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我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

美國實(shí)驗(yàn)室研發(fā)新型激光技術(shù)，有望大幅提升芯片制造效率

1萬伏！我國實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破

極紫外光刻新技術(shù)問世能大幅提高能源效率并降低半導(dǎo)體制造成本

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：無刻蝕損傷的microLED像素制造技術(shù)

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

清華大學(xué)等研究團(tuán)隊(duì)在三維曲面電子制造方法上取得突破

簡述半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

簡述光刻機(jī)制造設(shè)備

南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

InGaAs單光子探測芯片設(shè)計制造領(lǐng)域重要進(jìn)展

工程院院士吳漢明：中國芯片投資遠(yuǎn)沒有過熱，本土可控55nm芯片制造比純進(jìn)口7nm更有意義

臺積電或?qū)⒃?022年上半年使用其5納米EUV工藝制造英特爾CPU

英偉達(dá)與三星、美光合作制造新游戲芯片

中國電科高能離子注入機(jī)研制獲重大突破系芯片制造核心裝備

特斯拉、福特將采用汽車零部件制造呼吸機(jī)

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