硅在電力電子市場占據(jù)主導(dǎo)地位背后有幾個原因。硅以其優(yōu)良的原材料質(zhì)量，易于加工，低成本大規(guī)模生產(chǎn)的機(jī)會，可靠的可靠性和電路設(shè)計遺產(chǎn)而聞名。然而，盡管取得了重大進(jìn)展，硅器件現(xiàn)在正接近其操作極限。它們被相對較低的帶隙和較低的臨界電場所阻礙，這些特性導(dǎo)致高傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及不合標(biāo)準(zhǔn)的高溫性能。為了解決這些缺點，人們一直在努力提高商用SiC功率器件的競爭力。用碳化硅制成的晶體管和二極管具有優(yōu)越的材料特性，可以生產(chǎn)具有更小尺寸和簡化冷卻管理的高效功率器件。

Victor Veliadis

美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO,   ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授

近期，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開。開幕大會上，美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO,   ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis帶來了“加速碳化硅芯片和功率電子的商業(yè)化進(jìn)程”的主旨報告。

碳化硅(SiC)有利的材料特性允許在減少形狀因素和冷卻要求的情況下實現(xiàn)高效的功率器件。報告討論了Si, SiC和GaN的共存，并突出各自的競爭應(yīng)用優(yōu)勢。器件制造方面的重點放在沒有從成熟的硅制造世界延續(xù)下來的工藝上，因此是特定于SiC的。介紹反映了Si的充滿活力的SiC制造基礎(chǔ)設(shè)施的晶圓廠模型。

報告識別和分析SiC大規(guī)模商業(yè)化的障礙。其中包括高于硅的器件成本與面積不成比例地增加，限制產(chǎn)量和器件面積的缺陷，可靠性和堅固性問題等，以及需要訓(xùn)練有素的勞動力熟練地將SiC插入電力電子電路。Si和SiC之間的系統(tǒng)級價格平價將主要通過減少無源元件的質(zhì)量和體積以及簡化熱管理來實現(xiàn)。 

嘉賓簡介

Victor Veliadis博士是美國 Power America 執(zhí)行董事兼CTO,   ICSCRM 2024 大會主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授 ，PowerAmerica是一家由會員驅(qū)動的美國工業(yè)、大學(xué)和國家實驗室制造研究所，致力于加速節(jié)能碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片和電子產(chǎn)品的商業(yè)化。在PowerAmerica，他管理著1.56億美元的預(yù)算，并將其戰(zhàn)略性地分配給210多個工業(yè)和大學(xué)項目，以促進(jìn)SiC和GaN半導(dǎo)體以及電力電子制造、勞動力發(fā)展和創(chuàng)造就業(yè)機(jī)會。 

2023年，Veliadis博士贏得了美國能源部6400萬美元的PowerAmerica續(xù)約，以進(jìn)一步促進(jìn)WBG電力技術(shù)的發(fā)展。他也是耗資500萬美元的美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所“在美洲原住民社區(qū)建立流行病抵御能力”電氣化和應(yīng)急管理項目的首席研究員。Veliadis博士是北卡羅來納州立大學(xué)教授，也是IEEE Fellow和EDS杰出講師。他擁有27項美國專利、12本書的章節(jié)和163篇同行評審的出版物。Veliadis博士在半導(dǎo)體行業(yè)工作了21年，他的工作包括設(shè)計、制造和測試SiC器件、軍用雷達(dá)放大器的GaN器件，以及商業(yè)半導(dǎo)體工廠的財務(wù)和運營管理。擁有約翰·霍普斯金大學(xué)電氣工程博士學(xué)位。

同時，Victor Veliadis 教授作為ICSCRM 2024大會主席，也彰顯他在行業(yè)的地位和影響力。2024年碳化硅及相關(guān)材料國際會議（ICSCRM 2024）是今年規(guī)模最大的SiC領(lǐng)域國際頂會，在美國北卡羅來納州羅利舉行，吸引力全球一千多人出席與參加。ICSCRM旨在探索、展示和討論SiC和其他寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新成果。此次會議吸引超過1200名來自業(yè)界、學(xué)術(shù)界和公共部門的代表參加。  

 （根據(jù)現(xiàn)場資料整理，僅供參考）