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全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開(kāi)啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時(shí)代

研制成功！我國(guó)團(tuán)隊(duì)在氧化鎵日盲光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長(zhǎng)

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在氧化鎵理論研究方面取得重要進(jìn)展

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸氧化鎵單晶！

日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

上海微系統(tǒng)所成功開(kāi)發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測(cè)器的低溫制備技術(shù)

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開(kāi)發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

廈門大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊(duì)在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

【國(guó)際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)提出一種新型氧化物X射線探測(cè)材料的設(shè)計(jì)思路

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體在壓電與射頻器件中的應(yīng)用

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