2024年12月11日至13日，全球知名的日本國際半導體展覽會SEMICON JAPAN在東京隆重舉行，展會現(xiàn)場人流如織。來自全球的1100多家器件制造商、芯片制造商、設備供應商和材料企業(yè)，以及涉足汽車和人工智能等半導體智能應用領域的企業(yè)紛紛亮相。全球頂尖企業(yè)機構(gòu)和技術專家，共同暢想半導體行業(yè)蓬勃發(fā)展的美好未來，和對快速變化的行業(yè)市場的豐富洞察。

在這場科技盛宴中，作為全球碳化硅襯底領域的領軍企業(yè)，天岳先進展示了備受矚目的12英寸導電N型碳化硅襯底，以及業(yè)內(nèi)領先的高品質(zhì)低阻P型碳化硅襯底及高純半絕緣型襯底等多款全球領先產(chǎn)品，成為展會焦點。

堅持技術引領，拓展市場空間

隨著全球?qū)Ω咝阅堋⒏咝拾雽w材料的需求日益增長，碳化硅（SiC）材料因其在高溫、高壓、高頻等多種環(huán)境下的卓越性能，已成為行業(yè)發(fā)展延申的必然趨勢之一。天岳先進展示的碳化硅襯底產(chǎn)品和技術，成為了解最新碳化硅技術的絕佳窗口，吸引了眾多客戶專家訪客接踵交流。

全球首枚12英寸導電N型碳化硅襯底，改寫了碳化硅襯底歷史，引起國際廣泛關注。12英寸碳化硅襯底的面積是8英寸的2.25倍，可使用率約為8英寸的2.5倍左右，單片碳化硅片產(chǎn)出更多晶片。超大尺寸襯底拓寬了下游應用場景，對行業(yè)的未來應用具有里程碑式的意義。

業(yè)內(nèi)領先的6英寸高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底，已實現(xiàn)客戶成功交付驗證，極大加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，未來將會更多應用于以智能電網(wǎng)為代表的更高電壓領域。天岳先進高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底使用液相法制備，在長晶原理上決定了可以生長超高品質(zhì)的碳化硅晶體，電阻率小于200mΩ·cm，面內(nèi)電阻率分布均勻，結(jié)晶性良好。4度偏角P型襯底可以直接用于外延和器件制造，彌補了行業(yè)空缺，激發(fā)了市場的極大興趣。

高純半絕緣型襯底，作為高頻射頻器件的重要材料，正在5G基站、衛(wèi)星通信、低空經(jīng)濟等場景中發(fā)揮重要作用，并延伸更多應用場景。產(chǎn)品在全球市場占有率連續(xù)五年排名前三。同樣展出的8英寸無小面導電型襯底，實現(xiàn)了近“零TSD”和低BPD密度的制備，有效提升了晶圓制備利用率，獲得車規(guī)級器件廠商的青睞。

天岳先進面向行業(yè)客戶和產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴展示了第三代半導體領域的創(chuàng)新產(chǎn)品和技術優(yōu)勢，展現(xiàn)其在碳化硅材料領域的卓越成就。

共同探索低碳數(shù)智

未來展期內(nèi)，天岳先進也與全球同行共同探討化合物半導體的發(fā)展趨勢和應用前景。分享天岳先進在碳化硅襯底領域的最新研究成果，以及通過技術創(chuàng)新推動行業(yè)快速發(fā)展。通過國際交流與合作，天岳先進攜手行業(yè)上下游共同探討推進化合物半導體技術的發(fā)展進程。

品質(zhì)為本，打造行業(yè)標桿

基于高質(zhì)量標準的開放競爭是行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的主導力量，天岳先進作為碳化硅襯底的領先供應商，將持續(xù)參與打造行業(yè)標準，為市場提供高品質(zhì)產(chǎn)品。通過加大研發(fā)投入，推動產(chǎn)品性能的持續(xù)提升，同時積極參與國際標準的制定，以確保我們的技術和產(chǎn)品能夠滿足全球客戶的性能品質(zhì)要求。努力成為全球碳化硅襯底領域的標桿企業(yè)，引領行業(yè)走向可持續(xù)發(fā)展的蓬勃未來。

天岳先進將秉持“先進 品質(zhì) 持續(xù)“的發(fā)展理念，與合作伙伴攜手并進，共同構(gòu)筑低碳數(shù)智未來！

關于天岳先進

山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年，是一家專注于碳化硅襯底材料的高科技領軍企業(yè)，2022年成功登陸A股科創(chuàng)板。堅持技術引領，天岳先進目前已實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底的穩(wěn)定量產(chǎn)，并掌握行業(yè)最大尺寸12英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)技術。堅持品質(zhì)引領，從產(chǎn)品質(zhì)量、尺寸、性能、產(chǎn)能、服務等多維度對標世界一流水平，得到國際大廠廣泛認可，躋身國際碳化硅襯底領域第一梯隊。