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超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

新突破︱鎵仁半導體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會前瞻|中晶芯源半導體楊祥龍：碳化硅單晶襯底材料的研究進展

CASICON晶體大會前瞻 |北京大學教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

云和縣大尺寸碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目意向合作協(xié)議簽約儀式舉行

深圳第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

年產(chǎn)70萬片6-8英寸碳化單晶襯底項目通過立項審批

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術

合肥世紀金芯與湖南S公司達成戰(zhàn)略合作，圍繞SiC單晶襯底展開合作

IFWS 2023│南京大學修向前：基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設備與工藝技術

IFWS 2023│中國科學院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

鎵和半導體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

總投資34.57億元！新增年產(chǎn)70萬片 6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目

世紀金光6-8英寸SiC單晶襯底項目簽約包頭投資近35億元

總投資1.2億元，氮化鎵單晶襯底項目簽約落地

中鎵半導體劉強：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應用的氮化鎵單晶襯底制備技術研發(fā)進展

世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

復旦大學單晶襯底生長系統(tǒng)采購公開招標公告

河北淶源經(jīng)濟開發(fā)區(qū)標準化科創(chuàng)園項目、年產(chǎn)10萬片碳化硅單晶襯底標準廠房項目一期全過程審計服務公開招標公告

碳化硅單晶襯底加工技術現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

合肥世紀金芯年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)！

技術分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

寬禁帶半導體GaN單晶襯底項目、Wi-Fi Halow芯片項目等重大項目落地蘇州高新區(qū)

GaN單晶襯底減薄新技術

豐田合成成功量產(chǎn)6英寸氮化鎵單晶襯底

深圳大學劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導體器件

【CASICON 2021】南砂晶圓彭燕：碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產(chǎn)業(yè)化研究

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