設(shè)計(jì)與流片能力，開展多輪4/6英寸流片工作，正在研制抗輻照GaN功率器件。在國(guó)內(nèi)多個(gè)輻照科學(xué)裝置中開展GaN器件輻照特性研究。研制的國(guó)際首支500V等級(jí)抗輻照GaN功率器件以及單粒子效應(yīng)研究成果在領(lǐng)域內(nèi)知名ISPSD和ICNS會(huì)議匯報(bào)。亟需發(fā)展能夠與重離子實(shí)驗(yàn)互補(bǔ)，可以定位輻照損傷、開展動(dòng)/靜態(tài)結(jié)合和統(tǒng)計(jì)性數(shù)據(jù)分析。GaN HEMT主要受到單粒子輻照效應(yīng)影響，是業(yè)內(nèi)公認(rèn)宇航用GaN器件需要突破的難題。脈沖激光輻照可以用于模擬單粒子輻照電荷過程，成為輻照研究重要的研究手段。中國(guó)、美國(guó)、法國(guó)、俄羅斯等國(guó)內(nèi)外多個(gè)團(tuán)隊(duì)開展硅基脈沖激光輻照實(shí)驗(yàn)研究，如邏輯電路、功率電路等。

李勝

東南大學(xué)博士后

《GaN HEMT功率器件壽命預(yù)測(cè)SPICE模型研究》

賀致遠(yuǎn)

廣東工業(yè)大學(xué)教授

廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠(yuǎn)做了“動(dòng)態(tài)應(yīng)力下GaN功率器件閾值電壓不穩(wěn)定性機(jī)理研究”的主題報(bào)告，分享了動(dòng)態(tài)柵極應(yīng)力下漂移現(xiàn)象及機(jī)理，阻性負(fù)載硬開關(guān)應(yīng)用下的漂移現(xiàn)象及機(jī)理等。報(bào)告指出，針對(duì)P-GaN柵結(jié)構(gòu)，動(dòng)態(tài)柵應(yīng)力相對(duì)靜態(tài)柵應(yīng)力過程導(dǎo)致的閾值電壓漂移行為更為復(fù)雜，涉及到不同電壓（開啟或關(guān)斷）等級(jí)、工作頻率、占空比、dV/dt等參數(shù)影響；從機(jī)理層面來看，背靠背二極管的柵極結(jié)構(gòu)特性決定了相關(guān)電子、空穴在動(dòng)態(tài)電場(chǎng)轉(zhuǎn)換過程中的俘獲、積累等再分布多個(gè)物理過程，造成柵級(jí)結(jié)構(gòu)綜合凈電荷不斷變化，影響最后的閾值電壓漂移行為；如何測(cè)試閾值電壓，尤其是要反映系統(tǒng)中GaN器件的真實(shí)閾值電壓情況，還需要綜合考慮應(yīng)用過程中的動(dòng)態(tài)特性，制定較為全面的閾值電壓測(cè)試圖譜。

曾正

重慶大學(xué)教授

重慶大學(xué)教授曾正做了“SiC功率器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法十議：T/CASAS 033-2024標(biāo)準(zhǔn)解讀”的主題報(bào)告，分享了標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)解讀。報(bào)告指出，精準(zhǔn)、原位測(cè)試是SiC功率器件的共性需求。本質(zhì)性問題是高dv/dt，共識(shí)性問題是缺規(guī)范。

孫博韜

清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)

清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜做了“SiC MOSFET器件可靠性——標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證與失效機(jī)制”的主題報(bào)告，分享相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容解讀。報(bào)告指出，規(guī)?；尘跋?，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)展，器件潛能被逐步開發(fā)，行業(yè)對(duì)SiC MOSFET可靠性認(rèn)知提升。SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)化的大背景下，應(yīng)用潛能被逐步開發(fā)更多的失效機(jī)制被識(shí)別，要求產(chǎn)品端的不斷迭代改進(jìn)。標(biāo)準(zhǔn)為產(chǎn)品服務(wù)，需要獨(dú)立的可靠性研究，以指導(dǎo)研發(fā)。標(biāo)準(zhǔn)為應(yīng)用服務(wù)，需要確保評(píng)估方法的有效性及適用性。

毛賽君

忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理

忱芯科技（上海）有限公司總經(jīng)理毛賽君做了“SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)體系符合性測(cè)試設(shè)備挑戰(zhàn)與整體解決方案”的主題報(bào)告，涉及SiC MOSFET 靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)、HTFB（雙極退化）可靠性測(cè)試系統(tǒng)，無功/有功老化測(cè)試系統(tǒng)，KGD & WLR測(cè)試系統(tǒng)挑戰(zhàn)等。其中，動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試以應(yīng)用為導(dǎo)向的SiC MOSFET 柵氧可靠性、閾值電壓漂移缺陷篩選，HTFB （雙極退化）可靠性涉及更窄的電流脈沖，更大的電流應(yīng)力。

