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我國科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

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至少節(jié)約30%的功耗，碳基芯片或?qū)⒆屩袊雽?dǎo)體實(shí)現(xiàn)“彎道超車”

中芯國際12nm工藝已開始試產(chǎn)：功耗降低20%、性能提升10%

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