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爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項(xiàng)目正式啟動！

安徽聯(lián)效大尺寸半導(dǎo)體級單晶硅棒生產(chǎn)項(xiàng)目10月投產(chǎn)

肥東大尺寸半導(dǎo)體級單晶硅棒項(xiàng)目將投產(chǎn)

天成半導(dǎo)體成功研發(fā)12英寸N型碳化硅單晶材料！

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術(shù)新突破！

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動暨實(shí)施方案論證會召開

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

重磅發(fā)布 | 2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項(xiàng)目

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

天岳先進(jìn)SiC單晶項(xiàng)目即將投產(chǎn)

總投資11億元！磷化銦單晶襯底片項(xiàng)目簽約落戶江門

投資100億！高溫超導(dǎo)硅單晶設(shè)備及晶體生產(chǎn)項(xiàng)目開工！

西湖大學(xué)工學(xué)院孔瑋團(tuán)隊(duì)提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質(zhì)外延方法

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時代

鎵仁半導(dǎo)體董事長張輝：大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶材料進(jìn)展 | CASICON重慶站

征世科技成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項(xiàng)目啟動

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鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

一批半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

中欣晶圓12英寸完美單晶下線

超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

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