何光澤

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專家

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用”的主題報(bào)告，結(jié)合第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈與分析檢測(cè)應(yīng)用之關(guān)聯(lián)，第三代半導(dǎo)體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結(jié)構(gòu)與缺陷觀察等內(nèi)容。報(bào)告顯示，配備短波長(zhǎng)的EMMI、高壓(3KV)的OBIRCH與thermal emission是第三代半導(dǎo)體功率器件失效分析缺陷定位不可或缺的儀器，增加了亮點(diǎn)偵測(cè)的效率。SEM, FIB與TEM是結(jié)構(gòu)觀察的三個(gè)基本工具，對(duì)于工藝研發(fā)占有舉足輕重的地位，若是需要判斷原子級(jí)別，則球差TEM是必備的設(shè)備。若是得觀察SiC的PN結(jié)，傳統(tǒng)的SEM以外，F(xiàn)IB與SCM也是另外的選項(xiàng)。SIMS在縱深摻雜濃度的檢測(cè)是唯一的選擇，與結(jié)構(gòu)觀察同等重要。表面分析、污染分析、化學(xué)態(tài)鑒定、晶向與晶粒觀察，位錯(cuò)觀察、應(yīng)力分析等等，不同的分析場(chǎng)景就需應(yīng)用不同的材料分析工具，分析者需確認(rèn)材料的元素、分子、結(jié)構(gòu)、樣品狀態(tài)，觀察范圍來選擇適合的工具，并充分與各領(lǐng)域?qū)＜矣懻摵?，才能提供最適合的方案。 

【報(bào)告人簡(jiǎn)介】

雷志鋒　研究員工業(yè)和信息化部電子第五研究所工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員，電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 可靠性試驗(yàn)研究室主任，輻射效應(yīng)團(tuán)隊(duì)技術(shù)總師，長(zhǎng)期從事電子產(chǎn)品可靠性及輻射環(huán)境效應(yīng)基礎(chǔ)和工程技術(shù)應(yīng)用研究工作。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人先后承擔(dān) “核高基”國(guó)家重大專項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)基金、預(yù)研、共性技術(shù)等國(guó)家及省部級(jí)課題20余項(xiàng)，參與百余項(xiàng)國(guó)產(chǎn)器件的評(píng)估和檢測(cè)，參與多個(gè)國(guó)家重大工程中的可靠性工程技術(shù)工作。IEEE TNS、IEEE TED、物理學(xué)報(bào)等期刊審稿人，先后發(fā)表SCI/EI論文60余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利20項(xiàng)，獲省部級(jí)獎(jiǎng)3項(xiàng)。

周　峰　副研究員南京大學(xué)南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副研究員、博士，從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件與電路應(yīng)用研究，主持國(guó)家科技重大專項(xiàng)課題、國(guó)家自然科學(xué)基金、江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目課題等，第一/通信（含共同）作者發(fā)表論文30余篇，包括Nature Communications, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans Power Electron., IEEE Trans. Electron Dev., IEEE IEDM/ISPSD等領(lǐng)域內(nèi)權(quán)威期刊或會(huì)議，擔(dān)任多個(gè)期刊審稿人，申請(qǐng)發(fā)明專利30余項(xiàng)，包括中國(guó)/美國(guó)/日本專利。

李　勝　博士后 東南大學(xué)東南大學(xué)至善博士后，香港科技大學(xué)訪問學(xué)者。博士畢業(yè)于東南大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲江蘇省優(yōu)秀博士學(xué)位論文、中國(guó)電子學(xué)會(huì)優(yōu)秀博士學(xué)位論文、東南大學(xué)優(yōu)秀博士學(xué)位論文。長(zhǎng)期從事氮化鎵功率半導(dǎo)體器件、可靠性及模型的研究工作，發(fā)表IEEE TIE、IEEE TPEL、IEEE TED、IEEE IEDM等權(quán)威期刊及國(guó)際會(huì)議論文30余篇；獲美國(guó)專利1項(xiàng)、中國(guó)發(fā)明專利15項(xiàng)，日內(nèi)瓦國(guó)際發(fā)明展銀獎(jiǎng)1項(xiàng)，出版專著1部；主持國(guó)家自然科學(xué)基金、中國(guó)博士后科學(xué)基金等項(xiàng)目5項(xiàng)，作為技術(shù)骨干參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、江蘇省杰青等項(xiàng)目多項(xiàng)。獲江蘇省“卓越博士后”、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院“集萃博士后”支持。

