亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

<menu id="47zlp"></menu>

<cite id="47zlp"><form id="47zlp"></form></cite>

<acronym id="47zlp"><div id="47zlp"></div></acronym>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進(jìn)展

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

寧波材料所與鄭州大學(xué)實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

杭州鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

深圳平湖實驗室在氧化鎵理論研究方面取得重要進(jìn)展

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破

廈門大學(xué)團(tuán)隊在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

6英寸氧化鎵單晶實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

晶旭半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資協(xié)議，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片ε相氧化鎵外延片（壓電領(lǐng)域用）

第四代半導(dǎo)體迎來新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

國際上首次！基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)已報道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

日本研發(fā)出氧化鎵低成本制法

廈門大學(xué)張洪良和上海光機(jī)所齊紅基團(tuán)隊在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進(jìn)展

第1頁/共4頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部