賀致遠(yuǎn) 教授廣東工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士、教授、碩士生導(dǎo)師，擔(dān)任IEC TC47/SC47E/WG3（功率器件）國(guó)內(nèi)技術(shù)對(duì)口工作組專家，第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟GaN功率器件標(biāo)準(zhǔn)化工作組專家。主要從事硅基及寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的結(jié)構(gòu)仿真設(shè)計(jì)、制備工藝開發(fā)、封裝及可靠性評(píng)估、檢測(cè)設(shè)備開發(fā)等研究；主持了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃子課題、國(guó)家自然科學(xué)基金青年基金、國(guó)防基礎(chǔ)科研計(jì)劃、廣東省自然科學(xué)基金等7項(xiàng)國(guó)家級(jí)、省部級(jí)項(xiàng)目。目前已發(fā)表SCI論文30余篇，授權(quán)發(fā)明專利10余項(xiàng)，編制標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)。

曾　正　教授重慶大學(xué)教授/博導(dǎo)，國(guó)家級(jí)高層次青年人才，長(zhǎng)期從事碳化硅功率器件的封裝測(cè)試研究。2014年博士畢業(yè)于浙江大學(xué)，2018-2019年在新加坡南洋理工大學(xué)從事博士后研究，主持國(guó)家級(jí)項(xiàng)目6項(xiàng)、其他項(xiàng)目14項(xiàng)，出版學(xué)術(shù)專著2部，擔(dān)任6個(gè)學(xué)術(shù)組織的理事/委員，牽頭/參與制定國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)、團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)3項(xiàng)，入選第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟“卓越創(chuàng)新青年”、愛思唯爾中國(guó)高被引學(xué)者、斯坦福全球前2%頂尖科學(xué)家、重慶市青年拔尖人才等榮譽(yù)稱號(hào)，獲得教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)等科技獎(jiǎng)勵(lì)。

孫博韜　研發(fā)總監(jiān)清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司博士，清純半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)，高級(jí)工程師，曾入選2020年北京市科技新星計(jì)劃。在Si基、SiC基功率器件開發(fā)，微電子工藝及可靠性研究在功率器件研發(fā)方面具有15年以上經(jīng)驗(yàn)，曾主持裝發(fā)項(xiàng)目多項(xiàng)，參與重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、01、02重大專項(xiàng)等項(xiàng)目近40項(xiàng)，申請(qǐng)專利超過40件，其中第一發(fā)明人授權(quán)專利16項(xiàng)，SCI論文多篇，多項(xiàng)成果列入北京市高新技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目。

毛賽君　總經(jīng)理忱芯科技（上海）有限公司博士，忱芯科技(上海)有限公司創(chuàng)始人，入選上海市浦江人才計(jì)劃，IEEE高級(jí)會(huì)員，獲教育部國(guó)家留學(xué)基金委頒發(fā)的“國(guó)家優(yōu)秀留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金”，曾擔(dān)任復(fù)旦大學(xué)研究員，博士研究生導(dǎo)師，曾在GE全球研究中心工作10余年，獲“GE個(gè)人技術(shù)卓越成就獎(jiǎng)”等10余項(xiàng)GE重大獎(jiǎng)項(xiàng)，研究領(lǐng)域主要集中在碳化硅功率半導(dǎo)體器件精準(zhǔn)測(cè)試與特性表征與高頻電力電子系統(tǒng)集成與產(chǎn)業(yè)化，發(fā)表國(guó)際、國(guó)內(nèi)論文60余篇，獲得60余項(xiàng)國(guó)際、國(guó)內(nèi)發(fā)明專利與申請(qǐng)。

何光澤　失效分析首席專家深圳平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤于1997獲得臺(tái)灣中央大學(xué)電機(jī)系學(xué)士與電機(jī)所固態(tài)組碩士學(xué)位，工作初期在茂硅與聯(lián)電負(fù)責(zé)良率提升與失效分析的事務(wù)，在樣品化學(xué)處理、缺陷定位與電鏡觀察上有豐富的經(jīng)驗(yàn)。2015進(jìn)入第三方分析檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室閎康科技，并于后期擔(dān)任失效分析處長(zhǎng)一職，總管兩岸失效分析與靜電測(cè)試之業(yè)務(wù)，在閎康科技期間，發(fā)表了5篇國(guó)際論文，同時(shí)也擔(dān)任臺(tái)灣靜電學(xué)會(huì)議程委員與臺(tái)灣電路板協(xié)會(huì)半導(dǎo)體構(gòu)裝委員會(huì)委員。何光澤于2024年加入深圳平湖實(shí)驗(yàn)室擔(dān)任失效分析首席專家，負(fù)責(zé)分析檢測(cè)中心的管理運(yùn)作。

（根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，僅供參考）